三星電子已開始開發先進的極端紫外線（EUV）pellicle，以縮小與制造競爭對手臺積電的市場份額差距。

該公司的半導體研究所最近發布了一份招聘通知，以開發一種滿足92%的EUV透射率的pellicle。該公司在2021年10月舉行的三星制造論壇上表示：“我們已經開發了一種EUV透射率為82%的pellicle，并計劃在年底前將透射率提高到88%。”目前，三星電子公司已經開發了一種透射率為88%的pellicle。這意味著這家韓國科技巨頭在大約一年內實現了目標，并提出了一個新的發展路線圖，將傳輸率提高4個百分點。

三星電子還開始研究高數孔徑（NA）的pellicle，這被稱為下一代EUV工藝。該公司在最新的招聘通知中提到了基于新材料的下一代pellicle的開發。它宣布將與外部研究機構合作開發和評估由碳納米管和石墨烯制成的EUVpellicle。該公司還計劃挑選研究人員，負責設計該公司自行開發的納米石墨薄膜（NGF）的大規模生產設施。

一位分析師表示：“三星電子推動EUVpellicle的開發旨在迅速趕上排名第一的制造公司臺積電。”

EUVpellicle是曝光過程中使用光在半導體晶圓上打印電路形狀所必需的材料。它們用作遮蓋物，阻止異物附著在口罩上。pellicle通過最大限度地減少過程中的缺陷和延長昂貴口罩的使用壽命來幫助降低成本。然而，由于大多數材料吸收的EUV光的特點，商業化很困難。專家表示，盡管三星電子提高了pellicle技術水平，但它尚未將這種材料引入其晶圓代工/DRAM生產線，認為將這種材料應用于批量生產線還為時過早。

自2019年以來，三星電子的競爭對手臺積電一直在其批量生產線上使用自己開發的EUVpellicle。這家臺灣制造巨頭于2021年宣布，它將比2019年增加20倍的EUVpellicle生產能力。

韓國公司，有望顯著提升EUV良率

一家韓國小公司開發出一種材料，有望顯著提高荷蘭半導體設備公司 ASML 的極紫外 (EUV) 光刻設備的良率。

半導體和顯示材料開發商石墨烯實驗室于11月14日宣布，其已開發出用石墨烯制造小于5納米的EUV薄膜（pellicles）的技術，并已準備好量產新型薄膜。

“以前，薄膜是由硅制成的。但我們使用了石墨烯，”Graphene Lab 首席執行官 Kwon Yong-deok 說。“對于使用 ASML 的 EUV 光刻設備的半導體公司來說，石墨烯薄膜將成為良率的助推器。”

薄膜是一種薄膜，可保護光掩模表面免受空氣中分子或污染物的影響。對于5納米或以下的超微制造工藝至關重要。它是一種需要定期更換的消耗品。由于EUV設備的光源波長較短，因此薄膜需要較薄以增加透光率。此前，硅已被用于制造薄膜，但石墨烯是一種更好的材料，因為它比硅更薄、更透明。

EUV 薄膜必須能夠承受曝光過程中發生的 800 度或更高的高溫。由于其在高溫下的硬化特性，硅膠非常容易破裂。

全球薄膜市場預計到 2024 年將達到 1 萬億韓元。“三星電子、臺積電和英特爾是石墨烯實驗室的潛在客戶，”首席執行官 Kwon 說。

審核編輯 ：李倩