1、內存電路結構

首先，從電路結構上看來，內存分為DRAM和SRAM，DRAM由線陣列MOS管和電容組成，其組合方式如下圖：

當需要存儲信息時，給G極高電平，MOS管導通，若S極是高電平，電容充電，此時便存儲1；若S極是低電平，電容放電，此時便存儲0；

當需要讀取信息時，給G極高電平，三極管導通，在D極處集成放大器電路就能判斷電容存儲電荷狀態，進而翻譯為0/1數據。

在電路分析這門課中我們知道，在該電路中電容漏電流恒大于零，所以為了保持信息不會丟失，電路需要不停刷新給電容充電，加之電容充電時間共同造成了DRAM反應速度滯后。

SRAM正好可以彌補DRAM缺點，同樣的先從其電路結構入手。

從上圖注意到，一個SRAM單元由一個RS觸發器，一對與門連接觸發器R端和S端。

RS觸發器當R=0，S=1，則Q=1；當R=1，S=0，則Q=0。

RS觸發器后面緊接兩個與門，且其中一個管腳相連并引出，此為保持位線；其他兩個管腳一個連接非門接輸入，另一個直接接輸入，它們的輸出分別連接到RS觸發器R口和S口，此時輸入稱為數據線。

此時若儲存數據則保持位置1，數據線置1/0，此時Q=1/0,寫入結束后將保持位置0；數據便被鎖存到電路中。

由于SRAM沒有DRAM的電容結構，數據寫入擦除都能瞬間完成；同時也可以看到SRAM的電路元件比DRAM多，成本也必然比DRAM高，這就是SRAM并沒有以內存條商品形式流通市場的原因;SRAM主要應用于CPU L1與L2緩存中。得益于DRAM/SRAM簡單的電路結構，使得內存條十分耐用，它的壽命只取決于內存條的MCU，一些對自己MCU自信的廠商甚至于終身保修內存條。

2、內存的作用及使用

在學習微機原理時我們知道，CPU每執行一個操作都需要數據和指令的加入，數據指令在電腦中以二進制形式存在并存儲在內存中，當CPU處理時就會發送請求指令給內存MCU，MCU將內存芯片中數據讀取出來通過總線發送到CPU，如下圖。

為訪問內存，CPU需要向MCU提供一個內存地址，還要說明是讀還是寫操作，根據CPU需求還要滿足數據字長要求(字節Bit，字word，雙字dword，四字qword)，MCU將根據CPU對數據要求進行操作。

3、棧與堆

** 棧**(stack)就是程序在內存中開辟出來的一片，供程序自己使用的連續內存空間，其特點是連續，固定且私有。

可以將棧比喻為彈匣，數據比喻為子彈，數據入棧如同往彈匣壓子彈，于是用PUSH形容壓棧動作；出棧如同發生子彈，用POP形容出棧動作。

槍戰游戲中我們需要知道彈匣里面還有多少子彈，工程師也需要了解棧的使用情況，所以，在棧中有兩個指針，一個叫棧指針用ESP表示；另一個叫棧底用EBP指針表示。

如果棧指針值等于棧底值，棧為空；棧指針值大于棧底值棧中有數據。

數據多少可以通過:(ESP-EBP)/字長獲知，字長取值通常有4位、8位、16位和32位，64位。

棧數據遵從先進后出原則，如壓子彈一樣，彈匣滿的情況下第一發子彈肯定是最后裝進去的。

棧有大小，當棧指針值等于棧頂值時棧滿，若繼續往棧中填充數據便會產生溢出(Overflow),棧溢出會產生意料之外的錯誤，在后續的編寫操作系統能有更加深刻的體會，而現在腦中保留著棧不能溢出即可。

堆如同其名，就是存放數據的形式，形象的比喻就是空地上的沙堆，沙堆所有人都可以上去踩兩腳，甚至拿一捧回去也沒有關系。

同樣的，堆是公用的數據存放空間，任何程序都可以存取數據，堆大小根據使用要求動態變化，使用完成后一般由系統回收。

堆棧兩種數據結構在匯編學習過程中相當重要，作為開發者要時刻牢記堆棧的使用情況，并在合適時對堆棧回收，合理的利用堆棧有利于程序的簡潔與高效。

在以后匯編學習中我們必然會直接面對內存獲得最大自由度，以往使用的JAVA，Python由于對函數進行了多次封裝，雖然說提高了代碼的易讀性，但同時不可否認犧牲程序的運行的效率。

學習匯編語言必須要牢記，盡可能使用合適的算法完成需求，既最小必要原理。日后寫操作系統時我們也會發現，在執行的高效性和可讀性中選擇時，必然是高效性更加重要。