上一篇文章中，介紹了在探討輸出電流較大的應用時應該注意的兩個注意事項中的第一項。關鍵要點是要想提高輸出電流，需要使用導通電阻低的MOSFET，提高開關速度，并選用DCR低的電感。本文將介紹注意事項中的第二項。

探討高輸出電流應用時的注意事項其2

下圖表示Qg和損耗之間的關系。當Qg增加時，柵極電荷損耗也會隨之增加。

對策

作為應對這種損耗增加問題的對策，可探討使用輸出電流增加時所需的低導通電阻的MOSFET，且Qg低的MOSFET。實際上存在導通電阻低且Qg足夠低的MOSFET，這是可以避免的問題。

需要注意的是，Qg低的MOSFET可能會具有急劇的開關上升/下降，這可能會導致開關噪聲變大。雖然這種對策具有提高開關速度、降低開關損耗的優點，但需要充分評估EMI問題，也需要考慮PCB設計。

總結

由于探討高輸出電流應用時的注意事項是分兩篇文章進行介紹的，因此在此作一下總結。

在探討輸出電流大的應用時，需要使用導通電阻低的MOSFET，提高開關速度，并選擇DCR低的電感。

關于MOSFET，需要選擇導通電阻低、Qg低的產品。在這種情況下，開關速度往往會提高，因此需要確認開關噪聲是否有增加。