這篇文章來源于電子發燒友網 網友李**

羅姆這回提供的電路非常豐富，按由主及次的評測思路，我們需要對電路結構有所了解才能合理設計電路實驗，特整理了電路分析的內容。

整個評估板提供的主要電路如下，圖中電路主要意思是這樣，評估板提供了由兩個SiC Mosfet管組成上下橋臂電路，整個評估板提供了一個半橋電路，可以支持Buck，Boost和半橋開關電路的拓撲。

SiC Mosfet的驅動電路主要有BM6101為主的芯片搭建而成，上下橋臂各有一塊電路，同時上下橋臂還是用了以BD7F200組成的反擊式開關電源為為驅動電路提供電源，評估用戶只需要給BM6101驅動電路提供控制電平再通過外部拓撲搭建就可以實現各種小型電源的拓撲實現。

圖1 評估板主要電路

接下來就需要仔細查看下反激式開關電源電路的設計，其電路結構如下，

以上橋臂為例，BD7F200EF是開關電源的控制芯片，控制電壓Vcc為12V，輸入電壓是Vcc通過變壓器TX1的結構構成反激式開關電源，變壓器次級有兩個線圈，在這個電路中主要用于調節電壓輸出，簡要介紹電路提供的手動可調節器件有如下：

JP51：這是一個接插件，將其短接1腳VEE輸出0V，短接至2腳輸出-2V；

RV51:這是一個可調電阻，可以調節輸出電壓Vcc2，S-19700A00A是一個線性電源芯片，1腳的輸入電壓親測為23.1V，默認JP51是置于1腳，VCC輸出18.5V。

下橋臂電路也是一樣的原理,測得變壓輸出23.1V，輸出18.5V電壓

驅動電路的前端會進行邏輯電平的轉換，我是用一塊開發板輸出3.3V，2KHz開關頻率，通過評估板的邏輯電平轉換為5V的電平，這樣既可以共BM6101電路使用，BM6101是一款電流隔離芯片，通過它進行兩級驅動Mosfet管。而驅動的電壓就是通過開關電源調整得到的電壓，驅動電路還如下圖黃框區提供了死區調整的電阻網絡。

利用示波器在在這時對柵極源極電壓，以及源漏電壓進行采集，由于使用的非隔離示波器，就在單管上進行了對兩個波形進行了記錄：

綠色：柵極源極間電壓；

黃色：源極漏極間電壓；

由于Mosfet使用的SiC材料，通過分析以上兩者電壓的導通時間可以判斷出這是一種優秀的半導體材料，示波器的采樣率達到4GSa/S，在這種情況下測試，源極和漏極動作時間在nS級以內，所以在元器件材料這個地方就支撐了500KHz的開關頻率。

審核編輯：湯梓紅