如果不控制控制信號(hào)的轉(zhuǎn)換時(shí)間,500mW PHS基站的輸出頻譜就無法滿足要求。使用MAX2510時(shí),只需增加一個(gè)簡單的電路,以確保在開/關(guān)瞬變期間輸出頻譜干凈。
介紹
MAX2510為高度集成的IF收發(fā)器,適用于數(shù)字無線應(yīng)用。這是PHS基站應(yīng)用的理想部分。目前,MAX2510已設(shè)計(jì)用于中國的20mW和200mW PHS基站。然而,當(dāng)MAX2510用于500mW輸出功率PHS基站應(yīng)用時(shí),系統(tǒng)表征發(fā)現(xiàn)頻譜再增長不符合頻譜質(zhì)量規(guī)范。發(fā)現(xiàn)這種無法滿足頻譜要求的原因是高功率輸出和發(fā)射門控制信號(hào)的陡峭上升沿。
本文檔介紹了通過在發(fā)射門信號(hào)上增加斜率控制來減少頻譜再增長的設(shè)計(jì)權(quán)衡和仿真。
設(shè)計(jì)目標(biāo)
500mW PHS基站規(guī)范要求雜散發(fā)射為800nW、250nW、2.5mW,中心頻率分別為600kHz、900kHz和帶外。雜散能量在30kHz帶寬內(nèi)測量。PHS基站輸出功率額定值有三種類型:20mW、200mW和500mW。這些輸出功率電平是在300kHz帶寬內(nèi)測量的。
表1列出了不同輸出功率PHS基站的要求。
表1
抵消 頻率 | 輸出 功率->雜散發(fā)射 | 20毫瓦 | 200毫瓦 | 500毫瓦 |
600kHz 偏移 | 800nW | 34分貝 | 44分貝 | 48分貝 |
900kHz 偏移 | 250nW | 39分貝 | 49分貝 | 53分貝 |
帶外 | 2.5μW | 29分貝 | 39分貝 | 43分貝 |
設(shè)計(jì)方法和仿真
為了滿足上述頻譜再生長要求,我們需要仔細(xì)設(shè)計(jì)一個(gè)針對TX柵極信號(hào)的模擬斜率控制電路。輸出功率由邏輯電平信號(hào)控制,電源斜坡上升和下降持續(xù)時(shí)間限制在13μs以內(nèi)。
我們使用標(biāo)準(zhǔn)PHS源和控制信號(hào),具有不同的邊緣轉(zhuǎn)換時(shí)間和形狀。
情況#1:線性邊緣形狀,邏輯控制信號(hào)用于門控PA的打開和關(guān)閉。
圖1.
紅色光譜是標(biāo)準(zhǔn)(輸入)PHS頻譜,藍(lán)色跡線是控制信號(hào)轉(zhuǎn)換期間的PHS信號(hào)。
基于該仿真可以看出,600kHz和900kHz偏移中的頻譜分別為-45dBc和-48dBc,無法滿足500mW PHS基站的要求。因此,我們需要研究一種更復(fù)雜的TX門信號(hào)斜率控制電路。
情況#2:具有余弦邊緣形狀的TX門控制信號(hào)。
圖2.
基于這些仿真結(jié)果,我們發(fā)現(xiàn)600kHz和900kHz偏移處的頻譜分別為-77dBc和-94dBc,符合PHS要求。可以添加一個(gè)控制電路來產(chǎn)生一個(gè)信號(hào),該信號(hào)產(chǎn)生類似于余弦的邊沿轉(zhuǎn)換。
設(shè)計(jì)實(shí)施
至少有兩種方法可以實(shí)現(xiàn)所需的控制信號(hào)效果:
1. 基帶數(shù)字整形:
我們可以以數(shù)字方式創(chuàng)建所需的余弦形狀。如果假設(shè)數(shù)據(jù)每微秒更新一次,則需要 13 個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)來創(chuàng)建此曲線。使用8位DAC(數(shù)模轉(zhuǎn)換器),假設(shè)范圍為1V,最小電壓階躍約為~4mV。
在基帶處理器中創(chuàng)建 13 x 8 查找表并將其存儲(chǔ)在內(nèi)存中。有兩種方法可以創(chuàng)建所需的轉(zhuǎn)換查找表:一種方法是簡單地計(jì)算時(shí)域中的余弦值。另一種方法是觀察RF輸出頻譜并調(diào)整數(shù)據(jù),直到滿足雜散發(fā)射要求。下圖顯示了此控件的體系結(jié)構(gòu):
圖3.
2. 基帶模擬整形:
基帶處理器在創(chuàng)建所需控制信號(hào)方面具有很大的靈活性,但數(shù)字方法需要修改基帶電路,并且會(huì)占用一些基帶資源。
使用低通濾波器可以平滑從基帶處理器發(fā)送的控制信號(hào),從而獲得所需的結(jié)果。
經(jīng)過設(shè)計(jì)和優(yōu)化,得到了以下電路:
圖4.
根據(jù)該仿真,600kHz和900kHz偏移的頻譜分別為-83dBc和-92dBc,符合要求。
添加此電路后,架構(gòu)如下所示:
圖5.
根據(jù)仿真結(jié)果,通過在PA使能控制信號(hào)上增加一個(gè)簡單的邊緣整形電路,500mW PHS基站將滿足雜散發(fā)射的要求。
審核編輯:郭婷
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