DDR從誕生開始，就由于其在時鐘上升沿和下降沿均可進行數據傳輸，相較之前SDR單邊傳輸，以double date rate的速率優勢，極大提高了帶寬，逐步成為最主流的DRAM產品。伴隨對傳輸速率及性能不斷提高的市場需求，更高的頻率要求更精確的雙邊采樣，移動互聯網時代更低功耗的產品需求對電源/接口等設計都有著新的挑戰。DDR也就因此的逐代發展起來了。

DDR1/DDR2目前已基本退出主流市場，所以我們從DDR3開始，從上述方面看下DDR3/DDR4/LPDDR4(X)之間的區別。

1時鐘頻率

DDR3：在533Mhz到1067Mhz之間，也就是1066Mbps到2133Mbps。

DDR4：一般1066Mhz起步，高達2133Mhz。

LPDDR4(X)：一般也是這個范圍，因其為低功耗產品，所以目前主要應用1866Mhz及2133Mhz。

2電壓

DDR3：標準電壓是1.5V，低電壓版本是1.35V。

DDR4：標準電壓是1.2V，

有高頻內存條電壓為1.35V。

LPDDR4：VDD1是1.8V，

VDD2和VDDQ均為1.1V。

LPDDR4X：VDD1是1.8V，

VDD2是1.1V，

VDDQ電壓更低至0.6V。

LPDDR4X可以視為LPDDR4的更節能優化版本。它具有與LPDDR4相同的頻率，帶寬。它將I / O電壓降低近了50％（1.1至0.6V），從而大大降低了存儲器以及存儲器控制器的功耗，總功耗降低約10-20％

更低的電壓不僅功耗和發熱會有所下降，穩定性也會提升不少。功耗降低除了和供電電壓有關，更重要的是以相關的接口設計得以實現。

3內部訪問

如何滿足越來越高速的外部時鐘需求?

這就是prefetch概念，這個在SDR時代沒有，因為那時的單邊低速不需要內部prefetch。

DDR1：需要提前并行的取2bit數據，后轉成串行以滿足外部的高速傳輸。

DDR2：需要4bit。

DDR3/DDR4：需要8bit，突發長度也為8 或chop 4（只取用一半的數據）。

LPDDR4(X)：預取寬度更寬為16，而突發長度為16或32。

讀取數據時并轉串的概念可參見上圖所示

4容量

各代DDR的顆粒及內存條最大容量正在變大

DDR4在使用了3DS堆疊封裝技術后，單條內存的容量最大可以達到DDR3產品的8倍之多。

舉例來說:

目前常見的DDR3大容量內存單條容量為8GB（單顆芯片512MB，共16顆），而DDR4則完全可以達到64GB，甚至128GB。

LPDDR4X命令和地址總線已保留有6位SDR空間，它占用的片上空間更少，單個封裝最多可以包含12GB的DRAM。

可參考上表各代LPDDR涉及到的主要區別

雖然目前市場已向速率更快技術更先進的DDR5/LPDDR5發展，但LPDDR4(X)仍然在不少應用中的占據主流市場，甚至DDR3因兼容性等因素依然也有自己的應用機會，受供需關系影響，有時DDR3的價格還會高于DDR4等。

所以，作為國產存儲芯片設計企業，東芯半導體在追趕國際領先大廠的同時，也是穩扎穩打，從DDR3開始，目前即將推出LPDDR4X系列的DRAM產品。以下是東芯半導體DRAM產品簡要，具體的產品信息和應用，敬請持續關注東芯半導體公眾號及網站的相關更新（點擊下方小標題查看產品詳情）。

· DDR3（L）·

東芯的DDR3（L）產品具備高傳輸速率以及低工作電壓。可提供1.5V/1.35V兩種電壓模式，具有標準SSTL接口、8n-bit prefetch DDR架構和8個內部bank的DDR3 SDRAM，是主流的內存產品。在網絡通信，消費電子，智能終端，物聯網等幾乎所有電子產品領域都有廣泛應用。

LPDDR1/2/4X ·

東芯的LPDDR系列產品具有LPDDR1, LPDDR2, LPDDR4X三個系列。LPDDR1的核心電壓與IO電壓均低至1.8V，LPDDR2的VDDCA/VDDQ低至1.2V，LPDDR4X的VDDQ更低至0.6V，因此非常適合應用在各種移動設備中。LPDDR系列產品將廣泛應用于可穿戴/遙控設備等便攜式產品。

東芯，為日益發展的存儲需求提供高效可靠的解決方案。

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審核編輯：湯梓紅