經(jīng)過(guò)多年積累，長(zhǎng)電科技目前可為全球客戶(hù)提供多樣化的封裝技術(shù)解決方案，包括Lead Frame打線(xiàn)封裝、Laminate打線(xiàn)封裝、fcBGA倒裝封裝、fcCSP倒裝封裝、SiP系統(tǒng)級(jí)封裝、WLCSP/eWLB/ECP等扇入型/扇出型晶圓級(jí)封裝、PoP堆疊封裝、2.5D/3D芯片堆疊封裝、以及XDFOIChiplet系列晶圓級(jí)封裝等技術(shù)。

在持續(xù)發(fā)力先進(jìn)封裝技術(shù)的同時(shí)，長(zhǎng)電科技也不斷推動(dòng)傳統(tǒng)封裝技術(shù)的先進(jìn)化，使其滿(mǎn)足日益多元化的應(yīng)用需求。

以四方扁平無(wú)引腳（QFN）封裝為例，作為一種基于引腳框架的塑封芯片級(jí)封裝（CSP），長(zhǎng)電科技QFN可為客戶(hù)提供對(duì)尺寸、重量以及熱性能和電氣性能具有高要求的解決方案。QFN的電氣連接是通過(guò)位于元件底部的焊盤(pán)連接到PCB表面實(shí)現(xiàn)的。QFN封裝已被證明可成功用于許多應(yīng)用，例如無(wú)線(xiàn)手機(jī)、電源管理、模擬基帶和藍(lán)牙設(shè)備。長(zhǎng)電科技的QFN和雙扁平無(wú)引線(xiàn)（DFN）封裝產(chǎn)品包括QFNs、QFNp、VQFN、WQFN、UQFN、XQFN、QFNp-dr和QFNs-mr。

長(zhǎng)電科技針對(duì)QFN后道可以采用沖壓或封裝成品切割方式。沖壓分離是在封裝流程的最后把塑封過(guò)的封裝體通過(guò)沖壓的方式從整條框架上分離出來(lái)，而以陣列式排布的封裝體可以通過(guò)封裝體切割的方式在最終的切割工序里把單顆的元器件分離出來(lái)。

QFNp是一種通過(guò)沖壓方式分離的封裝方式，具有薄、輕的外形和出色的散熱性能。QFNp提供比傳統(tǒng)引線(xiàn)框架封裝更緊湊、性能更高且更具成本效益的解決方案，尤其適用于移動(dòng)和手持應(yīng)用。

QFNp-dr是一種沖壓方式的雙排封裝，具有在更小的面積中可顯著增加I/O引腳數(shù)量。提高QFNp-dr性能的關(guān)鍵是在其具有兩排交錯(cuò)I/O的引線(xiàn)框架設(shè)計(jì)中帶有裸露芯片焊盤(pán)的引腳用于芯片接地和改進(jìn)的熱性能。

封裝切割方式的多排QFN（QFNs-mr）封裝是通過(guò)切割形成的封裝體并呈現(xiàn)出正方形或者長(zhǎng)方形的LGA形式。通過(guò)使用切割制造工藝，在相同的封裝尺寸中可以以多層形式為客戶(hù)提供更多I/O數(shù)量。

技術(shù)亮點(diǎn)

沖壓或者成品切割方式

產(chǎn)品封裝尺寸從1.0×1.3mm到12×12mm

引腳數(shù)量從4到156

引腳間距：0.40、0.50、0.65和0.80mm

提供引腳數(shù)量、引腳間距定制化

產(chǎn)品封裝厚度：0.45、0.55、0.75、0.85和0.90mm

提供金線(xiàn)或銅線(xiàn)鍵合

多晶片（die）封裝

提供JEDEC定義的多種厚度選擇（V、W、U、X）

產(chǎn)品重量減少33%（16L TSSOP vs. 16L QFN）

產(chǎn)品尺寸占用電路板面積減少50%（16L TSSOP vs. 16L QFN）

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長(zhǎng)電科技擁有持續(xù)優(yōu)化的量產(chǎn)解決方案，依托全員參與，持續(xù)改善的方針，不斷提升技術(shù)水平，從而提升客戶(hù)產(chǎn)品開(kāi)發(fā)速度，助力其市場(chǎng)開(kāi)拓。

審核編輯 ：李倩