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華大電子MCU CIU32L061x8存儲器(Flash)二

沈陽芯碩科技 ? 來源:jetson024 ? 作者:jetson024 ? 2023-03-14 09:33 ? 次閱讀

5.3.5User flash區(qū)擦除操作

User flash區(qū)支持以下擦除方式:

l頁擦除(512字節(jié))

l塊擦除(16KB)

l批量擦除(128KB)

Flash存儲器在執(zhí)行擦除操作時,不能同時進行讀取操作,需要等待存儲器完成 擦除操作后,讀取操作才能正常進行,擦除完成后的Flash數據為全1。

5.3.5.1User flash區(qū)頁擦除步驟

對User flash區(qū)進行頁擦除操作(512字節(jié)),可遵循以下步驟:

1) 檢查Flash狀態(tài)寄存器(FLASH_SR)中的BSY標志,以確認當前沒有正在執(zhí)行的Flash操作;

2) 檢查FLASH_SR寄存器,確認錯誤標志均已清除;

3) 解鎖Flash控制寄存器(FLASH_CR),使LOCK位清0;(詳見:Flash控 制寄存器解鎖)

4) 配置FLASH_CR寄存器中的ER_MODE[1:0]位域為01,進入頁擦除模式;

5) 配置FLASH_CR寄存器中的PNB[7:0]位域,選擇待擦除區(qū)域的頁號;

6) 配置FLASH_CR寄存器中的ERASE位置1,啟動Flash擦除,同時BSY標志將自動置1;

7) 查詢并等待BSY標志清0,表明擦除操作已完成,此時ERASE位也將自 動清 0;

8) 如果要對多個頁執(zhí)行擦除操作,可重復執(zhí)行步驟5到7;

9) 配置FLASH_CR寄存器中的ER_MODE[1:0]位域為00,退出擦除模式;

10) 配置FLASH_CR寄存器中的LOCK位置1,恢復FLASH_CR寄存器的寫保護鎖定狀態(tài)。

5.3.5.2User flash區(qū)塊擦除步驟

對User flash區(qū)進行塊擦除操作(16KB),可遵循以下步驟:

1) 檢查Flash狀態(tài)寄存器(FLASH_SR)中的BSY標志,以確認當前沒有正在執(zhí)行的Flash操作;

2) 檢查FLASH_SR寄存器,確認錯誤標志均已清除;

3) 解鎖Flash控制寄存器(FLASH_CR),使LOCK位清0;(詳見:Flash控制寄存器解鎖);

4) 配置FLASH_CR寄存器中的ER_MODE[1:0]位域為10,進入塊擦除模式;

5) 配置FLASH_CR寄存器中的PNB[2:0]位域,選擇待擦除區(qū)域的塊號;

6) 配置FLASH_CR寄存器中的ERASE位置1,啟動Flash擦除,同時BSY標志將自動置1;7) 查詢并等待BSY標志清0,表明擦除操作已完成,此時ERASE位也將自動清0;

8) 如果要對多個塊執(zhí)行擦除,可重復執(zhí)行步驟5到7;

9) 配置FLASH_CR寄存器中的ER_MODE[1:0]位域為00,退出擦除模式;

10) 配置FLASH_CR寄存器中的LOCK位置1,恢復FLASH_CR寄存器的寫保護鎖定狀態(tài)。

5.3.5.3User flash區(qū)批量擦除步驟

批量擦除用于擦除整個User flash區(qū)域(128KB),可遵循以下步驟:

1) 檢查Flash狀態(tài)寄存器(FLASH_SR)中的BSY標志,以確認當前沒有正在執(zhí)行的Flash操作;

2) 檢查FLASH_SR寄存器,確認錯誤標志均已清除;

3) 解鎖Flash控制寄存器(FLASH_CR),使LOCK位清0(詳見:Flash控制寄存器解鎖);

4) 配置FLASH_CR寄存器中的ER_MODE[1:0]位域為11,進入批量擦除模式;

5) 配置FLASH_CR寄存器中的ERASE位置1,啟動Flash擦除,同時BSY標志將自動置1;

6) 查詢并等待BSY標志清0,表明擦除操作已完成,此時ERASE位也將自動清 0;

7) 配置FLASH_CR寄存器中的ER_MODE[1:0]位域為00,退出擦除模式;

8) 配置FLASH_CR寄存器中的LOCK位置1,恢復FLASH_CR寄存器的寫保護鎖定狀態(tài)。

5.3.5.4User flash區(qū)擦除錯誤

在對User flash區(qū)執(zhí)行擦除操作的過程中,可能會出現以下錯誤標志:

lFlash操作序列錯誤標志PESERR:

-在ERASE位被置1的同時,如果ER_MODE[1:0]位域為00,則不會

啟動擦除操作,錯誤標志PESERR將置1;

-在ERASE位被置1的同時,如果待擦除的區(qū)域(PNB[7:0])超出了

Flash的有效空間,則不會啟動擦除操作,錯誤標志PESERR將置1;

-當有錯誤標志(PESERR、PROGERR、SIZERR、PGAERR、WRPERR)

未被清除時,配置ERASE位置1,則不會啟動擦除操作,錯誤標志PESERR將置1;

-ERASE、OPTSTRT、OBL_LAUNCH中任意2個以上控制位同時置1,

則不會啟動對應的操作,錯誤標志PESERR將置1。

l寫保護錯誤標志WRPERR:

-如果要擦除的區(qū)域受到安全保護機制的影響,包含有受保護的區(qū)域,

則不會啟動擦除操作,FLASH_SR寄存器中的WRPERR標志將置1。

5.3.6User flash區(qū)編程操作

對Flash存儲器執(zhí)行編程操作,每次能寫入的數據長度固定為 32bits(字),不支持其他長度的數據寫入。

FLASH存儲器在執(zhí)行編程操作時,不能同時進行讀取操作,需要等待存儲器完成編程操作后,讀取操作才能正常進行。

與Flash擦除操作類似,編程操作也會受到安全保護機制的影響:

5.3.6.1User flash區(qū)編程操作步驟

對User flash區(qū)進行編程操作,可遵循以下步驟:

1) 檢查Flash狀態(tài)寄存器(FLASH_SR)中的BSY標志,以確認當前沒有正在執(zhí)行的Flash操作;

2) 檢查FLASH_SR寄存器,確認錯誤標志均已清除;

3) 解鎖Flash控制寄存器(FLASH_CR),使LOCK位清0(詳見:Flash控制寄存器解鎖);

4) 配置FLASH_CR寄存器中的PG_MODE為1,進入Flash編程模式;

5) 向Flash目標地址寫入32bits數據,寫入后BSY標志將自動置1;

6) 查詢并等待BSY標志清0,表明編程操作已完成;7) 如果要對多個地址進行編程,可重復步驟5和6;

8) 配置FLASH_CR寄存器中的PG_MODE位為0,退出Flash編程模式;

9) 配置FLASH_CR寄存器中的LOCK位置1,恢復FLASH_CR寄存器的寫保護鎖定狀態(tài)。

5.3.6.2User flash區(qū)編程錯誤

在對User flash區(qū)進行編程操作的過程中,可能會出現以下錯誤標志:

l編程錯誤標志PROGERR:

-當Flash地址內的數據不是 0xFFFF FFFF時,表明該地址已經執(zhí)行過

編程操作,向該地址寫入數據,則寫入的數據會被忽略,不會啟動編

程操作,錯誤標志PROGERR將置1;

-當PG_MODE位為0時,向Flash地址寫入數據,則寫入的數據會被

忽略,不會啟動編程操作,錯誤標志PROGERR將置1;

-當有錯誤標志(PESERR、PROGERR、SIZERR、PGAERR、WRPERR)

未被清除時,向Flash地址寫入數據,則寫入的數據會被忽略,不會啟動編程操作,錯誤標志 PROGERR將置1。

l編程位寬錯誤標志SIZERR:

-如果向Flash地址寫入字節(jié)或半字,則寫入的數據會被忽略,不會啟

動編程操作,錯誤標志SIZERR將置1。

l編程地址未對齊錯誤標志PGAERR:

-如果編程操作的目標地址沒有按字對齊(地址2位不為b00),則

寫入的數據會被忽略,不會啟動編程操作,錯誤標志PGAERR將置1。

l寫保護錯誤標志WRPERR:

-如果要編程的區(qū)域受到安全保護機制的影響,處于受保護的狀態(tài),向

該區(qū)域中的地址寫入數據,則寫入的數據會被忽略,不會啟動編程操

作,錯誤標志WRPERR將置1。

5.4Option bytes區(qū)操作說明

5.4.1選項字節(jié)組成

選項字節(jié)存放于Flash存儲器的Option bytes區(qū),用于保存與芯片硬件功能相關的配置項,用戶可根據應用對選項字節(jié)進行配置,以實現特定的硬件功能。

為了校驗選項字節(jié)的正確性,在Option bytes區(qū)的每個字(32bits)被拆分成兩

部分,低16bits存放選項字節(jié),高16bits存放選項字節(jié)的反碼。

復位后,硬件會自動將Option bytes區(qū)中的內容,加載到寄存器里,這些寄存器被稱為選項字節(jié)加載寄存器,選項字節(jié)中各控制位的作用,可查看以下寄存器的詳細描述:

lFLASH_OPTR1:選項字節(jié)寄存器 1

lFLASH_OPTR2:選項字節(jié)寄存器 2

lFLASH_PCROP1AS:代碼讀出保護區(qū) 1A起始地址寄存器

lFLASH_PCROP1AE:代碼讀出保護區(qū) 1A結束地址寄存器

lFLASH_PCROP1BS:代碼讀出保護區(qū) 1B起始地址寄存器

lFLASH_PCROP1BE:代碼讀出保護區(qū) 1B結束地址寄存器

lFLASH_WRP1AS:寫保護區(qū)A起始地址寄存器

lFLASH_WRP1AE:寫保護區(qū)A結束地址寄存器

lFLASH_WRP1BS:寫保護區(qū)B起始地址寄存器

lFLASH_WRP1BE:寫保護區(qū)B結束地址寄存器

lFLASH_SECR:用戶安全配置寄存器

5.4.2選項字節(jié)更新

Option bytes區(qū)與User flash區(qū)不同,用戶不能直接對 Option bytes區(qū)執(zhí)行擦除或編程操作,而是要通過對應的選項字節(jié)加載寄存器進行更新。

對選項字節(jié)的更新遵循以下步驟:

1) 檢查Flash狀態(tài)寄存器(FLASH_SR)中的BSY標志位,以確認當前沒有正在執(zhí)行的Flash操作;

2) 檢查FLASH_SR寄存器,確認錯誤標志均已清除;

3) 解鎖Flash選項字節(jié)的寫保護,使Flash控制寄存器(FLASH_CR)中的

OPTLOCK位清0(詳見:Flash選項字節(jié)解鎖);

4) 配置FLASH_CR寄存器中的PG_MODE為1,進入Flash編程模式;

5) 配置選項字節(jié)加載寄存器;

6) 將FLASH_CR寄存器中的OPTSTRT位置1,啟動選項字節(jié)的更新,同時BSY標志將自動置1;

7) 查詢并等待BSY標志清0,表明選項字節(jié)已更新完成,此時OPTSTRT位也將被自動清 0;

8) 配置FLASH_CR寄存器中的PG_MODE位為0,退出Flash編程模式;

9) 配置FLASH_CR寄存器中的OPTLOCK位置1,恢復選項字節(jié)的寫保護鎖定狀態(tài);

10) 此時FLASH_CR寄存器處于解鎖狀態(tài),可根據需要配置FLASH_CR寄存器中的LOCK位置1,將其恢復成寫保護鎖定狀態(tài)。

在啟動選項字節(jié)更新后,將對Option bytes區(qū)進行擦除,并自動生成選項字節(jié)的反碼,隨后會將選項字節(jié)及其反碼更新到Option bytes區(qū)。

在完成對選項字節(jié)的更新后,直接讀取Option bytes區(qū),可獲取更新后的選項字節(jié)值。但是更新后的選項字節(jié)此時并未生效,如果讀取選項字節(jié)加載寄存器,獲得的仍將是最近一次已加載生效的選項字節(jié)值。在對選項字節(jié)進行更新的過程中,可能會出現以下錯誤標志:

lFlash操作序列錯誤標志PESERR:

-在OPTSTRT位被置1的同時,如果PG_MODE位為0,則不會啟動

選項字節(jié)更新,錯誤標志PESERR將置1;

-當有錯誤標志(PESERR、PROGERR、SIZERR、PGAERR、WRPERR)

未被清除時,配置OPTSTRT位置1,則不會啟動選項字節(jié)更新,錯誤

標志PESERR將置1;

-ERASE、OPTSTRT、OBL_LAUNCH中任意2個以上控制位同時置1,

則不會啟動對應的操作,錯誤標志PESERR將置1。

5.4.3選項字節(jié)加載

要使Option bytes區(qū)中選項字節(jié)生效,可通過以下方式對選項字節(jié)進行加載:

l以下復位將觸發(fā)加載:

-POR/PDR復位

-退出Standby模式復位

l配置FLASH_CR寄存器中OBL_LAUNCH位為1啟動加載,加載執(zhí)行時BSY標志將自動置1,加載完成后該標志將自動清0并觸發(fā)系統復位。

如果ERASE、OPTSTRT、OBL_LAUNCH中任意2個以上控制位同時置1,則不會啟動對應的操作,錯誤標志PESERR將置1。

在選項字節(jié)加載過程中,將自動對選項字節(jié)及其反碼進行校驗,如果出現錯誤,將維持復位狀態(tài)不再執(zhí)行任何操作,直到發(fā)生POR/PDR復位。

當選項字節(jié)加載生效后,Option bytes區(qū)中的選項字節(jié)將被自動復制到對應的加載寄存器。讀取選項字節(jié)加載寄存器,獲得的總是加載生效后的選項字節(jié)值。

5.5Flash安全保護機制

Flash存儲器支持以下安全保護機制:

lFlash讀出保護(RDP):通過配置不同RDP保護等級,對存儲器的操作權限進行限制。

lFlash代碼讀出保護(PCROP):禁止對受保護的區(qū)域執(zhí)行讀取、編程或擦

除操作,僅允許取指操作。

lFlash寫入保護(WRP):禁止對受保護的區(qū)域執(zhí)行編程或擦除操作,但允

許取指和讀取操作。

lFlash用戶安全區(qū)域:在復位后,用戶安全區(qū)域處于未保護狀態(tài),可執(zhí)行

取指、讀取、編程和擦除操作。當安全區(qū)域使能后,該區(qū)域不可見,禁止

對該區(qū)域執(zhí)行任何操作,直到重新復位。

5.5.1Flash讀出保護

5.5.1.1RDP保護權限

Flash讀出保護(RDP),共有三種保護等級:

RDP0:

l從User flash/SRAM啟動

-User flash區(qū):允許取指、讀取、編程、擦除

-System memory區(qū):僅允許取指

-Option bytes區(qū):允許讀取、更新(通過選項字節(jié)加載寄存器)

-OTP區(qū):允許讀取、編程(每個字僅可編程一次)

-備份寄存器:允許讀取、寫入

l從Bootloader啟動

-User flash區(qū):允許取指、讀取、編程、擦除

-System memory區(qū):允許取指、讀取

-Option bytes區(qū):允許讀取、更新(通過選項字節(jié)加載寄存器)

-OTP區(qū):禁止執(zhí)行任何操作

-備份寄存器:禁止執(zhí)行任何操作

l調試接口

-User flash區(qū):允許取指、讀取、編程、擦除

-System memory區(qū):僅允許取指

-Option bytes區(qū):允許讀取、更新(通過選項字節(jié)加載寄存器)

-OTP區(qū):允許讀取、編程(每個字僅可編程一次)

-備份寄存器:允許讀取、寫入

注意:從Bootloader啟動時,禁用調試接口。

RDP1:

l從User flash啟動

-User flash區(qū):允許取指、讀取、編程、擦除

-System memory區(qū):僅允許取指

-Option bytes區(qū):允許讀取、更新(通過選項字節(jié)加載寄存器)

-OTP區(qū):允許讀取、編程(每個字僅可編程一次)

-備份寄存器:允許讀取、寫入

l從Bootloader啟動

-User flash區(qū):僅允許取指

-System memory區(qū):允許讀取、取指

-Option bytes區(qū):允許讀取、更新(通過選項字節(jié)加載寄存器)

-OTP區(qū):禁止執(zhí)行任何操作

-備份寄存器:禁止執(zhí)行任何操作

l禁止從SRAM啟動

l禁用調試接口

RDP2:

l從User flash啟動

-User flash區(qū):允許取指、讀取、編程、擦除

-System memory區(qū):僅允許取指

-Option bytes區(qū):僅允許讀取-

OTP區(qū):允許讀取、編程(每個字僅可編程一次)

-備份寄存器:允許讀取、寫入

l禁止從Bootloader啟動

l禁止從SRAM啟動

l禁用調試接口

對于Flash存儲器,當Flash控制器檢測到無權限的非法操作時,FLASH_SR寄 存器中的 ACERR錯誤標志將立刻置1,非法操作會被立刻終止,并產生總線訪 問錯誤,觸發(fā) HardFault中斷。

對Option bytes區(qū)的更新,必須通過相應的選項字節(jié)加載寄存器來完成。當保護等級為 RDP2時,不允許更新該區(qū)域,此時如果FLASH_CR寄存器中的

OPTSTRT位被置1,則FLASH_SR寄存器中的ACERR錯誤標志將置1,wo對Option bytes區(qū)的操作將被終止,并產生總線訪問錯誤,觸發(fā)HardFault中斷。

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審核編輯黃宇

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