來源:佳能
佳能于3月13日發(fā)售面向前道工序的半導體***新產(chǎn)品----i線※1步進式***“FPA-5550iX”,該產(chǎn)品能夠同時實現(xiàn)0.5μm(微米※2)高解像力與50×50mm大視場曝光。
新產(chǎn)品“FPA-5550iX”能夠同時實現(xiàn)50×50mm大視場及0.5μm高解像力曝光,在不斷趨向高精尖化的全畫幅CMOS傳感器制造領域中,使得單次曝光下的高解像力成像成為可能。同時,通過充分利用高解像力與大視場的優(yōu)勢,“FPA-5550iX”也可應用于頭戴式顯示器等小型顯示設備制造的曝光工序中。此外,隨著先進的XR器件顯示器需求增加,該產(chǎn)品也可廣泛應用于大視場、高對比度的微型OLED顯示器※3制造。新產(chǎn)品“FPA-5550iX”不僅能夠應用于半導體器件制造,也可以在最先進的XR器件顯示器制造等更廣泛的器件制造領域發(fā)揮其作用。
1. 通過制造方法的革新,兼顧高解像力與大視場曝光,實現(xiàn)更加穩(wěn)定的鏡頭供應
新產(chǎn)品“FPA-5550iX”通過繼承現(xiàn)款機型“FPA-5510iX”(2015年9月發(fā)售)中采用的投影鏡頭,實現(xiàn)了0.5μm的高解像力成像。同時,通過實現(xiàn)50×50mm的大視場曝光,讓全畫幅CMOS傳感器及XR顯示器制造中所需的大視場、高解像力單次曝光成為可能。此外,通過制造方法的革新,能夠?qū)崿F(xiàn)更優(yōu)質(zhì)、更穩(wěn)定的投影鏡頭供應,滿足半導體光刻設備制造的旺盛需求。
2. 通過采用可讀取各類對準標記的調(diào)準用示波器,進一步加強制程對應能力
調(diào)準用示波器不僅具備檢測直射光的“明場檢測”功能,還新增了檢測散射光和衍射光的“暗場檢測”功能,用戶可根據(jù)使用需求選擇相應的檢測方法。通過可選波長范圍的擴大、區(qū)域傳感器的應用,加之可進行多像素測量,最終實現(xiàn)更低噪點的檢測效果,即使是低對比度的對準標記,也可以進行檢測。此外,可以應用于各類對準標記的測量,加強對用戶多樣制程的支持能力。比如,作為選裝功能,用戶可以選擇配備能夠穿透硅片的遠紅外線波長,以便在背照式傳感器制造過程中對晶圓背面進行對準測量。
3. 通過與Lithography Plus的協(xié)同,提高運轉效率
通過與解決方案平臺“Lithography Plus”(2022年9月上市)的協(xié)同,對光刻設備的狀態(tài)進行監(jiān)測、分析,實現(xiàn)光刻設備良好的品質(zhì)管控以及更高的運轉效率。
※1. 使用了i線(水銀燈波長 365nm)光源的半導體光刻設備。1nm(納米)是10億分之1米。
※2. 1μm(微米)是100萬分之1米(=1000分之1mm)。
※3. 通過有機 EL(OLED)獨有的高畫質(zhì),使用硅片實現(xiàn)超高解像力的顯示器制造形式。
※4. 為了對半導體電路進行多層疊加制造,以定位為目的在晶圓上作的標識
〈主要特點〉
1.通過制造方法的革新,兼顧高解像力與大視場曝光,實現(xiàn)更加穩(wěn)定的鏡頭供應
l通過繼承現(xiàn)款機型“FPA-5510iX”(2015年9月發(fā)售)采用的1/2縮小投影鏡頭,實現(xiàn)0.5μm的高解像力。
l50×50mm大視場曝光可以對全畫幅CMOS傳感器以及下一代XR顯示器上所需的大視場實現(xiàn)高解像力單次曝光。
l通過鏡頭制造方法的革新,可以滿足半導體設備制造的旺盛需求,實現(xiàn)高品質(zhì)鏡頭的穩(wěn)定供應。
2.通過采用可讀取各類對準標記的調(diào)準用示波器,進一步加強制程對應能力
l在檢測直射光的“明場檢測”功能基礎上,新增了可以檢測散射光和衍射光的“暗場檢測”功能。針對僅憑“明場檢測”功能難以檢測與晶圓的對準標記,“暗場檢測”功能也非常有效。因此,用戶可根據(jù)需求選擇合適的檢測方式。
對準標記示例
l可選波長范圍擴大。采用區(qū)域傳感器※1。通過多像素測量,選取已獲取信息的平均值,實現(xiàn)更低噪點。此外,低對比度的對準標記也可以測量。
l可以應用于各類對準標記的測量,強化對應用戶各類制程的能力,比如,作為選裝功能,用戶可以選擇能穿透硅片的遠紅外線波長,以便在背照式傳感器制造過程中對晶圓背面進行對準測量。
※1. 如數(shù)碼相機上搭載的長方形傳感器。能以二維形式獲取圖像。
〈關于對準標記〉
半導體制作需要堆疊多層回路,因此需要精確對準電路圖,對準標記是其達成精確堆疊半導體回路的標準。根據(jù)對準標記可以檢測出正確的位置信息。
(關于調(diào)準用示波器)
是一種可以讀取晶圓上的對準標記并進行對準的顯微鏡。其原理是從對準光源將光照射到對準標記上,透過鏡頭,在區(qū)域傳感器上感光從而進行檢測。
光刻設備要對電路圖進行多次重復曝光。其定位精度是非常高的。如果不能對已經(jīng)曝光的下層部分進行準確定位的話,整個電路的質(zhì)量會降低,進而導致生產(chǎn)良品率的降低。
3. 通過與Lithography Plus的協(xié)同,提高運轉效率
l通過與解決方案平臺“Lithography Plus”(2022年9月上市)的協(xié)同,對光刻設備的狀態(tài)進行監(jiān)測分析,實現(xiàn)光刻設備良好的品質(zhì)管控以及更高的運轉效率。
〈大視場半導體光刻設備的市場動向〉
在全畫幅CMOS傳感器的制造中,通過高精度工藝的高解像力一次性曝光的需求不斷增加。同時,為了營造更好的沉浸體驗,元宇宙XR器件顯示器等領域?qū)τ诟邔Ρ榷鹊奈⑿蚈LED顯示器的需求也日漸增加。因此,不僅在半導體領域,在高精度顯示器制造等領域,新產(chǎn)品也將得到廣泛應用。(佳能調(diào)查)
審核編輯黃宇
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