最近，碳化硅行業又有幾項新的技術動態，主要涉及襯底和外延：

●盛新材料：產出中國臺灣首片8吋SiC襯底；

●中山大學：生長出6吋碳化硅單晶；

● EEMCO：開發數據建模技術提高碳化硅晶體質量；

● Resonac：第三代SiC外延片開始量產；

● Gaianixx：開發“中間膜”外延技術 ，可以提高同質碳化硅外延或硅基碳化硅外延的質量。

新增3家6-8吋碳化硅襯底玩家

●盛新材料產出8吋SiC

3月14日，據中國臺灣媒體爆料，盛新材料已經成功產出臺灣首片8吋SiC襯底。

2022年7月，鴻海集團投資約1.13億人民幣收購盛新材料科技10％股權。2023年，盛新材料規劃65臺SiC長晶爐——廣運自制50臺、日本設備10臺、美國5臺。該公司稱，在所有長晶爐全數啟動的假設下，期望良率達70%。

盛新材料董事長謝明凱表示，這是臺灣成功試產的首爐8吋SiC，由于臺灣SiC供應鏈在8吋仍未成熟，包括沒有8吋的SiC切晶、晶圓廠及元件等產能，所以此次是由臺灣以外的伙伴完成首片8吋襯底。

根據《2022碳化硅（SiC）產業調研白皮書》，目前全球已有超14家企業在8吋碳化硅襯底方面實現突破，而Wolfspeed已于去年實現生產。謝明凱指出，在8吋方面，盛新材料與Wolfspeed的距離只有一年之遙。

●臺灣大學開發出6吋SiC單晶

3月6日，臺灣導報發文稱，中國臺灣省國立中山大學晶體研究中心已經成功生長出6吋導電型4H碳化硅單晶。

該大學的材料與光電科學學系教授兼國際長周明奇指出，6吋導電型碳化硅單晶的中心厚度為19mm，邊緣約為14mm，生長速度達到370μm/hr。而目前臺灣企業的生長速度約在150-200μm/hr之間，晶體穩定性與良率仍有待提升。

周明奇強調，目前團隊已投入8吋導電型碳化硅生長設備研發設計，今年將持續推進碳化硅晶體生長核心技術，也正在打造高真空環境，研發生長半絕緣碳化硅。

● EEMCO：利用數字建模提升SiC晶體質量

3月6日，據外媒報道，奧地利的萊奧本礦業大學在開發新的建模方法，目標是幫助碳化硅企業提高單晶生長質量。

據該校負責人介紹，通過PVT法生產高質量的SiC 晶體，需要能夠盡可能精確地預測晶體生長過程。雖然傳統物理建模已經很先進了，然而這需要大量的數據和相應數量的實驗，需要耗費大量的時間和財力。

為此，該校CD實驗室希望結合基于物理和數據驅動的模型，以獲得盡可能高效和可預測的碳化硅晶體生長方法，他們的合作伙伴是碳化硅襯底廠商EEMCOGmbH。

EEMCO是一家成立于2020年底的初創公司，由EBNER 集團控股。該公司已經開發出4H SiC單晶生長爐，正在邁向8英寸4H SiC單晶制造，工廠位于奧地利萊昂丁，目前EEMCO 運營著 15 個研究爐，使用PVT工藝在氣相中生長SiC單晶。

有意思的是，EEMCO還與另一家臺灣碳化硅初創公司有關。

今年3月初，晶赫泰CEO熊治勇在接受臺灣媒體采訪時表示，他曾是臺灣中科院SiC長晶計劃的分項主持人也是實際開發者，也拿下臺灣首張相關專利。隨后曾出任EEMCO技術長，直至近半年攜研發團隊回臺灣創立晶赫泰。

2項碳化硅外延技術進展

●昭和電工第三代外延片量產

3 月 1 日，Resonac（昭和電工改名）官網宣布，他們開發出了第三代SiC外延片（HGE-3G），并已經開始量產，質量優于第二代SiC外延片（HGE-2G）。

據悉，HGE-3G在高電流密度下具有高可靠性，將為SiC功率模塊的普及做出貢獻。

●Gaianixx新技術提升外延質量

2月23日，日媒發文介紹了東京大學孵化公司 Gaianixx的外延生長技術——計劃使用“中間膜”技術來防止 SiC 襯底缺陷轉移到外延生長環節，還可以用在硅襯底上生長SiC外延。

根據官網，Gaianix成立于2021年11月，計劃引進年產7000片中間膜的外延生產設備，2024 年左右開始量產設備。他們計劃在2025年前后進入SiC等功率半導體領域。Gaianixx 利用獨特的技術解決了“馬氏體外延”的傳統難題，可以實現高品質的多層單晶。

審核編輯 ：李倩