本文對T型三電平逆變器的工作原理及simulink仿真建模方法進行介紹。
01T型三電平拓撲的開關狀態
圖1為T字型-三電平電路單相拓撲,拓撲中共有4個IGBT,4個二極管,還有電容組C1和C2; 假設正負母線電壓均等,都是Vdc。 將T1,T2,T3,T4的狀態用1和0分別表示,1表示開通,0表示關斷。
圖1 T型三電平逆變器拓撲結構
將T1、T2、T3、T4狀態組成的二級制數用16進制表示開關狀態,如T1、T2、T3、T4分別為1、1、0、0,則將該開關狀態的二進制數1100用十六進制數表示為C。
穩定模態有3種:C,6,3; 即當T1、T2、T3、T4分別為1、1、0、0時,輸出電壓為Vdc; 即當T1、T2、T3、T4分別為0、1、1、0時,輸出電壓為0; 即當T1、T2、T3、T4分別為0、0、1、1時,輸出電壓為-Vdc。
考慮死區后,還存在另外兩種狀態,分別為4,2。 則T型三電平逆變器輸出電壓由Vdc → 0 → - Vdc → 0→Vdc的切換過程中,T型三電平具有如下圖的切換狀態,其中死區狀態的切換用黃色部分表示,穩態狀態用藍色表示。
圖2 T字型-三電平電路狀態表
圖3 T型三電平狀態循環和電流流向
在該拓撲中,IGBT的所有開關狀態的切換是循環的過程。
02T型三電平逆變器的換流過程
2.1. 開關狀態為C時(T1、T2、T3、T4分別為1、1、0、0),開關狀態,IGBT的C-E電壓與輸出電壓的關系及電流路徑如下圖所示:
2.2. 開關狀態由C(1100)到開關狀態4(0100)的過程中,IGBT的C-E電壓與輸出電壓的關系及電流路徑如下圖所示:
2.3. 開關狀態由4(0100)到開關狀態6(0110)的過程中,IGBT的C-E電壓與輸出電壓的關系及電流路徑如下圖所示:
2.4. 開關狀態由6(0110)到開關狀態2(0010)的過程中,IGBT的C-E電壓與輸出電壓的關系及電流路徑如下圖所示:
2.5. 開關狀態由2(0010)到開關狀態3(0011)的過程中,IGBT的C-E電壓與輸出電壓的關系及電流路徑如下圖所示:
2.6. 開關狀態由3(0011)到開關狀態2(0010)的過程中,IGBT的C-E電壓與輸出電壓的關系及電流路徑如下圖所示:
2.7. 開關狀態由2(0010)到開關狀態6(0110)的過程中,IGBT的C-E電壓與輸出電壓的關系及電流路徑如下圖所示:
2.8. 開關狀態由6(0110)到開關狀態4(0100)的過程中,IGBT的C-E電壓與輸出電壓的關系及電流路徑如下圖所示:
2.9. 開關狀態由4(0100)到開關狀態C(1100)的過程中,IGBT的C-E電壓與輸出電壓的關系及電流路徑如下圖所示:
小結:經過以上對三電平拓撲中每個切換過程的分析,可以得出如下結論:IGBT部分:1)電流朝外流時:T1(C-->4),T2(6-->2)在關斷時會有電壓尖峰。 2)電流朝內流時:T3(6-->4),T4(3-->2)在關斷時會有電壓尖峰。 3)T1~T4在關斷時產生的電壓尖峰,都是基于半個母線電壓Vdc。 但是由于T1管和T4管的阻斷電壓高,所以T1管和T4管的關斷電壓應力風險相對較低; 而T2管和T3管是低壓管,所以T2管和T3管的關斷電壓應力相對較大,這點需要特別注意。
二極管部分:1)電流朝外流時:D3,D4有續流。 D3(4-->C),D4(2-->6)反向恢復。 2)電流朝內流時:D1,D2有續流。 D1(4-->6),D2(2-->3)反向恢復。 3)高阻斷電壓D1管和D4管在反向恢復時,是基于半個母線電壓Vdc,所以產生的峰值功率也相對較小; 但是D2管和D3管由于阻斷電壓較低,在基于半個母線電壓Vdc反向恢復時,產生的峰值功率會相對較大,這點需要特別注意。
03T型三電平拓撲的Simulink仿真
作者在Matlab2014/Simulink上搭建兩T型三電平的仿真模型,如下圖所示:
圖4 T型三電平仿真結構圖
該simulink模型采用模塊封裝的方式,主要包含電路部分,控制部分以及波形顯示三個部分。 采用閉環控制,對輸出電壓的平均值進行閉環,逆變器直流側電壓為750V,輸出電壓平均值為380V。 其T型三電平的電路結構如下圖所示:
圖5 T型三電平逆變器電路拓撲
其中控制器如下圖所示,采用模塊封裝結構,分為輸出電壓平均值計算模塊,PI模塊,輸出電壓指令模塊和調制模塊。 均采用函數編寫。
圖6 T型三電平逆變器控制器
下圖為T型三電平逆變器的調制模塊,采用三次諧波注入的SPWM方式等效三電平SVPWM的調制。
圖7 T型三電平逆變器調制示意圖
下圖為T型三電平逆變器simulink模型的仿真結果,分別為濾波器逆變器濾波前線電壓波形,濾波后線電壓波形和輸出電流波形。
圖8 T型三電平逆變器輸出電流電壓仿真波形
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