LLC電路的ZVS零電壓開通十分重要，如果能夠保證ZVS，則無論是開關管的損耗，還是開關管的DS電壓應力，都能夠得到比較好的效果。全球30A的開發過程證明，MOSFET的DS電壓應力較高的情況都是出現了硬開通。

但是，ZVS條件的獲得，有賴于精心的設計，和慎重的主電路、驅動電路參數選擇，及控制電路的配合。

如下圖所示，Vgs1為Q1驅動信號，Vgs2為Q2驅動信號，Ilr為諧振電流波形。

Q2在t0時刻關斷，電流在t1時刻反向，轉換為正值，因此，Q1必須在t1之前給出有效驅動信號，才能在電流反向為正時提供能量通路。

ZVS軟開關實現波形

但Q1是否能夠ZVS導通，取決于t0到t1時間段內圖示陰影部分Ilr和時間的積分，即這段時間電荷量，能否將Q1 結電容（或者外部附加電容）電荷抽走，并且將Q2結電容（或者外部附加電容）充到母線電壓。除此之外，考慮到變壓器的原邊繞組寄生電容，還要一部分能量來抽走變壓器原邊繞組寄生電容

上的電荷。也就是說，必須滿足下式：

如果開關管是MOSFET，并且MOSFET不并聯外接電容，只是利用它自身的結電容來實現ZVS，那么上兩式可變為：

上面將C

等同于

，這是因為MOSFET的結電容不是一個恒定電容，而是一個非線性電容，其容值是反比于其兩端電壓的平方根的。

之所以 與 有區別，是因為在工作頻率低于諧振頻率時，在t0時刻，因為勵磁電流近似恒定，變化率近似為零，因此變壓器的原邊電壓也近似為零，到t0時刻換向；而情況下，Q2關斷后主變立刻換向，因此從到，變壓器原邊繞組寄生電容的電荷轉移都由Q2關斷到Q1導通這段區間內的電流積分提供。

如下圖所示，在Vgs驅動到來時，電流已經反向，將待開通的開關管結電容充到一定電壓，喪失了ZVS條件。

ZVS軟開關條件喪失