【研究背景】
鋁金屬作為地殼中含量最豐富的金屬元素,具有低成本、高比容量以及高安全性的優(yōu)勢(shì),可充電鋁金屬電池(RABs)被認(rèn)為是最有前途的下一代電池候選者之一。然而,由于在RABs中負(fù)極側(cè)較低的實(shí)際循環(huán)容量,金屬鋁負(fù)極在沉積/溶解過程中存在的枝晶問題被嚴(yán)重低估。近日,中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)陳維教授課題組提出了一種構(gòu)建超薄親鋁界面層(AIL)的策略,以調(diào)節(jié)鋁金屬沉積的成核和生長(zhǎng)行為,從而在高面容量(50 mAh cm-2)下實(shí)現(xiàn)高度可逆和無(wú)枝晶的鋁金屬沉積/溶解。基于AIL負(fù)極與石墨正極所構(gòu)建的”無(wú)負(fù)極”鋁離子電池可穩(wěn)定循環(huán)1000圈以上。其成果以題為“Reversible, Dendrite-Free, High-Capacity Aluminum Metal Anode Enabled by Aluminophilic Interface Layer”在國(guó)際期刊Nano Letters上發(fā)表。本文共同第一作者為中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)碩士研究生孟亞寒、博士研究生王明明以及博士后李科,通訊作者為陳維教授,通訊單位為中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)。
【工作亮點(diǎn)】
(1)提出構(gòu)建超薄親鋁界面層(AIL)來(lái)調(diào)控鋁金屬的成核與生長(zhǎng)行為,從而實(shí)現(xiàn)在超高面容量下可逆、無(wú)枝晶的鋁沉積/溶解過程,本工作以在鈦箔上引入親鋁的Pt為例(Pt-AIL@Ti)。
(2)在50 mAh cm-2的高面容量下,構(gòu)建的AIL基底依然能夠?qū)崿F(xiàn)可逆的鋁沉積/溶解,這比之前的研究高了1-2個(gè)數(shù)量級(jí)。
(3)在10 mAh cm-2的高面容量下,鋁金屬在AIL基底上可以穩(wěn)定地發(fā)生沉積/溶解過程超過2000 h以上,平均庫(kù)倫效率高達(dá)99.9%。
(4)通過DFT、SEM、非原位XRD以及TEM對(duì)AIL的作用機(jī)理進(jìn)行探究,證實(shí)了親鋁的Pt為鋁的沉積提供了均勻的成核位點(diǎn),促進(jìn)了鋁在沉積過程的均勻成核以及生長(zhǎng),減少了非活性鋁的生成,這是實(shí)現(xiàn)高面容量下穩(wěn)定、可逆、無(wú)枝晶的鋁負(fù)極的關(guān)鍵。
(5)基于Pt-AIL為負(fù)極,石墨紙為負(fù)極的“無(wú)負(fù)極“全電池可以實(shí)現(xiàn)1000圈的穩(wěn)定循環(huán),容量保持率為80%。
圖1 AIL的設(shè)計(jì)原理以及機(jī)理示意圖。a, 示意圖; b, 吸附能計(jì)算; c, 差分電荷密度。
圖2 半對(duì)稱電池的電化學(xué)性能以及相關(guān)SEM。a, 成核過電位; b, 沉積/溶解極化; c, 沉積/溶解曲線; d, 循環(huán)穩(wěn)定性; e, 庫(kù)倫效率; f-m, SEM圖像以及對(duì)應(yīng)EDS mapping。
圖3 高面容量下半對(duì)稱電池的電化學(xué)性能。a, 不同電流的沉積/溶解曲線; b, 循環(huán)穩(wěn)定性; c, 庫(kù)倫效率; d, 不同面容量下的沉積/溶解曲線; e, 性能對(duì)比。
圖4 不同面容量下Al沉積在Pt-AIL@Ti上的SEM圖像。a-b, 10 mAh cm-2; c-d, 20 mAh cm-2; e-f, 30 mAh cm-2; g-j, 10 mAh cm-2的橫截面以及對(duì)應(yīng)EDS mapping。
圖5 Pt-AIL@Ti的作用機(jī)理驗(yàn)證。a-b, 非原位XRD; c-h, TEM以及相關(guān)EDS mapping。
審核編輯 :李倩
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原文標(biāo)題:?中科大陳維Nano Letters:親鋁界面層實(shí)現(xiàn)無(wú)枝晶、高面容量的鋁負(fù)極
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