通過(guò)電解水產(chǎn)生氫氣為轉(zhuǎn)換和儲(chǔ)存太陽(yáng)能或風(fēng)能等間歇性可再生能源提供了一種合適的途徑。然而,跨越析氫和析氧反應(yīng)(HER和OER)的能壘所需的高過(guò)電勢(shì)限制了電解水產(chǎn)氫的總體效率。貴金屬基電催化劑表現(xiàn)出最高的性能和優(yōu)異的耐久性,但這些催化劑的高成本和稀缺性不適合大規(guī)模實(shí)際應(yīng)用。盡管已經(jīng)開發(fā)出了基于地球豐富元素的過(guò)渡金屬氧化物、硫化物、硒化物和磷化物的替代貴金屬的HER和OER催化劑,但它們的性能仍然不理想。在這種情況下,出現(xiàn)了兩種高效的技術(shù),即:對(duì)地球豐富元素的催化劑進(jìn)行電子調(diào)諧以改善其固有限制(例如,低電導(dǎo)率,緩慢的活性),此外,Pt/Ir/Ru單原子與催化載體的耦合可以最大限度地提高效率,同時(shí)最大限度地減少貴金屬的使用。異質(zhì)結(jié)構(gòu)的合理設(shè)計(jì)和錨定單原子催化劑(SAC)是降低催化劑過(guò)電位的兩種成功策略,但實(shí)現(xiàn)這種具有足夠電子控制的先進(jìn)納米結(jié)構(gòu)仍具有挑戰(zhàn)性。
基于此,印度理工學(xué)院和韓國(guó)科學(xué)技術(shù)研究所的研究團(tuán)隊(duì)介紹了一種通過(guò)混合金屬氧化物/氫氧化物的硒化實(shí)現(xiàn)的邊緣取向硒化鉬(MoSe2)和鎳鈷硒化物(NiCo2Se4)的異質(zhì)結(jié)構(gòu)。所開發(fā)的片上片異質(zhì)結(jié)構(gòu)顯示出優(yōu)異的HER性能,需要89 mV的過(guò)電位即可獲得10 mA cm-2的電流密度,并且具有65 mV dec-1的低Tafel斜率。此外,得到的MoSe2@NiCo2Se4用單原子Ir進(jìn)行光化學(xué)修飾,在電化學(xué)表面重建中顯示出出色的OER活性,分別只需要200和313 mV的過(guò)電位即可獲得10和500 mA cm-2的電流密度。由MoSe2@NiCo2Se4作為陰極及其SAC-Ir修飾的對(duì)應(yīng)物作為陽(yáng)極組成的全電池電解槽僅需1.51 V即可達(dá)到10 mA cm-2電流密度。密度泛函理論計(jì)算揭示了合理異質(zhì)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和單原子Ir的協(xié)同電子耦合在HER和OER過(guò)程中的重要性。相關(guān)文章以“Impact of Atomic Rearrangement and Single Atom Stabilization on MoSe2@NiCo2Se4Heterostructure Catalyst for Efficient Overall Water Splitting”為題發(fā)表在Small。
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https://doi.org/10.1002/smll.202200622
圖1.形貌和成分表征:a) MoO3/Ni-Co(OH)2的FESEM圖像顯示片狀結(jié)構(gòu),b)MoSe2@NiCo2Se4異質(zhì)結(jié)構(gòu)顯示片上片結(jié)構(gòu)。c) MoSe2@NiCo2Se4的HRTEM圖像,d) MoSe2@NiCo2Se4的Cs校正HRTEM圖像。e) MoO3/Ni-Co(OH)2和MoSe2@NiCo2Se4的XRD圖。f) MoSe2@NiCo2Se4的拉曼光譜。g)超薄片狀(MoSe2)在片狀(NiCo2Se4)結(jié)構(gòu)上的異質(zhì)結(jié)構(gòu)示意圖。h) Ir-MoSe2@NiCo2Se4的HAADF-STEM圖像顯示明亮的單個(gè)Ir原子和i) Ir-MoSe2@NiCo2Se4的HAADFSTEM元素映射。
圖2.結(jié)構(gòu)表征:MoSe2@NiCo2Se4和Ir-MoSe2@NiCo2Se4的a) Co 2p、b) Ni 2p的高分辨率XPS光譜及其峰值擬合。c) MoSe2@NiCo2Se4的Mo 3d的高分辨率XPS光譜和d) Ir-MoSe2@NiCo2Se4的Ir 4f的高分辨率XPS光譜。e) Ir箔、IrO2和Ir-MoSe2@NiCo2Se4的歸一化XANES Ir L3邊和f)它們相應(yīng)的FT-EXAFS光譜。g) Ir-MoSe2@NiCo2Se4的FT-EXAFS擬合。
圖3.電化學(xué)HER性能:a) MoSe2@NiCo2Se4、MoO3/Ni-Co(OH)2和Pt/C在1 M KOH溶液中的iR校正后的HER極化曲線,b)不同催化劑的相應(yīng)Tafel圖。c)在1 M KOH溶液中,不同參考材料在10 mA cm-2電流密度下的過(guò)電位和Tafel斜率比較。d) -0.135 V vs RHE的24小時(shí)長(zhǎng)期計(jì)時(shí)電流測(cè)試。插圖顯示了穩(wěn)定性測(cè)試前后的LSV曲線。e) EIS曲線。f)與襯底上的非定向MoSe2相比,MoSe2垂直定向的優(yōu)勢(shì)。
圖4 a) Ir-MoSe2@NiCo2Se4、MoSe2@NiCo2Se4、MoO3/Ni-Co(OH)2和IrO2的iR補(bǔ)償后的OER極化曲線。b)不同催化劑達(dá)到10、100和500 mA cm-2所需過(guò)電勢(shì)的條形圖,c)相應(yīng)的Tafel圖。d) MoSe2@NiCo2Se4/Ir-MoSe2@NiCo2Se4在1.76 V下長(zhǎng)時(shí)間24小時(shí)的整體水分解計(jì)時(shí)電流測(cè)試,插圖顯示了其未進(jìn)行iR校正的極化曲線與參考Pt-C/IrO2兩電極系統(tǒng)的比較。e) MoSe2@NiCo2Se4/Ir-MoSe2@NiCo2Se4與先前報(bào)道的催化劑在10 mA cm-2時(shí)的電池電壓比較。f)使用自我可持續(xù)太陽(yáng)能電池進(jìn)行整體水分解的雙電極配置的數(shù)碼照片。
圖5. OER活化的Ir-NiCoOOH的a) Co 2p、b) Ni 2p和c) Ir 4f具有反卷積峰的高分辨率XPS光譜。Ir-NiCoOOH的d) TEM、e) HRTEM和f) HAADF-STEM圖像。g)表面重構(gòu)的Ir-MoSe2@NiCo2Se4和OER循環(huán)期間異質(zhì)結(jié)構(gòu)中MoSe2溶解的示意圖。
圖6.垂直擴(kuò)展層MoSe2@NiCo2Se4異質(zhì)結(jié)構(gòu)的DFT分析:a)不同層間距的垂直MoSe2中吸附的H*的吉布斯自由能變化。b)擴(kuò)展垂直MoSe2層的DOS(頂部),正常MoSe2表面的DOS(底部)。c)具有Mo邊緣的MoSe2@NiCo2Se4異質(zhì)結(jié)構(gòu)的原子構(gòu)型,Mo邊緣具有50 %和100 %的Se覆蓋率。這里,灰色、藍(lán)色、綠色和紫色原子分別代表Ni、Co、Se和Mo原子。d) H*在不同催化劑活性位點(diǎn)的吉布斯自由能。
圖7. a) Ir-NiCoOOH和b) NiCoOOH的PDOS。在這些圖中,費(fèi)米能級(jí)設(shè)置為零。c)不同OER基元步驟的Ir-NiCoOOH的優(yōu)化原子構(gòu)型和d) NiCoOOH和Ir-NiCoOOH催化劑上的OER基元步驟的自由能圖。e) Ir(001)上Ir位點(diǎn)的OER的吉布斯自由能分布。
綜上所述,通過(guò)水熱硒化和原位電化學(xué)活化制備了多級(jí)原子重排催化劑。硒化將混合金屬氧化物/氫氧化物(MoO3/Ni-Co(OH)2)納米片轉(zhuǎn)化為異質(zhì)結(jié)構(gòu),該異質(zhì)結(jié)構(gòu)包括在NiCo2Se4納米片上豎立的MoSe2納米片。這種異質(zhì)結(jié)構(gòu)具有出色的HER性能,在10 mA cm-2電流密度下的過(guò)電勢(shì)僅為89 mV,這與DFT計(jì)算支持的垂直和層間擴(kuò)展MoSe2結(jié)構(gòu)中吉布斯氫吸附的自由能顯著降低有關(guān)。此外,單原子銥(SAC-Ir)通過(guò)光化學(xué)過(guò)程與這種雜化物相連,在電化學(xué)表面重建過(guò)程中,它變成了高活性的OER催化劑。這種OER催化劑表現(xiàn)出優(yōu)異的性能,在10 mA cm-2電流密度下具有非常低的200 mV的過(guò)電勢(shì),以及42 mV dec-1的低Tafel斜率。
詳細(xì)的XPS、XANES、EXAFS和TEM研究顯示,在OER過(guò)程中,廣泛的原位表面重建從異質(zhì)結(jié)構(gòu)中溶解鉬,并將硒基轉(zhuǎn)化為Ni,Co-氫氧化物/羥基氧化物(NiCoOOH)。DFT計(jì)算表明,SAC-Ir拓寬了NiCoOOH費(fèi)米能級(jí)附近的電子態(tài)密度,發(fā)現(xiàn)SAC-Ir位點(diǎn)的決速步吉布自由能(O*-OOH*)非常低,從而導(dǎo)致Ir-NiCoOOH的高OER活性。MoSe2@NiCo2Se4作為陰極和Ir-NiCoOOH作為陽(yáng)極顯示出非常穩(wěn)定的整體水分解性能,只需1.51 V的電池電壓即可獲得10 mA cm-2的電流密度,這是該領(lǐng)域中最好的,包括基于SAC的系統(tǒng)。由于通用性,硒化誘導(dǎo)的原位異質(zhì)結(jié)構(gòu)和單原子連接的簡(jiǎn)便光化學(xué)過(guò)程都有望引發(fā)電催化劑廣泛領(lǐng)域的新發(fā)展。(文:暖陽(yáng))
審核編輯 :李倩
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