前面說(shuō)了一些MOS管的知識(shí)，就有同學(xué)留言說(shuō)能不能說(shuō)一下MOS管的一些簡(jiǎn)單使用場(chǎng)合和工作原理，那我們今天來(lái)簡(jiǎn)單說(shuō)一下，首先我們知道我們的電源從結(jié)構(gòu)來(lái)劃分的話，可以分為隔離型和非隔離型，那我們今天也將MOS所在的原理圖分為隔離和非隔離兩類來(lái)說(shuō)明。

下圖為不隔離的驅(qū)動(dòng)電路，電路常用小功率驅(qū)動(dòng)電路，簡(jiǎn)單可靠，成本低。

其中 R 為驅(qū)動(dòng)限流電阻，一般為數(shù) ? 到十幾 ? 左右，此電阻一般用作抑制呈現(xiàn) 高阻抗特性的驅(qū)動(dòng)回路可能產(chǎn)生的寄生振蕩，我們?cè)陔娐凡季€中，都會(huì)要求驅(qū)動(dòng)源與其要驅(qū)動(dòng)的柵極盡量靠近，這樣做的目的就是以盡量減少走線引進(jìn)的電感與驅(qū)動(dòng)回路各部分參數(shù)共同造成的諧振。穩(wěn)壓管可用于穩(wěn)定柵源電壓及提供關(guān)斷時(shí)的泄放回路。有的設(shè)計(jì)師僅用一個(gè)大阻值電阻來(lái)替代穩(wěn)壓管提供關(guān)斷泄放回路。 由于MOSFET為電壓型驅(qū)動(dòng)器件，當(dāng)其關(guān)斷時(shí)，漏源兩端的電壓的上升會(huì)通過(guò)結(jié)電容在柵源兩端產(chǎn)生干擾電壓，上圖電路不能提供負(fù)電壓，固其抗干擾性較差，如果有條件的話可以將其中的地?fù)Q成 -Vcc ，以提高抗干擾性及提高關(guān)斷速度。

下圖為隔離驅(qū)動(dòng)電路中：

圖中N3 為去磁繞組， S1 為要驅(qū)動(dòng)的功率管。R2 為防止功率管柵源電壓振蕩的 一個(gè)阻尼電阻。R1 為正激變換器的假負(fù)載，用于消除關(guān)斷期間輸出電壓發(fā)生振蕩而誤導(dǎo)通，并作為 MOSFET 關(guān)斷時(shí)的能量泄放回路。

該電路雖然簡(jiǎn)單，只需單電源即可啟動(dòng)，但由于變壓器副邊需要一個(gè)較大的防振蕩電阻，所以會(huì)導(dǎo)致該電路消耗較大；如果脈寬較窄時(shí)，由于儲(chǔ)存的能量減少導(dǎo)致 MOSFET 關(guān)斷速度變慢的缺點(diǎn)。

下圖為互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)，

V1 、V2 互補(bǔ)工作，電容 C 起隔離直流的作用 .

電路具有電氣隔離作用；該電路只需一個(gè)電源，隔直電容 C 的作用在關(guān)斷時(shí)提供一個(gè)負(fù)壓，從而加速了 功率管的關(guān)斷，有較高的抗干擾能力。

我們要注意當(dāng)占空比D 較小時(shí)，負(fù)電壓較小，正向電壓高，應(yīng)不要超過(guò)柵源允許電壓；當(dāng)占空比D 增大時(shí)，正向電壓降低，負(fù)電壓升高，應(yīng)使其負(fù)電壓不要超過(guò)柵源允許電壓。