這是基于音頻前置放大器的電路,具有非常低的噪聲。該電路使用一個(gè)FET和一個(gè)BJT。要放大的音頻信號(hào)使用電容C1和電阻R3耦合到FET Q1的基極。晶體管Q2的基極耦合到FET Q1的漏極。晶體管Q2提供額外的電流增益。最終信號(hào)將在Q2的收集器上提供。電容器C3提供必要的負(fù)反饋,從而提高穩(wěn)定性。電容器C2是輸出直流去耦電容器。由于在輸入級(jí)中使用FET,因此該特定的放大器電路具有非常高的帶寬(10 KHz-450 KHz)和輸入阻抗(約1M)。
電路圖。
筆記。
該電路可以組裝在 vero 板上。
使用 12V DC 為電路供電。
為了獲得最佳性能,輸入和輸出接地必須正確去耦。
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