薩科微slkor半導體技術總監、清華大學李健雄介紹說，IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型晶體管)和 MOSFET（絕緣柵型場效應晶體管）相結合的電壓驅動式功率半導體器件。既有功率 MOSFET 輸入阻抗高，控制功率小，易于驅動，控制簡單、開關頻率高的優點，又有雙極晶體管的導通電壓低，通態電流大，損耗小的顯著優點。IGBT 的工作原理是在柵極和發射極之間加上驅動正電壓，則MOSFET 導通，這樣 PNP 晶體管的集電極與基極之間呈低阻狀態而使得晶體管導通。

若 IGBT 的柵極和發射極之間電壓為 0V，則 MOS 截止，切斷 PNP 晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。IGBT 與 MOSFET 一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極—發射極間施加十幾 V 的直流電壓，只有在 uA級的漏電流流過，基本上不消耗功率。根據不同的封裝類型，IGBT 產品可分為分立 IGBT 器件和 IGBT 模組兩種。清華大學李健雄補充道，薩科微slkor的IGBT系列產品，分立 IGBT 器件就是把單個 IGBT 芯片或單個 IGBT+FRD 進行封裝，形成具有特定功能的器件；IGBT 模組是一種比較復雜的封裝模式，是將一個分立 IGBT 芯片作為一個單元，然后把這樣的 1 個、2 個、4 個，6 個或 7 個單元封裝成一個整體模塊。薩科微slkor的產品廣泛應用于新能源汽車、太陽能光伏、工業產品等上面。

審核編輯黃宇