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超低噪聲μModule降壓型穩(wěn)壓器滿足簡(jiǎn)單電源設(shè)計(jì)

星星科技指導(dǎo)員 ? 來(lái)源:ADI ? 作者:Judy Sun, Jian Yin, S ? 2023-04-08 11:25 ? 次閱讀

電源設(shè)計(jì)人員面臨許多權(quán)衡取舍。需要高效率、大轉(zhuǎn)換比、高功率和良好的熱性能?選擇開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器。需要低噪音?選擇線性穩(wěn)壓器。需要全部嗎?妥協(xié)。一種折衷方案是采用帶有線性穩(wěn)壓器的開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器。雖然相對(duì)于僅使用開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的解決方案,這樣可以清除輸出噪聲,但即使使用鐵氧體磁珠、π濾波器和LC濾波器,也會(huì)保留很大一部分傳導(dǎo)和輻射EMI。問(wèn)題總是可以追溯到開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器,其中快速dI/dt轉(zhuǎn)換和高開(kāi)關(guān)頻率會(huì)導(dǎo)致高頻EMI,但某些應(yīng)用,尤其是那些具有大轉(zhuǎn)換比的應(yīng)用,需要開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器。

幸運(yùn)的是,LTM4606 和 LTM4612 μModule 穩(wěn)壓器提供了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的優(yōu)勢(shì),同時(shí)保持了超低的傳導(dǎo)和輻射噪聲。這些μModule降壓穩(wěn)壓器旨在實(shí)現(xiàn)高功率密度并滿足EMC電磁兼容性)標(biāo)準(zhǔn)。集成的超低噪聲特性允許兩個(gè)器件通過(guò) CISPR 22 輻射發(fā)射限制的 B 類,從而消除了昂貴的 EMI 設(shè)計(jì)和實(shí)驗(yàn)室測(cè)試。有關(guān)這兩個(gè)部分的功能比較,請(qǐng)參見(jiàn)表 1。

特征 LTM4606 LTM4612
V在 4.5V 至 28V 5V 至 36V
V外 0.6V 至 5V 3.3V 至 15V
我外 6A 直流典型值,8A 峰值 5A 直流典型值,7A 峰值
符合 CISPR 22 B 類標(biāo)準(zhǔn) ? ?
輸出電壓跟蹤和裕量調(diào)節(jié) ? ?
鎖相環(huán)頻率同步 ? ?
±1.5% 總直流誤差 ? ?
電源良好輸出 ? ?
電流折返保護(hù) ? ?
并聯(lián)/均流 ? ?
低輸入和輸出折合噪聲 ? ?
超快瞬態(tài)響應(yīng) ? ?
電流模式控制 ? ?
編程軟啟動(dòng) ? ?
輸出過(guò)壓保護(hù) ? ?
15毫米×15毫米×2.8毫米 15毫米×15毫米×2.8毫米

兩款μModule穩(wěn)壓器均采用節(jié)省空間、扁平和熱增強(qiáng)型15mm×15mm×2.8mm LGA封裝,因此可以放置在印刷電路板底部的未使用空間上,以實(shí)現(xiàn)高精度負(fù)載點(diǎn)調(diào)節(jié)。這對(duì)于需要笨重冷卻系統(tǒng)的線性穩(wěn)壓器來(lái)說(shuō)是不可能的。幾乎所有支持元件都集成在μModule封裝中,因此布局設(shè)計(jì)相對(duì)簡(jiǎn)單,只需要幾個(gè)輸入和輸出電容

為了獲得更大的輸出功率,兩個(gè)器件可以很容易地并聯(lián),由于電流模式控制結(jié)構(gòu),輸出電流自動(dòng)共享。

采用超低噪聲μ模塊穩(wěn)壓器的簡(jiǎn)單電源設(shè)計(jì)

利用幾個(gè)外部輸入和輸出電容器,LTM4612 能夠提供 4.5A 的 DC 輸出電流,而 LTM4606 能夠提供 6A 的電流。LTM4612 的可編程輸出可在 3.3V 至 15V 輸入的 4.5V 至 36V 范圍內(nèi)精確調(diào)節(jié);LTM4606 能夠在一個(gè) 0.6V 至 5V 范圍內(nèi)產(chǎn)生 4.5V 至 28V 的電壓。通過(guò)電流模式控制和優(yōu)化的內(nèi)部補(bǔ)償,即使在面對(duì)顯著的負(fù)載瞬變時(shí),也能提供穩(wěn)定的輸出。

圖 1 示出了 LTM4606 的簡(jiǎn)化框圖,其輸入范圍為 4.5V 至 28V 和 2.5V/6A 輸出。圖2顯示了CCM模式下12V輸入電壓下的效率測(cè)試曲線。利用 LTM92 在 4606kHz 開(kāi)關(guān)頻率下運(yùn)行,在滿負(fù)載時(shí)可實(shí)現(xiàn)約 900% 的效率。

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圖1.LTM4606 的簡(jiǎn)化框圖 (LTM4612 與此類似)。只需幾個(gè)電容和電阻即可構(gòu)建完整的寬輸入范圍穩(wěn)壓器。

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圖2.LTM4606 在采用一個(gè) 12V 輸入時(shí)的效率。

圖3顯示了一個(gè)完整的18V–36V V在, 12V/4.5A V外采用 LTM4612 進(jìn)行設(shè)計(jì)。圖 4 顯示了效率。

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圖3.幾個(gè)電容器和電阻器完善了 18V–36V 輸入、12V/4.5A 輸出設(shè)計(jì)。

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圖4.圖3所示電路的效率。

兩款器件均具有良好的熱性能和較大的輸出負(fù)載電流。圖 5 示出了 LTM4606 的熱圖像,具有 24V 輸入和 3.3V 輸出 (在 6A 負(fù)載電流下)。最高外殼溫度僅為73.5°C,輸出功率為20W。

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圖5.LTM4606 的熱圖像具有 24V 輸入和 3.3V 輸出 (在 6A) 時(shí)。

兩者都包括許多內(nèi)置功能,例如可控軟啟動(dòng)、RUN 引腳控制、輸出電壓跟蹤和裕量調(diào)節(jié)、PGOOD 指示器、頻率調(diào)整和外部時(shí)鐘同步。通過(guò)向 DRV 施加外部柵極驅(qū)動(dòng)器電壓,可以進(jìn)一步提高效率抄送引腳,尤其是在高 V 時(shí)在應(yīng)用。可以啟用非連續(xù)模式操作以提高輕負(fù)載效率。

降低傳導(dǎo)電磁干擾

當(dāng)穩(wěn)壓器以高頻工作時(shí),開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的傳導(dǎo)輸入和輸出噪聲(又稱紋波)通常是一個(gè)問(wèn)題,這在空間受限的應(yīng)用中很常見(jiàn)。LTM4606 和 LTM4612 通過(guò)集成一個(gè)高頻電感器來(lái)降低輸入端的峰峰值紋波,如圖 6 所示。V處的外部輸入電容D和 V在引腳構(gòu)成高頻輸入π濾波器。這有效地減少了模塊和主輸入總線之間的導(dǎo)電EMI耦合。

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圖6.輸入π濾波器可降低高頻輸入噪聲。

由于大多數(shù)輸入均方根電流流入電容C3,電壓為VD引腳,C3應(yīng)具有足夠的容量來(lái)處理RMS電流。建議使用 10μF 陶瓷電容器。為了有效衰減EMI,請(qǐng)將C3放置在盡可能靠近V的位置D針。陶瓷電容器C2主要決定紋波噪聲衰減,因此可以改變電容器值以滿足不同的輸入紋波要求。僅當(dāng)輸入源阻抗受到長(zhǎng)電感引線或走線的影響時(shí),才需要C1。

由于這些μModule穩(wěn)壓器用于降壓電路拓?fù)?,因此由輸出電感L和電容C形成的低通濾波器外同樣可以降低傳導(dǎo)輸出EMI。

為了顯示這些μModule穩(wěn)壓器的相對(duì)噪聲衰減,將一個(gè)不具有低噪聲特性的類似模塊與LTM4606的輸入和輸出噪聲進(jìn)行比較,如圖7和圖8所示。兩個(gè)模塊均在 5V 輸入至 1.2V 輸出(5A)和阻性負(fù)載下進(jìn)行了測(cè)試。比較中使用相同的電路板布局和I/O電容器。結(jié)果表明,與圖4606所示的類似模塊相比,LTM10產(chǎn)生的輸入和輸出噪聲要低得多,峰峰值輸入噪聲降低了近3×輸出噪聲,輸出噪聲降低了7×以上。

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圖7.輸入和輸出噪聲與無(wú)低噪聲特性的同類μModule穩(wěn)壓器相同。

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圖8.LTM4606 μModule 穩(wěn)壓器的輸入和輸出噪聲明顯低于圖 7 中的穩(wěn)壓器。

圖 9 示出了采用 4612V V 電壓的 LTM24 的傳導(dǎo) EMI 測(cè)試結(jié)果在, 12V/5A V外,適用于 EMI 標(biāo)準(zhǔn) CISPR 25 5 級(jí)。該測(cè)試的輸入電容來(lái)自 4 × 個(gè) 10μF/50V 陶瓷和一個(gè) 150μF/50V 電解。

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圖9.LTM4612 的傳導(dǎo) EMI 測(cè)試通過(guò)了 EMI 標(biāo)準(zhǔn) CISPR 25 5 級(jí)。

降低輻射電磁干擾

開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器還會(huì)產(chǎn)生輻射EMI,這是由高效穩(wěn)壓器固有的高dI/dt信號(hào)引起的。輸入π濾波器有助于限制由直接模塊區(qū)域中的高 dI/dt 環(huán)路引起的輻射 EMI,但為了進(jìn)一步衰減輻射 EMI,LTM4606 和 LTM4612 包括一個(gè)用于 MOSFET 的優(yōu)化柵極驅(qū)動(dòng)器和一個(gè)噪聲消除網(wǎng)絡(luò)。

為了測(cè)試輻射EMI,在10米屏蔽室中測(cè)試了幾種設(shè)置,如圖10所示。為了確保低基線輻射噪聲,輸入端使用線性直流電源,輸出端采用阻性負(fù)載。通過(guò)電源直接向阻性負(fù)載提供直流電流來(lái)檢查基線噪聲?;€發(fā)射掃描結(jié)果如圖11所示。圖中有兩條跡線,一條用于接收天線的垂直和水平方向。

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圖 10.設(shè)置輻射發(fā)射掃描。

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圖 11.基線噪聲的輻射發(fā)射掃描(無(wú)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器模塊)。

圖 12 顯示了沒(méi)有集成低噪聲特性的 μModule 降壓穩(wěn)壓器 — 而不是 LTM4606 或 LTM4612 的峰值掃描結(jié)果。掃描結(jié)果表明,與基線噪聲水平相比,μModule開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器產(chǎn)生的噪聲低于350MHz。此處的輻射EMI不符合CISPR 22(準(zhǔn)峰值)輻射發(fā)射限制的B類。

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圖 12.沒(méi)有低噪聲特性的典型模塊的輻射發(fā)射峰值掃描。

相比之下,圖13顯示了低噪聲LTM4606模塊的峰值掃描結(jié)果。為了確保在不同工作條件下有足夠的裕量達(dá)到準(zhǔn)峰值限值,使用準(zhǔn)峰值測(cè)量檢查六個(gè)最高噪聲點(diǎn),如圖13表所示。結(jié)果表明,該器件的裕量比CISPR 12(準(zhǔn)峰值)輻射發(fā)射限值B級(jí)低22dBμV以上。

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圖 13.LTM4606 的輻射 EMI 測(cè)試通過(guò)了 EMI 標(biāo)準(zhǔn) CISPR 22 B 類。

頻率(
兆赫)
天線
極化
被測(cè)設(shè)備
方位角
(度)
天線
高度
(厘米)
未校正
幅度
(dBμV)
ACF
(分貝/米)
前置放大器
增益
(dB)
立方比
(分貝)
直流頻率
(分貝)
校正
幅度
(dBμV)
限值
(dBμV)
裕量
(分貝)
134.31 H 354 364 1.3 11.428 0 1.532 0 14.26 30 15.74
119.96 V 184 110 3.5 12.694 0 1.456 0 17.65 30 12.35
160.02 H 0 354 0.5 10.499 0 1.793 0 12.792 30 17.208
174.37 H 0 100 1.2 9.638 0 1.944 0 12.782 30 17.218
224.28 V 0 100 –1.87 10.586 0 2.044 0 10.76 30 19.24
263.63 H 0 371 –4.72 12.6 0 2.385 0 10.265 37 26.735

圖 14 顯示了 LTM4612 在 22V 下滿足 CISPR 24 輻射發(fā)射限值 B 類的結(jié)果在, 12V/5A V外.

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圖 14.LTM4612 的輻射 EMI 測(cè)試通過(guò)了 EMI 標(biāo)準(zhǔn) CISPR 22 B 類。

結(jié)論

LTM4606 和 LTM4612 μModule 穩(wěn)壓器提供了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的所有高性能優(yōu)勢(shì),但消除了噪聲問(wèn)題。超低噪聲優(yōu)化設(shè)計(jì)可產(chǎn)生輻射EMI性能,其裕量低于CISPR 22限制的B類,以簡(jiǎn)化噪聲敏感環(huán)境中的應(yīng)用。

卓越的熱性能進(jìn)一步簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì),從而實(shí)現(xiàn)高效率和緊湊的外形。扁平的 15mm × 15mm × 2.8mm 封裝幾乎包含所有支持元件——只需少量輸入和輸出電容即可完成設(shè)計(jì)。多個(gè)μModule穩(wěn)壓器可輕松并聯(lián)運(yùn)行,以獲得更大的輸出功率。這些器件的多功能性通過(guò)軟啟動(dòng)、RUN 引腳控制、輸出電壓跟蹤和裕量調(diào)節(jié)、PGOOD 指示器、頻率調(diào)整和外部時(shí)鐘同步等可選功能得到完善。

審核編輯:郭婷

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