電源設計人員面臨許多權衡取舍。需要高效率、大轉換比、高功率和良好的熱性能？選擇開關穩壓器。需要低噪音？選擇線性穩壓器。需要全部嗎？妥協。一種折衷方案是采用帶有線性穩壓器的開關穩壓器。雖然相對于僅使用開關穩壓器的解決方案，這樣可以清除輸出噪聲，但即使使用鐵氧體磁珠、π濾波器和LC濾波器，也會保留很大一部分傳導和輻射EMI。問題總是可以追溯到開關穩壓器，其中快速dI/dt轉換和高開關頻率會導致高頻EMI，但某些應用，尤其是那些具有大轉換比的應用，需要開關穩壓器。

幸運的是，LTM4606 和 LTM4612 μModule 穩壓器提供了開關穩壓器的優勢，同時保持了超低的傳導和輻射噪聲。這些μModule降壓穩壓器旨在實現高功率密度并滿足EMC（電磁兼容性）標準。集成的超低噪聲特性允許兩個器件通過 CISPR 22 輻射發射限制的 B 類，從而消除了昂貴的 EMI 設計和實驗室測試。有關這兩個部分的功能比較，請參見表 1。

兩款μModule穩壓器均采用節省空間、扁平和熱增強型15mm×15mm×2.8mm LGA封裝，因此可以放置在印刷電路板底部的未使用空間上，以實現高精度負載點調節。這對于需要笨重冷卻系統的線性穩壓器來說是不可能的。幾乎所有支持元件都集成在μModule封裝中，因此布局設計相對簡單，只需要幾個輸入和輸出電容。

為了獲得更大的輸出功率，兩個器件可以很容易地并聯，由于電流模式控制結構，輸出電流自動共享。

采用超低噪聲μ模塊穩壓器的簡單電源設計

利用幾個外部輸入和輸出電容器，LTM4612 能夠提供 4.5A 的 DC 輸出電流，而 LTM4606 能夠提供 6A 的電流。LTM4612 的可編程輸出可在 3.3V 至 15V 輸入的 4.5V 至 36V 范圍內精確調節;LTM4606 能夠在一個 0.6V 至 5V 范圍內產生 4.5V 至 28V 的電壓。通過電流模式控制和優化的內部補償，即使在面對顯著的負載瞬變時，也能提供穩定的輸出。

圖 1 示出了 LTM4606 的簡化框圖，其輸入范圍為 4.5V 至 28V 和 2.5V/6A 輸出。圖2顯示了CCM模式下12V輸入電壓下的效率測試曲線。利用 LTM92 在 4606kHz 開關頻率下運行，在滿負載時可實現約 900% 的效率。

圖1.LTM4606 的簡化框圖 （LTM4612 與此類似）。只需幾個電容和電阻即可構建完整的寬輸入范圍穩壓器。

圖2.LTM4606 在采用一個 12V 輸入時的效率。

圖3顯示了一個完整的18V–36V V在， 12V/4.5A V外采用 LTM4612 進行設計。圖 4 顯示了效率。

圖3.幾個電容器和電阻器完善了 18V–36V 輸入、12V/4.5A 輸出設計。

圖4.圖3所示電路的效率。

兩款器件均具有良好的熱性能和較大的輸出負載電流。圖 5 示出了 LTM4606 的熱圖像，具有 24V 輸入和 3.3V 輸出 （在 6A 負載電流下）。最高外殼溫度僅為73.5°C，輸出功率為20W。

圖5.LTM4606 的熱圖像具有 24V 輸入和 3.3V 輸出 （在 6A） 時。

兩者都包括許多內置功能，例如可控軟啟動、RUN 引腳控制、輸出電壓跟蹤和裕量調節、PGOOD 指示器、頻率調整和外部時鐘同步。通過向 DRV 施加外部柵極驅動器電壓，可以進一步提高效率抄送引腳，尤其是在高 V 時在應用。可以啟用非連續模式操作以提高輕負載效率。

降低傳導電磁干擾

當穩壓器以高頻工作時，開關穩壓器的傳導輸入和輸出噪聲（又稱紋波）通常是一個問題，這在空間受限的應用中很常見。LTM4606 和 LTM4612 通過集成一個高頻電感器來降低輸入端的峰峰值紋波，如圖 6 所示。V處的外部輸入電容D和 V在引腳構成高頻輸入π濾波器。這有效地減少了模塊和主輸入總線之間的導電EMI耦合。

圖6.輸入π濾波器可降低高頻輸入噪聲。

由于大多數輸入均方根電流流入電容C3，電壓為VD引腳，C3應具有足夠的容量來處理RMS電流。建議使用 10μF 陶瓷電容器。為了有效衰減EMI，請將C3放置在盡可能靠近V的位置D針。陶瓷電容器C2主要決定紋波噪聲衰減，因此可以改變電容器值以滿足不同的輸入紋波要求。僅當輸入源阻抗受到長電感引線或走線的影響時，才需要C1。

由于這些μModule穩壓器用于降壓電路拓撲，因此由輸出電感L和電容C形成的低通濾波器外同樣可以降低傳導輸出EMI。

為了顯示這些μModule穩壓器的相對噪聲衰減，將一個不具有低噪聲特性的類似模塊與LTM4606的輸入和輸出噪聲進行比較，如圖7和圖8所示。兩個模塊均在 5V 輸入至 1.2V 輸出（5A）和阻性負載下進行了測試。比較中使用相同的電路板布局和I/O電容器。結果表明，與圖4606所示的類似模塊相比，LTM10產生的輸入和輸出噪聲要低得多，峰峰值輸入噪聲降低了近3×輸出噪聲，輸出噪聲降低了7×以上。

圖7.輸入和輸出噪聲與無低噪聲特性的同類μModule穩壓器相同。

圖8.LTM4606 μModule 穩壓器的輸入和輸出噪聲明顯低于圖 7 中的穩壓器。

圖 9 示出了采用 4612V V 電壓的 LTM24 的傳導 EMI 測試結果在， 12V/5A V外，適用于 EMI 標準 CISPR 25 5 級。該測試的輸入電容來自 4 × 個 10μF/50V 陶瓷和一個 150μF/50V 電解。

圖9.LTM4612 的傳導 EMI 測試通過了 EMI 標準 CISPR 25 5 級。

降低輻射電磁干擾

開關穩壓器還會產生輻射EMI，這是由高效穩壓器固有的高dI/dt信號引起的。輸入π濾波器有助于限制由直接模塊區域中的高 dI/dt 環路引起的輻射 EMI，但為了進一步衰減輻射 EMI，LTM4606 和 LTM4612 包括一個用于 MOSFET 的優化柵極驅動器和一個噪聲消除網絡。

為了測試輻射EMI，在10米屏蔽室中測試了幾種設置，如圖10所示。為了確保低基線輻射噪聲，輸入端使用線性直流電源，輸出端采用阻性負載。通過電源直接向阻性負載提供直流電流來檢查基線噪聲。基線發射掃描結果如圖11所示。圖中有兩條跡線，一條用于接收天線的垂直和水平方向。

圖 10.設置輻射發射掃描。

圖 11.基線噪聲的輻射發射掃描（無開關穩壓器模塊）。

圖 12 顯示了沒有集成低噪聲特性的 μModule 降壓穩壓器 — 而不是 LTM4606 或 LTM4612 的峰值掃描結果。掃描結果表明，與基線噪聲水平相比，μModule開關穩壓器產生的噪聲低于350MHz。此處的輻射EMI不符合CISPR 22（準峰值）輻射發射限制的B類。

圖 12.沒有低噪聲特性的典型模塊的輻射發射峰值掃描。

相比之下，圖13顯示了低噪聲LTM4606模塊的峰值掃描結果。為了確保在不同工作條件下有足夠的裕量達到準峰值限值，使用準峰值測量檢查六個最高噪聲點，如圖13表所示。結果表明，該器件的裕量比CISPR 12（準峰值）輻射發射限值B級低22dBμV以上。

圖 13.LTM4606 的輻射 EMI 測試通過了 EMI 標準 CISPR 22 B 類。

圖 14 顯示了 LTM4612 在 22V 下滿足 CISPR 24 輻射發射限值 B 類的結果在， 12V/5A V外.

圖 14.LTM4612 的輻射 EMI 測試通過了 EMI 標準 CISPR 22 B 類。

結論

LTM4606 和 LTM4612 μModule 穩壓器提供了開關穩壓器的所有高性能優勢，但消除了噪聲問題。超低噪聲優化設計可產生輻射EMI性能，其裕量低于CISPR 22限制的B類，以簡化噪聲敏感環境中的應用。

卓越的熱性能進一步簡化了設計，從而實現高效率和緊湊的外形。扁平的 15mm × 15mm × 2.8mm 封裝幾乎包含所有支持元件——只需少量輸入和輸出電容即可完成設計。多個μModule穩壓器可輕松并聯運行，以獲得更大的輸出功率。這些器件的多功能性通過軟啟動、RUN 引腳控制、輸出電壓跟蹤和裕量調節、PGOOD 指示器、頻率調整和外部時鐘同步等可選功能得到完善。

審核編輯：郭婷