在開始這篇文章前，我們先了解一下什么是電子元器件。 電子元器件是電子元件和小型的機器、儀器的組成部分，其本身常由若干零件構成，可以在同類產(chǎn)品中通用;常指電器、無線電、儀表等工業(yè)的某些零件，如電容、晶體管、游絲、發(fā)條等子器件的總稱，常見的有二極管等。 通俗點來說，用于制造或組裝電子整機用的基本零件可以被稱為元器件，元器件是電子電路中的獨立個體。

常用電子元器件的識別

一、電阻

電阻器我們習慣稱之為電阻，是電子設備中最常應用的電子元件之一，電阻在電路中用“r”加數(shù)字表示，如：r13表示編號為13的電阻。電阻在電路中的主要作用為分流、限流、分壓、偏置、濾波（與電容器組合使用）和阻抗匹配等。

參數(shù)識別：電阻的單位為歐姆（Ω），倍率單位有：千歐（kΩ），兆歐（MΩ）等。換算方法是：1兆歐（mΩ）=1000千歐（kΩ）=1000000歐 電阻的參數(shù)標注方法有3種，即直標法、色標法和數(shù)標法。 1.數(shù)標法主要用于貼片等小體積的電路，如：472 表示 47×100Ω=即4.7k；103 表示10000Ω（10后面加三個0）也就是10kΩ 2.色環(huán)標注法使用最多，第一道色環(huán)表示阻值的最大一位數(shù)字，第二道色環(huán)表示第二位數(shù)字，第三道色環(huán)表示阻值未應該有幾個零，第四道色環(huán)表示阻值的誤差。

電阻的色標位置和倍率關系如下表所示：

二、電容

電容是由兩片金屬膜緊靠，中間用絕緣材料隔開而組成的元件。電容在電路中一般用“c”加數(shù)字表示，如c223表示編號為223的電容電容的特性主要是隔直流通交流。

電容器的主要參數(shù)也有兩個，標稱電容量和允許誤差。

1、標稱電容量，指電容器上標注的電容量，電容容量的大小就是表示能貯存電能的大小，電容對交流信號的阻礙作用稱為容抗，它與交流信號的頻率和電容量有關。

容抗xc=1/2πf c

(f表示交流信號的頻率，c表示電容容量)

識別方法：電容的識別方法與電阻的識別方法基本相同，也分直標法、色標法和數(shù)標法三種。電容的基本單位用法拉（f）表示，其它單位還有：毫法（mf）、微法（uf）、納法（nf）、皮法（pf）。其中，1法拉=10^3毫法=10^6微法=10^9納法=10^12皮法

直標法：容量大的電容其容量值在電容上直接標明，如2200 uf/10v

字母表示法：152m=1500pf

數(shù)字表示法：一般用三位數(shù)字表示容量大小，前兩位表示有效數(shù)字，第三位數(shù)字是倍率。如：10^2表示10×10^2pf=1000pf

2、允許誤差分三級，同于電阻器誤差的表示方法。微調(diào)電容器和可變電容器標出了它的電容量的最小值和最大值，如7／270p

三、電感

電感線圈是將絕緣的導線在絕緣的骨架上繞一定的圈數(shù)制成。直流可通過線圈，直流電阻就是導線本身的電阻，壓降很小；當交流信號通過線圈時，線圈兩端將會產(chǎn)生自感電動勢，自感電動勢的方向與外加電壓的方向相反，阻礙交流的通過，所以電感的特性是通直流阻交流，頻率越高，線圈阻抗越大。電感在電路中可與電容組成振蕩電路。

電感在電路中常用“L”加數(shù)字表示，如：L3表示編號為3的電感。

電感一般有直標法和色標法，色標法與電阻類似。電感的基本單位為：亨（h） 換算單位有：1h=10^3mh=10^6uh。

四、二極管

二極管又稱晶體二極管,簡稱二極管(diode)，另外，還有早期的真空電子二極管；它是一種具有單向傳導電流的電子器件。在半導體二極管內(nèi)部有一個PN結兩個引線端子，這種電子器件按照外加電壓的方向，具備單向電流的轉導性。一般來講，晶體二極管是一個由p型半導體和n型半導體燒結形成的p-n結界面。在其界面的兩側形成空間電荷層，構成自建電場。當外加電壓等于零時，由于p-n 結兩邊載流子的濃度差引起擴散電流和由自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)，這也是常態(tài)下的二極管特性。

五、三極管 三極管， 也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導體器件。其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號，也用作無觸點開關。 三極管是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導體基片上制作兩個相距很近的PN結，兩個PN結把整塊半導體分成三部分，中間部分是基區(qū)，兩側部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)，排列方式有PNP和NPN兩種。

六、MOSFET管 mos管是金屬(metal)-氧化物(oxide)-半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬-絕緣體(insulator)-半導體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。 場效應管通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導體(MOS)晶體管，或,金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)。因為MOS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應用場合取代了雙極型晶體管。

編輯：黃飛