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對于H6橋拓撲的單相逆變器是選擇IGBT還是MOSFET功率開關管呢?

廣州飛虹半導體 ? 來源:廣州飛虹半導體 ? 2023-04-11 10:10 ? 次閱讀

對于這個問題其實市場上在應用中已經有比較好的答案,目前在H6橋拓撲的單相光伏逆變器中經常會用到FGH60N60SMD的IGBT單管。

但由于目前IGBT市場的變化以及產品產能的穩定性問題,對于廠家都在考慮如何選擇能代換FGH60N60SMD的型號參數的IGBT單管來應用呢?在國內有有比較好的IGBT能替代該型號參數的嗎?

以上問題對于任何一家基于H6橋的單相光伏逆變器廠家而言都是重要的。今天飛虹電子就來回答對于基于H6橋的單相光伏逆變器,要使用什么IGBT型才能適配電路這一問題。

對于基于H6橋的單相光伏逆變器,我們推薦使用飛虹電子的FHA60T65A。畢竟FHA60T65A是可以代換FGH60N60SMD等IGBT的產品型號參數。

為什么?因為FHA60T65A擁有反向并行的快恢復二極管特性、高可靠性,Trench Field Stop technology(拖尾電流非常短、出色的Vcesat飽和壓降、關斷損耗低)、擁有正溫度系數。

在特點中可知,這一款60A、650V電流、電壓的FHA60T65A型號IGBT單管參數是很適合使用在基于H6橋的單相光伏逆變器的電路上。

目前在應用中,我們基于H6橋的單相光伏逆變器研發工程師一定要了解優質FHA60T65A國產型號的詳細參數:其具有60A, 650V, VCEsat典型值:1.75V,<2.0V;IC (Tc=100℃):60A;Bvces:650V;IF (Tc=25℃):60A;IF (Tc=100℃):30A。

FHA60T65A是一款N溝道溝槽柵截止型IGBT,使用Trench Field stop Ⅱ technology 和通過優化工藝,來獲得極低的 VCEsat 飽和壓降,并在導通損耗和關斷損耗(Eoff)之間能做出來良好的權衡。

目前FHA60T65A型號IGBT單管已經廣泛適用于基于H6橋的單相光伏逆變器、高頻車載正玄波AC220V逆變器、光伏逆變器、戶外儲能電源、UPS、變頻器、電焊機和工業縫紉機等各類硬開關??商娲渌?a target="_blank">品牌型號:FGH60N60SMD。

FHA60T65A的封裝形式是TO-247,其具有60A, 650V, VCEsat典型值:1.75V,<2.0V;IC (Tc=100℃):60A;Bvces:650V;IF (Tc=25℃):60A;IF (Tc=100℃):30A。

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因此對于選取單相光伏逆變器所需功率開關管(IGBT 或MOSFET) ,由于高頻開關管的開關頻率為20KHZ。所以為減少損耗、提高整機效率,應選取EON/EOFF較小的開關管,同時驅動電路也應相應優化,減少開關損耗。

基于H6橋的單相光伏逆變器已經廣泛應用于光伏逆變器中。因此對于基于H6橋的單相光伏逆變器如何在元器件上面提升產品質量,除選用FGH60N60SMD型號外,還可以用FHA60T65A型號參數來替代。







審核編輯:劉清

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原文標題:代換FGH60N60SMD,FHA60T65A參數在H6橋的單相光伏逆變器中適配使用!

文章出處:【微信號:廣州飛虹半導體,微信公眾號:廣州飛虹半導體】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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