引言
干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭論是微電子制造商在項目開始時必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應(yīng)在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來制作電子芯片，是液體（濕法蝕刻）還是氣體（干法蝕刻）。本文將深入探討什么是干法和濕法蝕刻工藝、它們的應(yīng)用以及這些工藝中涉及的各種方法。

蝕刻清晰度

蝕刻是一種制造技術(shù)，用于去除材料或零件的層或切片，包括半導體、聚合物和金屬。它可以采用化學腐蝕、電化學電解，甚至機械拋光技術(shù)。

因此，可以使用不同類型的蝕刻工藝，這取決于所需的制造結(jié)果。不同應(yīng)用的程序在蝕刻化學品、過程中使用的溫度和暴露時間方面可能會有很大差異。以及還有安全問題，因為濕蝕刻化學品的冷凝如果沒有得到充分解決可能會成為一個嚴重的問題。對于制造商來說，適當注意液體浸泡或蒸汽后使用的清潔溶劑也很重要。（江蘇英思特半導體科技有限公司）

蝕刻注意事項和性能參數(shù)

蝕刻速率——蝕刻發(fā)生的速度，或單位時間內(nèi)蝕刻的厚度。它通常以 μm/min 或 nm/min（微米每分鐘或納米每分鐘）為單位測量。

選擇性——兩種蝕刻速率的比率，表示為 R1/R2。在比較蝕刻劑和材料的蝕刻速率時，這是一個有用的參數(shù)。在為特定過程定義或選擇掩模時，這一點至關(guān)重要。

蝕刻均勻性——整個一個零件、多個零件或多批零件的蝕刻速率變化。它被定義為最大蝕刻速率和最小蝕刻速率減去兩者的加法。

各向異性——定義為蝕刻方向性，意味著當 A=0 時，蝕刻被認為是各向同性的，而當 A=1 時，該過程是完全各向異性的。（江蘇英思特半導體科技有限公司）

濕法蝕刻是一種使用液體溶液（通常稱為液相蝕刻劑）去除材料或部件（例如硅晶片）的層或部分的技術(shù)。該工藝廣泛用于半導體制造中的晶圓制造和處理。使用它的主要優(yōu)點是能夠在零件范圍內(nèi)進行表面去除。蝕刻材料（或表面）中的固有雜質(zhì)尤其受歡迎，并且可以通過液相蝕刻劑提供。

使用這些蝕刻劑會導致材料腐蝕，而這種腐蝕是通過掩模控制的。掩模是可以抵抗蝕刻過程的硬化材料，非常適合調(diào)整通道的角度和形狀。

然而，蝕刻深度由蝕刻持續(xù)時間和速率控制，而溝道寬度可以通過掩模開口加上溝道深度的兩倍來合理估計。一些掩模材料包括金、鈦、鉻、氧化物和氮化物，這取決于要進行蝕刻的材料（例如，金屬或硅作為蝕刻片）。（江蘇英思特半導體科技有限公司）

一般來說，在濕法蝕刻中，工程師會使用氫氟酸、硝酸、磷酸、鹽酸等物質(zhì)。使用這些蝕刻劑的優(yōu)點與其腐蝕性有關(guān)。

濕蝕刻有兩種不同的技術(shù)：

浸漬法是指將零件放入裝滿上述類型化學溶液的罐中。這被認為是“經(jīng)典的”濕法蝕刻方法——涉及化學浴的方法。

江蘇英思特半導體科技有限公司主要從事濕法制程設(shè)備，晶圓清潔設(shè)備，RCA清洗機，KOH腐殖清洗機等設(shè)備的設(shè)計、生產(chǎn)和維護。

審核編輯黃宇