近年來碳化硅材料應用于電子設備技術有了長足的發展，碳化硅材料比通用硅有更突出的優點，這主要歸功于碳化硅材料比通用的材料有更高的電場擊穿電壓、更快的電荷移動速度和更寬的能帶間隙，且碳化硅材料導熱能力是硅的2～3倍。用碳化硅制成的肖特基二極管具有正溫度系數及反向恢復時間接近零的特點，使得在PFC電路（功率因數校正）上的MOSFET開通損耗減少，效率得到進一步的提升。

PFC電路

基本半導體碳化硅功率器件憑借其優良的性能，常用于大功率元器件中，其碳化硅的寬禁帶 (3.26eV)、高臨界場(3×106 V/cm)和高導熱系數(4.9W/cm·K)使得功率半導體器件效率更高，運行速度更快，并且在設備的成本、體積、重量等方面都得到了降低。基本半導體碳化硅肖特基二極管B1D06065KS的重復（非重復）峰值反向電壓為650V，工作結溫范圍是-55℃-175℃，完全滿足PFC的電路環境。

在大功率PFC電路中，二極管可能需要并聯使用以擴大容量，器件的電流均勻分配問題需要考慮，二極管的前向電壓和導通電阻的特性是關鍵。B1D06065KS所特有的正溫度系數的特性能保證器件并聯時的均流要求。

假設由于某些原因，兩個二極管出現電流不均勻的狀態，其中一個二極管分配的電流較大，則它的導通電阻、正向壓降就相應的增大，阻礙電流的進一步增大，從而促進電流的再一次分配最后達到電流平衡狀態。

碳化硅肖特基二極管B1D06065KS提供內絕緣TO-220封裝封裝，是在內部集成一個陶瓷片用于絕緣和導熱，該工藝可以簡化生產步驟，提高生產質量和整機的長期可靠性，可有效解決產業界痛點的絕緣和導熱問題。內絕緣 TO-220 封裝外形跟普通鐵封TO-220產品基本一致，但其背面散熱器不再是二極管的陰極，屬于懸浮電位，具有優越的性能和極高的工作效率。