大家可能并不陌生MOS管,由于MOS管不具備防靜電、防浪涌,ESD靜電和浪涌無處不在,存在于任何的電子產品中,令人防不勝防。
然而MOS管卻又是一個ESD靜電極具敏感器件,它本身的輸入電阻很高。而柵-源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電;又因在靜電較強的場合難于泄放電荷,容易引起靜電擊穿。
究竟該如何解決MOS管被ESD擊穿的改善方法?
想知道的,閱讀完下文,你必有所得。
MOS管本身的輸入電阻很高,而柵源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電,而少量電荷就可在極間電容上形成相當高的電壓(U=Q/C),將管子損壞。
雖然MOS管輸入端有抗靜電的保護措施,但仍需小心對待,在存儲和運輸中最好用金屬容器或者導電材料包裝,不要放在易產生靜電高壓的化工材料或化纖織物中。
組裝、調試時,工具、儀表、工作臺等均應良好接地。要防止操作人員的靜電干擾造成的損壞,如不宜穿尼龍、化纖衣服,手或工具在接觸集成塊前最好先接一下地。對器件引線矯直彎曲或人工焊接時,使用的設備必須良好接地。
MOS管電路輸入端的保護二極管,其通時電流容限一般為1mA,在可能出現過大瞬態輸入電流(超過10mA)時,應串接輸入保護電阻。因此應用時可選擇一個內部有保護電阻的MOS管應。
還有由于保護電路吸收的瞬間能量有限,太大的瞬間信號和過高的靜電電壓將使保護電路失去作用。所以焊接時電烙鐵必須可靠接地,以防漏電擊穿器件輸入端,一般使用時,可斷電后利用電烙鐵的余熱進行焊接,并先焊其接地管腳。
MOS管是電壓驅動元件,對電壓很敏感,懸空的G很容易接受外部干擾使MOS管導通,外部干擾信號對G-S結電容充電,這個微小的電荷可以儲存很長時間。
在試驗中G懸空很危險,很多就因為這樣爆管,G接個下拉電阻對地,旁路干擾信號就不會直通了,一般可以10~20K。
這個電阻稱為柵極電阻:
作用1 為場效應管提供偏置電壓;
作用2 起到瀉放電阻的作用(保護柵極G~源極S)。
第一個作用好理解,這里解釋一下第二個作用的原理:保護柵極G~源極S:場效應管的G-S極間的電阻值是很大的,這樣只要有少量的靜電就能使他的G-S極間的等效電容兩端產生很高的電壓,如果不及時把這些少量的靜電瀉放掉,他兩端的高壓就有可能使場效應管產生誤動作,甚至有可能擊穿其G-S極;這時柵極與源極之間加的電阻就能把上述的靜電瀉放掉,從而起到了保護場效應管的作用。
審核編輯:湯梓紅
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原文標題:如何改善MOS管被ESD擊穿的問題
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