成本效益關(guān)系非常復雜而且變化無常,電力工程師很難將其量化。本文介紹了 SiC 半導體如何成為基于持續(xù)改進并比舊有技術(shù)更具成本競爭力的解決方案。
UnitedSiC 是一家領(lǐng)先的碳化硅 (SiC) 功率半導體制造商,它的加入促使 Qorvo 將業(yè)務(wù)擴展到電動汽車 (EV)、工業(yè)電源、電路保護、可再生能源和數(shù)據(jù)中心電源等快速增長的市場。
對環(huán)境效率和能源效率的追求推動了有關(guān) SiC-FET 的設(shè)計決策。
摘要
隨著電動汽車、可再生能源和 5G 等領(lǐng)域的創(chuàng)新步伐不斷加快,為滿足消費者和行業(yè)的需求,越來越多的工程師也在尋求全新解決方案,并對技術(shù)提出了更高的要求。SiC 半導體是可以滿足這些需求的優(yōu)選方案,其本身也在不斷改進,能提供比舊技術(shù)更具成本競爭力的性能。
作為一種相對較新的顛覆性創(chuàng)新技術(shù),SiC 在首次商業(yè)化時的售價必然是高昂的,盡管大多數(shù)工程師明知 SiC 比硅基產(chǎn)品(如 IGBT 和 Si-MOSFET)更具有潛在優(yōu)勢,但仍會將其置于 “可有可無” 清單的末端。然而,隨著 SiC 價格的不斷下跌,及其性能的不斷改進,SiC 的可靠性得到了證明,在工程師心中的地位也不斷提升,如今已成為現(xiàn)有舊技術(shù)部件的替代品和新設(shè)計的切入點。
SiC 的使用取決于具體應(yīng)用。太陽能和電動汽車工程師率先采用了該技術(shù),因為提高效率一直是其所在領(lǐng)域高度優(yōu)先的考慮因素。但隨著晶圓成本的降低、性能的提高、節(jié)能的價值以及相關(guān)組件成本的降低,更廣泛應(yīng)用領(lǐng)域的工程師實在是沒有理由不做出點改變了。
圖 1:SiC 系統(tǒng)成本低于 IGBT 解決方案
SiC 的固有優(yōu)勢不少,比如具有較高的臨界擊穿電壓、較高的工作溫度、出色的導通電阻,還兼具晶粒面積小巧、開關(guān)損耗品質(zhì)因數(shù)較佳、開關(guān)速度快等優(yōu)點。使用常閉共源共柵的 UnitedSiC “第 3 代” SiC-FET 最新器件進一步擴大了應(yīng)用范圍。對于 1200V 和 650V 器件,我們 UF 系列的最新產(chǎn)品具有同類最低的導通電阻,分別小于 9 毫歐和 7 毫歐。該系列器件具有低損耗的體二極管效應(yīng),在過電壓和短路情況下能保持固有的穩(wěn)健性,且與 Si-MOSFET 或 IGBT 一樣易于驅(qū)動。事實上,使用 TO-247 封裝后,這些器件可以作為多數(shù) Si-MOSFET 或 IGBT 部件的簡易替換器件,為您即時實現(xiàn)性能提升。針對新設(shè)計,UnitedSiC 還推出了低電感、熱性能增強型 DFN8x8 封裝,該封裝利用了 SiC-FET 的高頻功能。
圖 2:SiC FET 柵極驅(qū)動兼容現(xiàn)有技術(shù),具有出色的柵極保護功能
“遠見者” 在價值方程式中加入了用戶和環(huán)境效益,且出于系統(tǒng)節(jié)能的考慮,他們越來越傾向于使用 SiC-FET 進行設(shè)計。我們能做的事情還有很多。如果我們圍繞 SiC-FET 進行系統(tǒng)設(shè)計,就可以在避免顯著降低效率的情況下,提高開關(guān)頻率,甚至可以消除分立式整流二極管和緩沖器網(wǎng)絡(luò)等組件。
此外其他相關(guān)組件(如散熱器、電感/變壓器和電容)的尺寸、重量和成本也會隨之減少。在極端情況下,甚至可以去除本身效率低下的整個冷卻系統(tǒng),從而可以節(jié)省更多成本。尤其是在電動汽車牽引逆變器應(yīng)用中,效率的提升更是一個良性循環(huán)。因為基于 SiC 的逆變器使用了更輕巧的組件,所以電池充電后的續(xù)航時間變得更長了,這也進一步延長了車輛的行駛里程。
SiC 技術(shù)仍在不斷發(fā)展,并有望進一步提升性能。在下一代產(chǎn)品中,導通電阻將隨著開關(guān)損耗的減少進一步降低,額定電壓也將提高,晶圓尺寸將進一步縮小,且產(chǎn)量將得以提高,從而實現(xiàn)成本降低。未來也將會出現(xiàn)更多的變型版本,并提供更廣泛的封裝選項,以適用于更高電壓和功率水平的應(yīng)用。
Oscar Wilde 還說過:“成功是一門科學;如果具備相應(yīng)的條件,就可以獲得相應(yīng)的結(jié)果”。目前的條件非常適合 SiC,而且只會越來越好。在計算價值時,不使用 UnitedSiC 產(chǎn)品進行創(chuàng)新的成本可能會讓您大吃一驚。
審核編輯:劉清
-
半導體
+關(guān)注
關(guān)注
334文章
27515瀏覽量
219793 -
IGBT
+關(guān)注
關(guān)注
1267文章
3808瀏覽量
249327 -
FET
+關(guān)注
關(guān)注
3文章
634瀏覽量
63007 -
SiC
+關(guān)注
關(guān)注
29文章
2841瀏覽量
62724
原文標題:SiC,為何是大勢所趨?
文章出處:【微信號:Qorvo_Inc,微信公眾號:Qorvo半導體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
評論