文章的開頭，我想說：不要迷戀極限值，因為它可能只是個傳說。

每個MOSFET的datasheet都有一個極限值（有時也叫最大定格）表格，如果元件工作在極限值以外，將會導致元件立即損壞或是壽命降低。在下圖中可以明顯地看到每個值都是有相對應的測試條件的，這一點很重要，這在告訴我們離開了這些供應商規定的測試條件，是很可能達不到列出的極限值，而且將不再受到質量保證。如漏極峰值電流IDM的極限值為211A，但是他的測試條件是焊接襯底的溫度Tmb為25℃，這幾乎在實際應用中是不可能出現的。

那么極限值表格到底有沒有意義呢？答案是肯定的。一方面它表征了元件的最大性能，另一方面給我們在元件橫向比較時提供了便利。

國際電工組織IEC在1961年發布了關于電子管和類似半導體器件的額定值體系的標準IEC60134，標準中規定了元件生產商多指定極限值的同一的標準方法，既然目前所有的供應商都會遵守這一標準，那么在元件選型時的橫向參數比較就是有意義的。

那么讓我們來詳細解讀下極限值表格中的參數：

VDS（漏極和源極間電壓）--結合點溫度Tj在規定的25℃-175℃范圍內，MOSFET元件處于非導通狀態時，漏極和源極兩端能夠保證承載的最大電壓值。

VDGR（漏極和柵極間電壓）--在Rgs=20kR時所測得的值，通常和VDS是一樣的。

VGS（柵極和源極間電壓）--在規定的溫度范圍Tj<175℃下，元件柵極和源極兩端能夠承載的最大電壓值。

Ptot（總功率損耗）--在焊接襯底維持在25℃時，元件結合點溫度達到最大175℃ 時所需要的最大功率。

ID（漏極電流）--在不同的柵極電壓VGS和焊接襯底溫度Tmb的測試條件下，元件所能承載的最大電流值。

IDM（漏極峰值電流）--在10us或更短的脈沖控制下，元件所能承載的最大的漏極電流值。

Tstg（儲存溫度）--是指不影響器件可靠性的可以存儲的溫度范圍。

Tj（結合點溫度）--是指器件的的工作溫度范圍，超出這個溫度器件將會損壞失效或是壽命縮短。

IS（源極電流）--在焊接襯底Tmb為25℃時，MOSFET中體二極管所能流過最大電流值。

ISM（源極峰值電流）--在10us或更短的脈沖控制下，MOSFET中體二極管所能承載的最大的電流值。

EDS(AL)S（非重復性的漏極源極間的雪崩能量）--在特定的測試條件下，器件可以承載的單詞的最大的電壓脈沖能量值。也就是說這個雪崩能量可以使器件的結合點溫度從開始時的Tj(int)=25℃上升到175℃。

可以說，以上的每個參數的給出都是依賴于特定的測試條件的。同時datasheet中也給出了一些隨因素變化的曲線圖，實際設計應用時，可以查表得到自己的應用情況。

綜上所述，對極限值表格中的數值一定要謹慎對待，高度注意對應的測試條件，避免出現超過極限值范圍使用的情況，并且要留有一定的設計余量。

以上的內容希望對大家有所幫助，也希望大家給予反饋和指正，互相交流，共同進步！