概述

ME8327 是一款滿足六級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)原邊反饋準(zhǔn)諧振模式的小功率 AC/DC 電源控制芯片。內(nèi)部集成了 650V,2A 的高壓功率 MOS 管，最大功率 10W，用于充電器，適配器和 LED 驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域。實(shí)現(xiàn)±5%的恒壓恒流精度和小于 100mW 的待機(jī)功耗。在恒壓模式下內(nèi)置了線電壓補(bǔ)償功能。采用準(zhǔn)諧振控制，實(shí)現(xiàn)高效率和良好的 EMI 性能，滿足六級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)要求。該芯片集成了諸多保護(hù)功能，包括：VDD 欠壓保護(hù)(UVLO)，VDD 過(guò)壓保護(hù)，軟啟動(dòng)，逐周期過(guò)流保護(hù)，所有管腳浮空保護(hù)，內(nèi)置前沿消隱，VDD 電壓鉗位保護(hù)，過(guò)溫保護(hù)，等等。

特點(diǎn)

● 效率滿足六級(jí)能效要求

● 原邊反饋(PSR)準(zhǔn)諧振（QR）控制技術(shù)實(shí)現(xiàn)高效率，無(wú)需光耦和ME431

● ±5%恒壓恒流精度

● 待機(jī)功耗小于100mW

● 內(nèi)置650V高壓MOSFET功率管

● 最大功率10W

● 恒壓模式下內(nèi)置線壓降補(bǔ)償(Cable drop compensation)

● 內(nèi)置軟啟動(dòng)

● 所有管腳浮空保護(hù)

● 輸出過(guò)壓保護(hù)

● 逐周期電流限制

● 內(nèi)置前沿消隱(Leading edge blanking)

● VDD欠壓保護(hù)(UVLO)，過(guò)壓保護(hù)及鉗位

● 過(guò)溫保護(hù)

應(yīng)用

● 充電器

● 適配器

● LED照明

有需要樣品或詳細(xì)資料內(nèi)容可+V:runzexin-18

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ME8327 是一款原邊反饋準(zhǔn)諧振模式的 AC/DC 電源控制芯片，內(nèi)部集成了 650V 的高壓功率 MOS 管，用于充電器，適配器和 LED 驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域。實(shí)現(xiàn)±5%的恒壓恒流精度和小于 100mW 的待機(jī)功耗。在恒壓模式下內(nèi)置了線電壓補(bǔ)償功能。采用準(zhǔn)諧振控制，實(shí)現(xiàn)高效率和良好的 EMI 性能，滿足六級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)要求。

啟動(dòng)

ME8327 的啟動(dòng)電流非常低，所以 VDD 端電容電壓可以很快充至開(kāi)啟電壓。啟動(dòng)電路中可以使用一個(gè)大阻值的電阻，在滿足啟動(dòng)要求的同時(shí)，減小工作時(shí)的損耗。

工作電流

ME8327 的工作電流低至 1mA(典型值)，所以 VDD 啟動(dòng)電容可以取更小值，同時(shí)可以提高系統(tǒng)轉(zhuǎn)換效率。

原邊準(zhǔn)諧振控制

ME8327 采用原邊反饋準(zhǔn)諧振工作模式，大大降低系統(tǒng)成本，實(shí)現(xiàn)高效率和良好的 EMI 性能。芯片在恒壓和恒流工作時(shí)，采用谷底導(dǎo)通，減小開(kāi)關(guān)損耗，最大限度利用占空比，極大的提高了系統(tǒng)效率，滿足六級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)要求。

審核編輯黃宇