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利用碳化硅簡化全球設備設計

星星科技指導員 ? 來源:wolfspeed ? 作者:wolfspeed ? 2023-05-20 15:30 ? 次閱讀

半導體制造和組裝工廠分布在全球,并在廣泛的公用事業電壓范圍內運行。為了服務于全球市場,向這些應用銷售專用設備的 OEM 需要在其設備上提供多個輸入電壓選項。這就是為什么Astrodyne TDI(ATDI)選擇Wolfspeed碳化硅(SiC)MOSFET作為其新的Kodiak電源平臺的原因。

Kodiak 平臺在一個通用封裝中包括 208/230VAC 和 400/480VAC 輸入型號,無需 ATDI 客戶重新設計其系統以在不同地區運行。Wolfspeed 的 SiC MOSFET 采用 TO-263-7 表面貼裝封裝,具有 650V 和 1200V 系列,可實現這種設計通用性。

下一代半導體制造和組裝公司正在不同地點的站點尋求設備通用性,以簡化操作并減少新設備認證時間。這要求設備采用單核設計,但型號能夠處理不同設施的不同市電電壓,同時保持符合當地和國際安全和性能標準。Astrodyne TDI正在與Wolfspeed合作利用SiC技術來解決OEM支持下一代晶圓廠/組裝客戶所面臨的這些挑戰。他們的解決方案提供的電力系統在不同的市電電壓等級上使用相同的控制和電源拓撲。在所有電壓范圍內采用類似的設計,使客戶更容易集成這些系統,而無需更改其設計或在每個制造地點使用不同的公用電壓對不同的設備進行認證。

靈活性帶來強大的可擴展性

通過利用單一外形尺寸和電源拓撲,ATDI的電源簡化了將電源集成到過程和測試設備中的客戶的設計和認證過程。這也減輕了晶圓廠/裝配終端客戶的負擔,因為即使他們在不同地點擁有具有不同公用事業電壓的設施,他們也可以期望設備具有相同的性能。

理想情況下,下一代晶圓廠/裝配廠希望為所有地點和設施的后端和前端流程選擇單一而靈活的電源平臺。現在,通過使用 650V 和 1200V SiC MOSFET,使一種拓撲能夠在 208 至 480VAC 輸入范圍內工作,只需進行少量的設計更改,這成為可能。SiC MOSFET 是唯一能夠在 208/230V 和 400/480V 電平下實現有源前端和相移全橋拓撲的技術。

通過使用Wolfspeed SiC技術,ATDI的Kodiak電源平臺可以在不同的輸入電壓下使用相同的電源拓撲,只需切換SiC器件,磁性元件和電容器即可在不同的電壓電平下工作,同時在同一封裝內保持相同的功能。此外,Wolfspeed 廣泛的 650V 和 1200V 額定電壓器件產品組合允許在每個級別進行設計優化。硅MOSFET或GaN器件無法實現這種通用性,因為它們的額定電壓有限,硅IGBT也不是可行的解決方案,因為與SiC相比,硅IGBT的開關損耗要高得多。

這種靈活性使客戶能夠在具有不同輸入電壓的不同設施和地點鑒定和使用類似的產品。開發和認證時間顯著縮短,實施也得到簡化。通過使用經過審查的一致機械外形、電源拓撲和接口,OEM 可以節省設計時間,最終用戶知道他們將在所有制造現場獲得一致的性能。

靈活性,無失真

除了ATDI使用Wolfspeed SiC技術的單一設計的靈活性之外,下一代晶圓廠/裝配廠還面臨著其他挑戰,科迪亞克電源平臺也解決了這些挑戰。

任何制造現場面臨的關鍵挑戰是由所有電源和負載引起的電源線失真。這種失真需要限制在可接受的水平,以避免其他設備出現問題并滿足公用事業要求。Kodiak 電源平臺將總諧波失真 (THD) 保持在 5% 以下,滿足或超過電能質量要求??频蟻喛穗娫催€符合 SemiF47 和 IEC 61000-4-11 標準,以確保在電源線波動的情況下穩定運行。

雖然低THD電源在230VAC應用中相對常見,但ATDI的Kodiak電源實際上是獨一無二的,即使在400/480VAC電平下,它也無需外部濾波即可實現這種性能。這是通過利用真正的三相功率因數校正拓撲和專有控制技術來實現的。通過保持如此低的THD,客戶可以避免在系統或設施級別添加其他濾波器或排除設備之間的潛在干擾問題。

單一設計,助力多種產品

通過采用Wolfspeed SiC技術,ATDI解決了OEM在為公用事業電壓不同的全球市場設計設備時面臨的主要挑戰。包括下一代晶圓廠/裝配廠在內的終端客戶受益于在不同設施中使用通用設備,并意識到與硅基電源相比,使用 SiC 的價值。Kodiak 電源平臺使客戶能夠在不同的市電電壓電平上使用相同的控制和電源拓撲,無論輸入電壓電平如何,都能確保高性能。這種適用于所有電壓范圍的通用拓撲結構允許客戶將ATDI的電源集成到各種產品中,而無需更改其設計或將不同的設備認證為不同地點的設施提供服務。

審核編輯:郭婷

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