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三家全球領先公司緊密協作,以應對基于臺積公司先進技術的設計在芯片、封裝和系統等方面的挑戰。
新思科技近日宣布,攜手臺積公司和Ansys持續加強多裸晶芯片系統設計與制造方面的合作,助力加速異構芯片集成以實現下一階段的系統可擴展性和功能。得益于與臺積公司在3DFabric技術和3Dblox標準中的合作,新思科技能夠為臺積公司先進的7納米、5納米和3納米工藝技術上的多裸晶芯片系統設計,提供業界領先的全方位EDA和IP解決方案。臺積公司先進工藝技術集成了新思科技實現和簽核解決方案以及Ansys多物理場分析技術,助力開發者從容應對多裸晶芯片系統中從早期探索到架構設計中簽核功耗、信號和熱完整性分析等嚴苛挑戰。
多裸晶芯片系統提供了一種實現更低功耗、更小面積及更高性能的方法,打開了面向系統級創新時代的大門。我們與新思科技、Ansys等開放創新平臺(OIP,Open Innovation Platform)生態系統合作伙伴長期密切合作,通過專為臺積公司先進技術優化的全方位EDA和IP解決方案,助力共同客戶加速實現多裸晶芯片系統的成功。
Dan Kochpatcharin
設計基礎架構管理事業部負責人
臺積公司
芯片設計向多裸晶芯片系統的發展拐點,在于解決功耗、熱完整性和可靠性簽核等方面的全新挑戰。通過集成的方式和強大的生態系統,我們能夠提供全方位解決方案來應對日益復雜的挑戰。基于我們與新思科技、臺積公司的合作,開發者可以采用業界領先的多裸晶芯片解決方案,并充分利用我們數十年專業技術加速實現芯片成功。
John Lee
副總裁兼總經理
Ansys
向多裸晶芯片系統的演進對半導體產業產生了深遠的變革,產業亟需一個整體的解決方案來處理die-to-die連接、多物理場效應和芯片/封裝協同設計問題。新思科技與臺積公司、Ansys緊密協作,提供了引領行業的全方位、可擴展且值得信賴的解決方案,助力加速異構集成并降低設計風險。
Sanjay Bali
EDA事業部營銷和戰略副總裁
新思科技
全方位解決方案助力多裸晶芯片系統成功
與單片片上系統(SoC)不同,多裸晶芯片系統具有高度的相互依賴性,必須從系統級角度來開發。新思科技多裸晶系統解決方案能夠實現早期架構探索、快速軟件開發和系統驗證、高效的芯片/封裝協同設計、強大且安全的die-to-die連接,并具有更卓越的制造和可靠性。新思科技與臺積公司、Ansys合作的主要亮點包括:
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新思科技3DIC Compiler是一個統一的多裸晶芯片封裝協同設計與分析平臺,與臺積公司3Dblox標準和3DFabric技術無縫集成,用于3D系統集成、先進封裝以及完整的“探索到簽核”實施。
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新思科技設計簽核解決方案經臺積公司技術認證,并與Ansys RedHawk-SC電熱多物理場技術集成,可解決多裸晶芯片系統中關鍵的功耗和熱簽核問題。
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新思科技UCIe PHY IP核已在臺積公司N3E工藝中成功流片。UCIe有望成為低延遲和安全的die-to-die連接的事實標準。
點擊閱讀原文,進一步了解新思科技多裸晶芯片系統解決方案。
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原文標題:新思科技聯合臺積公司和Ansys升級Multi-Die全方位解決方案,推動系統級創新
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