LPB1010H是一款專門為小容量鋰離子/聚合物電池優(yōu)化的高度集成的保護(hù)芯片。它采用極小的1mm x 1mm的DFN-4封裝（見下左圖），為空間受限的設(shè)計(jì)提供理想選擇，集成完整的保護(hù)功能，超低的靜態(tài)工作電流， 并提供CTL控制方便系統(tǒng)進(jìn)入船運(yùn)模式以進(jìn)一步降低系統(tǒng)的靜態(tài)工作電流。典型應(yīng)用如下右圖所示。

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超低過流保護(hù)

LPB1010H系列產(chǎn)品的首要特點(diǎn)是超低的過流保護(hù)點(diǎn)，放電過流保護(hù)點(diǎn)僅為0.15A。這一特點(diǎn)使其尤為適合小容量或電流要求較低的應(yīng)用，能夠提供精確而強(qiáng)有力的保護(hù)。

作為一款鋰電池保護(hù)IC，LPB1010H的主要功能在于在各種異常情況下保護(hù)電池安全。而過流保護(hù)點(diǎn)的值越低，表示其可以在更小的異常電流下觸發(fā)保護(hù)機(jī)制，切斷電路保護(hù)電池，這更能滿足小容量電池的保護(hù)需求。對小容量電池來說，若過流保護(hù)點(diǎn)設(shè)置過高，在異常情況下電流尚未達(dá)到保護(hù)點(diǎn)，電池可能已經(jīng)受到一定程度的損害。

LPB1010H的150mA(典型值)放電過流保護(hù)在這一方面有著卓越表現(xiàn)，可以對較小的過流情況作出即刻響應(yīng)，快速切斷電路以防止電池受損。同樣，300mA的充電過流保護(hù)也能在充電時(shí)更快的保護(hù)小容量電池。這使其特別適用于電流水平普遍較小的應(yīng)用，如TWS耳機(jī)之類。在耳機(jī)之類的應(yīng)用環(huán)境下，如此低的過流保護(hù)設(shè)置并不會(huì)對正常操作造成影響，但可以顯著增強(qiáng)保護(hù)功能。

02

單信號(hào)控制船運(yùn)模式

LPB1010H的另一大特色就是可以通過單一CTL信號(hào)輕松切換到船運(yùn)模式。船運(yùn)模式可以在設(shè)備運(yùn)輸或長期倉儲(chǔ)期間讓系統(tǒng)完全斷電，避免電池放電，經(jīng)長時(shí)間運(yùn)輸或倉儲(chǔ)后開機(jī)時(shí)電池還有電。在長時(shí)間的運(yùn)輸或倉儲(chǔ)過程中，如果電路保持常通狀態(tài)，系統(tǒng)里其它芯片和電路的靜態(tài)電流會(huì)使電池放電而電量下降。切換到船運(yùn)模式，LPB1010H會(huì)完全斷開電路，隔離電池與負(fù)載，使電路進(jìn)入關(guān)斷狀態(tài)，從而防止電池電量的消耗與損失。

LPB1010H從正常工作模式切換到船運(yùn)模式僅需要一個(gè)信號(hào)輸入，這大大簡化了客戶的設(shè)計(jì)方案。只需要一個(gè)信號(hào)輸入就可以輕松實(shí)現(xiàn)模式切換，而切換回正常模式則只需要插入充電器充電。LPB1010H內(nèi)部集成所有的切換與控制邏輯，可以根據(jù)簡單的單一輸入信號(hào)準(zhǔn)確地進(jìn)入船運(yùn)模式，減少了外圍器件的數(shù)量，優(yōu)化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)。這使其非常易于集成，成為實(shí)現(xiàn)如此重要功能的理想選擇。通過采用船運(yùn)模式，LPB1010H可以在不使用產(chǎn)品時(shí)完全隔離電池，避免了電池電量的損耗，延長了其使用壽命，對于一些需要長時(shí)間停產(chǎn)或運(yùn)輸?shù)脑O(shè)備來說非常重要。

03

超小型DFN封裝及超低功耗

LPB1010H采用DFN-4 (1mm x 1mm x 0.37mm)的超小型封裝，只需要1~2個(gè)外部組件即可實(shí)現(xiàn)所有功能，這大大節(jié)省了PCB空間，使其非常適合空間極為有限的應(yīng)用設(shè)計(jì)。同時(shí)，該器件工作電流也極低，工作模式下僅為0.5μA，可以忽略不計(jì)，這使整個(gè)電路的消耗大為降低，延長了電池工作時(shí)間。

總之，LPB1010H是一款超小封裝、高集成的電池保護(hù)IC，其低過流保護(hù)點(diǎn)、單信號(hào)船運(yùn)模式控制和超低功耗等特性使其成為空間與功耗都比較受限應(yīng)用的最佳選擇，能夠最大限度保護(hù)電池和利用電池電量。LPB1010H為設(shè)計(jì)者在有限空間內(nèi)提供了一個(gè)全面而靈活的電池保護(hù)解決方案。

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LP1010H主要參數(shù)

集成內(nèi)部N-MOSFET 導(dǎo)通電阻RON : 60mΩ

超低待機(jī)狀態(tài)靜態(tài)電流: 0.5μA

超低船運(yùn)模式靜態(tài)電流: <10nA

高精度過充保護(hù)電壓: 4.275±25mV

低過流保護(hù)閾值

- 充電過流保護(hù)閾值: 300mA(Typical) - 放電過流保護(hù)閾值: 150mA(Typical) - 放電短路保護(hù)閾值: 450mA(Typical)

內(nèi)置過溫保護(hù)功能

支持GPIO控制進(jìn)入船運(yùn)模式

支持0V充電

ESD 保護(hù):

- Human Body Model: 4kV - Charged Device Model: 0.5kV

1mm x 1mm DFN-4 小封裝

審核編輯：劉清