根據(jù)Omdia的數(shù)據(jù)，2020年全球功率MOSFET的市場規(guī)模為81億美元，在新能源汽車，工業(yè)控制、5G通訊等市場需求的加持下，全球增速將保持高速增長，預(yù)測在2025年將達(dá)到118.47億美元。

MOSFET全稱金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管，是一種可以廣泛使用在模擬與數(shù)字電路的場效應(yīng)晶體管。MOSFET 器件具有高頻、驅(qū)動簡單、抗擊穿性好等特點(diǎn)，是功率半導(dǎo)體的基礎(chǔ)器件。

從汽車電子的應(yīng)用場景看，MOSFET是汽車電子中的核心元件，汽車引擎、驅(qū)動系統(tǒng)中的變速箱控制器以及制動、轉(zhuǎn)向控制，都離不開MOSFET。相比較于燃油汽車而言，新能源汽車的智能化、電動化的發(fā)展，加快了市場對MOSFET需求的進(jìn)程，比如DC/DC的高壓MOSFET、OBC 中的超級結(jié)MOSFET等需求激增，以滿足實(shí)際運(yùn)行中，對工作電流和電壓的更高要求。

MDD辰達(dá)半導(dǎo)體憑借多年的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)與技術(shù)積累，在夯實(shí)二極管、三極管、整流橋的產(chǎn)品基礎(chǔ)上，積極布局MOSFET系列產(chǎn)品，從產(chǎn)品規(guī)劃、質(zhì)量、工藝等方面取得重大突破。目前MDD面向汽車電子、電源、工控、消費(fèi)電子等應(yīng)用場景，推出三種工藝MOSFET系列產(chǎn)品，為客戶提供高可靠、高性能的解決方案。

PlanarMOSFET

采用業(yè)界最新的平面技術(shù)設(shè)計(jì)制造而成，具有低導(dǎo)通損耗，高雪崩能量，高可靠性，更好的EMI兼容性等特點(diǎn)。高壓平面MOSFET產(chǎn)品涵蓋500V-700V系列電壓范圍，如MDD7N65D，MDD20N50P，MDD12N65F等可滿足各種電源系統(tǒng)的需求（主要照明驅(qū)動、適配器）。

TrenchMOSFET

采用先進(jìn)的Trench 技術(shù)設(shè)計(jì)制造而成，產(chǎn)品具有抗沖擊能力強(qiáng)，高雪崩能力，高可靠性等特點(diǎn)。該系列產(chǎn)品涵蓋N/P 20V~120v電壓范圍，如MDD2301，MDD15N10D，MDD2306等針對不同應(yīng)用領(lǐng)域?qū)ζ骷阅艿男枨筇攸c(diǎn)采用不同的設(shè)計(jì)方案，是器件在各個應(yīng)用場合性能最佳。可廣泛應(yīng)用消費(fèi)類電子通用器件，小電流等。

SGTMOSFET

采用優(yōu)化的溝槽屏蔽柵設(shè)計(jì)及工藝制造技術(shù)，全面提升了器件的開關(guān)特性和導(dǎo)通特性，同時降低了器件的特征導(dǎo)通電阻Rsp和柵極電荷Qg。SGT系列MOSFET產(chǎn)品涵蓋30V~150V，如MDDG04R1P9G，MDDG10R08P， MDDG10R08D可廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動、同步整流等領(lǐng)域中。

審核編輯：湯梓紅