Airfast GaN射頻晶體管帶來大量創新設計理念
Airfast GaN A3G26D055N是一款55W峰值GaN分立晶體管，采用緊湊型DFN 7 x 6.5 mm超模壓塑封。該器件具有優異的輸出，可填充多個頻段，在48 V下運行時，能效提升超過50%，增益超過13 dB。
面向各種市場的多功能GaN解決方案
A3G26D055N用途廣泛，其應用范圍為100-2800 MHz，適用于各種市場，包括移動通信基礎設施、射頻能源和寬帶通信。
在恩智浦RF 5G移動通信基礎設施大功率產品組合中，這款低于6 GHz的器件在2.6 GHz移動通信頻段下運行，功率為39 dBm，平均功耗為8 W。它可用于5G mMIMO射頻單元（64T64R），也可作為宏射頻單元（如4T4R天線系統）的驅動器，用于不到1GHz的移動通信頻段。
固態射頻能量是一種可靠的熱源和電源。A3G26D055N用途廣泛，可作為射頻能量驅動器在2.45 GHz ISM頻段使用，適用于烹飪、工業加熱和焊接應用。此外，它還可用作25W連續波的低功耗末級驅動器，適用于醫療和工業應用。
這款A3G26D055N還非常適合在惡劣條件下運行的寬帶通信，如100-2800 MHz范圍內的寬帶戰術通信、25W連續波寬帶低功耗末級驅動器、航空航天和國防產品組合中MMRF5014H或MMRF5018H的驅動器。
審核編輯：郭婷
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
電源
+關注
關注
184文章
17704瀏覽量
249965 -
驅動器
+關注
關注
52文章
8226瀏覽量
146253 -
晶體管
+關注
關注
77文章
9682瀏覽量
138084
發布評論請先 登錄
相關推薦
iCoupler技術為AC/DC設計中的氮化鎵(GaN)晶體管帶來諸多優勢
GaN晶體管支持大多數包含單獨功率因數校正（PFC）和DC-DC部分的AC/DC電源：前端、無電橋PFC以及其后的LLC諧振轉換器（兩個電感和一個電容）。此拓撲完全依賴于圖1所示的半橋和全橋電路。
發表于 09-28 15:15
?4463次閱讀
iCoupler技術為AC/DC設計中的氮化鎵(GaN)晶體管帶來諸多優勢
)晶體管已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開關，從而可提高能源轉換效率和密度。為了發揮GaN晶體管的優勢，需要一種具有新規格要求的新隔離方案。 GaN
Airfast射頻功率解決方案
Airfast系列是飛思卡爾推出的下一代RF LDMOS產品，通過把創新技術與系統級平臺相結合，使其在增益、功率、線性、功率密度、效率都有了質的飛躍。飛思卡爾還提供了配合DPD的整個鏈路解決方案，可
發表于 07-02 13:31
NPT2020射頻晶體管
化鎵或砷化鋁鎵技術的這類二極管。產品型號：NPT2020產品名稱：射頻晶體管NPT2020產品特性GaN上硅HEMT耗盡型晶體管適合線性和飽和應用從直流3.5 GHz調諧48 V操作3
發表于 09-26 09:04
直接驅動GaN晶體管的優點
受益于集成器件保護，直接驅動GaN器件可實現更高的開關電源效率和更佳的系統級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關特性可實現提高開關模式電源效率和密度的新型
發表于 10-27 06:43
什么是GaN透明晶體管？
晶體管通道完全閉合；二維過渡金屬二硫化物受損于其比透明導電氧化物還低的載流子遷移率。 在新加坡-麻省理工學院研究與技術聯盟，正在先行研發一種有前景的替代材料：GaN。從光學角度看，GaN的帶隙為
發表于 11-27 16:30
CGH40010F氮化鎵（GaN）高 電子遷移率晶體管
`Cree的CGH40010是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 CGH40010，正在運行從28伏電壓軌供電，提供通用寬帶解決方案應用于各種射頻和微波應用。 GaN
發表于 12-03 11:51
電流旁路對GaN晶體管并聯配置的影響
，在這種情況下采用基于氮化鎵（GaN）晶體管的解決方案意義重大。與傳統硅器件相類似，GaN晶體管單位裸片面積同樣受實際生產工藝限制，單個器件的電流處理能力存在上限。為了增大輸出功率，并
發表于 01-19 16:48
IGN0450M250高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管，旨在滿足P波段雷達系統的獨特需求。它在整個420-450 MHz頻率范圍內運行。 在100毫秒以下，10％占空比脈沖條件
發表于 04-01 10:35
用于大功率和頻率應用的舍入 GaN 基晶體管
針對可靠的高功率和高頻率電子設備，制造商正在研究氮化鎵(GaN)來制造具有高開關頻率的場效應晶體管(FET)由于硅正在接近其理論極限，制造商現在正在研究使用寬帶隙(WBG)材料來制造高效率的大功率
發表于 06-15 11:43
氮化鎵晶體管GaN的概述和優勢
10個FiT目標已經達到開始批量生產的最低可接受水平。 應用的穩健性 除了對影響器件固有可靠性和壽命的關鍵因素進行大量測試外，Panasonic X-GaN晶體管還通過設計提供穩健性，有助于應用電
發表于 02-27 15:53
飛思卡爾提供多款新型LDMOS和GaN功率晶體管
日前，射頻功率技術領先供應商飛思卡爾宣布為其Airfast RF功率解決方案推出最新成員：包括三個LDMOS功率晶體管與一個氮化鎵（GaN）晶體管
發表于 06-09 10:18
?1953次閱讀
恩智浦發布Airfast 3射頻功率晶體管
智浦半導體NXP Semiconductors N.V.今天推出Airfast第三代產品，首發的是四顆用于蜂窩通信宏基站重點 LDMOS晶體管方案。全新Airfast 3在技術上達到了新的里程碑，在
發表于 11-25 16:16
?1145次閱讀
電源設計中嘗試使用GaN晶體管
GaN 晶體管是新電源應用的理想選擇。它們具有小尺寸、非常高的運行速度并且非常高效。它們可用于輕松構建任何電力項目。在本教程中，我們將使用 GaN Systems 的 GaN GS61
GaN晶體管的應用場景有哪些
GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），近年來在多個領域展現出廣泛的應用場景。其出色的高頻性能、高功率密度、高溫穩定性以及低導通電阻等特性，使得
工商網監
評論