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基于AlN單晶襯底的AlGaN溝道型MOSHFET功率最新進(jìn)展

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) ? 來(lái)源:寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián) ? 2023-05-25 10:13 ? 次閱讀

近期,美國(guó)南卡羅來(lái)納大學(xué)報(bào)道了在AlN單晶襯底上通過(guò)MOCVD生長(zhǎng)的Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金屬氧化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSHFET)器件。與相比之下,單晶AlN基器件的熱阻抗降至AlN/藍(lán)寶石基器件的1/3(從31K-mm/W壓降至10K-mm/W),與SiC和銅散熱器相當(dāng),相較于其他半導(dǎo)體器件體現(xiàn)出顯著的熱電協(xié)同設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì),從而實(shí)現(xiàn)峰值漏極飽和電流由410mA/mm增加至610mA/mm,測(cè)試得的三端擊穿場(chǎng)強(qiáng)為3.7 MV/cm,是迄今為止AlxGa1-xN溝道型器件的最高水平,巴利加優(yōu)值(BFOM)達(dá)到460MW/cm2。

寬禁帶III族氮化物高電子遷移率晶體管(HEMT)因?yàn)榫哂?a href="http://www.1cnz.cn/tags/高通/" target="_blank">高通道遷移率和臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)及其帶來(lái)的高通道電流和緊湊型器件的大功率承載能力,已在全球范圍內(nèi)廣泛應(yīng)用于各類電力電子器件。緊湊型器件還具有減少電容和其他寄生效應(yīng)的額外優(yōu)勢(shì),從而可實(shí)現(xiàn)更快的開(kāi)關(guān)。寬禁帶III族氮化物的上述優(yōu)勢(shì)已被用于制造更加高效的電力電子產(chǎn)品,如消費(fèi)電子領(lǐng)域的充電器和下一代新能源汽車。然而,功率密度的增加也會(huì)導(dǎo)致整體系統(tǒng)性能受到散熱能力的限制,例如電流衰減和過(guò)早失效,從而限制了寬禁帶III族氮化物功率器件的深度拓展。造成散熱問(wèn)題的主要原因在于目前使用的低熱導(dǎo)率襯底材料(硅、藍(lán)寶石、Ga2O3等)的散熱能力不足。

超寬禁帶半導(dǎo)體AlN單晶襯底(禁帶寬度> 6eV)具有優(yōu)異的熱導(dǎo)性和高溫穩(wěn)定性,可使深度擴(kuò)展的下一代緊湊型電源系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)被動(dòng)熱管理。除了熱效益外,AlN襯底還可實(shí)現(xiàn)AlxGa1-xN溝道型HEMT器件(Al組分> 60%,禁帶寬度> 4.5eV)的假晶外延層結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)。這種低位錯(cuò)的假晶外延層結(jié)構(gòu)理論上可以顯著降低柵極電流,從而提高器件的穩(wěn)定性。

此項(xiàng)研究中,科研人員展示了在單晶AlN襯底上的假晶

Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金屬氧化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSHFET)器件,其線性歐姆接觸通過(guò)反向組分梯度排列的AlxGa1-xN層和介電帽層實(shí)現(xiàn),以消除過(guò)早的表面擊穿。這一創(chuàng)新使得MOSHFET器件的導(dǎo)通狀態(tài)峰值漏極電流密度達(dá)到610mA/mm(在+2V柵極偏壓下),通斷比(~107),柵極-漏極間距LGD=2.64μm器件的三端關(guān)閉狀態(tài)擊穿場(chǎng)強(qiáng)> 3.7 MV/cm。

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圖1:(a)高Al組分Al0.64Ga0.36N溝道型MOSHFET示意圖,

(b) AlN單晶襯底基器件(W=200μm,接觸間距為4 ~16μm)的TLM測(cè)量結(jié)果

該MOSHFET器件的外延結(jié)構(gòu)如圖1(a)所示。采用低壓金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(LP-MOCVD)法在AlN單晶襯底上生長(zhǎng)。該結(jié)構(gòu)包括260nm的同質(zhì)外延AlN層,隨后是140nm的i-Al0.87Ga0.13N背勢(shì)壘層、100nm的i-Al0.64Ga0.36N通道層和23nm的n-Al0.87Ga0.13N勢(shì)壘層。為了促進(jìn)歐姆接觸的形成,在該結(jié)構(gòu)上覆蓋了一層30nm的高硅摻雜的反向梯度AlxGa1-xN(x = 0.87→0.40)層。硅摻雜補(bǔ)償了反向漸變過(guò)程中極化產(chǎn)生的空穴。該器件的制造源于使用Cl2基的電感耦合等離子體反應(yīng)蝕刻(ICP-RIE)進(jìn)行臺(tái)面隔離。

采用電子束蒸發(fā)法在源極/漏極觸點(diǎn)沉積了Zr/Al/Mo/Au(150/1000/400/300?)金屬層,然后在N2環(huán)境下進(jìn)行30秒950℃的快速退火熱處理。然后采用ICP-RIE蝕刻法在通路區(qū)除去AlxGa1-xN反向組分梯度層,并沉積10nm的SiO2作為柵氧化層。接下來(lái),柵極和探針板被電子束蒸發(fā)。柵極和探針金屬層分別由Ni/Au(1000/2000?)和Ti/Ni/Au (500/700/1500?)組成。最后,通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)將器件嵌入400nm厚的SiO2薄膜中,以減輕擊穿電壓測(cè)量產(chǎn)生的表面電場(chǎng)。除AlN單晶襯底外,科研人員也通過(guò)在AlN/藍(lán)寶石(t=3μm)模板上沉積同樣的外延結(jié)構(gòu)制造相同器件。

研究中,歐姆接觸的線性度是通過(guò)傳輸線模型(TLM)測(cè)量建立的。從中分別提取了AlN單晶襯底和AlN/藍(lán)寶石模板上器件的接觸電阻4.3Ω-mm(~7.7×10-5Ωcm2)和4.7Ω-mm(~9.7×10-5Ωcm2)和表面電阻2400Ω/sq和2282Ω/sq。AlN單晶襯底基器件的TLM結(jié)果如圖1(b)所示。

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圖2:(a) AlN單晶和(b)AlN/藍(lán)寶石上Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N MOSHFET的IDSvs VDS。(LSD=6μm,LG=1.8μm)。(c)這些相同MOSHFET器件的溫升與功率密度的比較,在12μm TLM間距和200μm寬度下測(cè)量。

傳輸(IDSvs VGS)和輸出(IDSvs VDS)特性使用參數(shù)分析儀測(cè)量。電容電壓(C-V)的測(cè)量使用HP4284A精密LCR計(jì)完成。所有的測(cè)量都是在沒(méi)有外部冷卻的晶圓上進(jìn)行的(未封裝的器件)。圖2(a)和(b)分別顯示了AlN單晶基和AlN/藍(lán)寶石模板基AlGaN MOSHFET器件在柵極長(zhǎng)度LG=1.8μm,柵極到源極距離LGS=1.2μm,柵極到漏極距離LGD=2.64μm下的輸出特性。在VG=+2V和VD=30V時(shí),AlN單晶和AlN/藍(lán)寶石模板器件分別在峰值電流為610mA/mm和410mA/mm時(shí)觀察到明顯的飽和截?cái)唷?br />
與基于AlN/藍(lán)寶石的MOSHFET相比,AlN單晶襯底上的MOSHFET在最高柵極和漏極電壓處沒(méi)有出現(xiàn)降溫,表明具備更好的熱管理性能。為了量化熱改進(jìn),科研人員測(cè)量了器件的熱阻抗(RTH)。圖2(c)顯示熱阻抗分別為10K-mm/W(AlN單晶襯底)和31K-mm/W(AlN/藍(lán)寶石)。由于接觸電阻和表面電阻幾乎與襯底類型無(wú)關(guān),器件熱阻抗3倍的差異是單晶AlN基器件的峰值漏極電流密度顯著提高的主要誘因,其根源在于AlN單晶襯底的導(dǎo)熱系數(shù)比藍(lán)寶石基板高8倍。AlN襯底的這種同步設(shè)計(jì)改進(jìn)使其相對(duì)于其他低導(dǎo)熱系數(shù)襯底材料如藍(lán)寶石、Ga2O3的優(yōu)勢(shì)得以量化,如熱性能圖所示(TFOM)。

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圖3:(a) AlN單晶襯底和(b) AlN/藍(lán)寶石模板上的MOSHFET在VDS=25V下的轉(zhuǎn)移特性和跨導(dǎo)。(c)兩個(gè)器件的歸一化柵漏(IG)。

圖3比較了AlN單晶襯底和AlN/藍(lán)寶石模板上MOSHFET的傳遞曲線、跨導(dǎo)和柵漏電流。傳遞曲線數(shù)據(jù)中,兩種不同襯底類型上的器件顯示出了相近的通斷比~ 3.6×107和~ 2×107。這對(duì)于AlGaN基MOSHFET來(lái)說(shuō)具有典型性。由于兩種襯底上的器件都具有SiO2柵極絕緣體,因此可以忽略反向柵極泄漏電流的差異。然而,基于AlN/藍(lán)寶石模板的MOSHFET在正柵極電壓下的柵極漏電流明顯更高。圖3(a) 、(b)獲得了幾乎相同的閾值電壓(VTH)-16.9V(單晶AlN)和-17.3V(AlN/藍(lán)寶石模板)。圖3(a)、(b)還凸顯了VDS=25V時(shí)柵極電壓相關(guān)的跨導(dǎo)(gm)。單晶AlN在VG=-2.4V時(shí)的gm峰值為45mS/mm,AlN/藍(lán)寶石在VG=-9.3V時(shí)的gm峰值34mS/mm。

AlN單晶襯底的跨導(dǎo)(gm=通道遷移率μn ×柵電容CG)峰值在更優(yōu)的柵電壓(VG)處,與上文論述一致,即由于熱管理的改進(jìn),在AlN單晶襯底上可實(shí)現(xiàn)更高的電流。在藍(lán)寶石上,加熱抑制了通道的遷移,從而導(dǎo)致圖2(b)中的熱降。在單晶AlN上,熱這一瓶頸問(wèn)題的解決使得器件在熱限制抑制跨導(dǎo)之前可實(shí)現(xiàn)更高的峰值電流。以下事實(shí)進(jìn)一步支持了這一論斷,即兩種結(jié)構(gòu)的柵極電容相似,因此通道遷移率是決定峰值附近跨導(dǎo)的主要因素。

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圖4:(a) 100μm柵極TLM(GTLM)在1MHz時(shí)的電容電壓特性,(b)單晶AlN和AlN/藍(lán)寶石模板上MOSHFET的NS和μVG相關(guān)性。

對(duì)于C-V的測(cè)定,選擇柵極長(zhǎng)度LG=100μm,柵極寬度W=200μm的大面積器件,獲得如圖4(a)所示的可測(cè)量電容值。這里的VTH與圖3傳輸特性中的VTH非常一致。從圖4(a)中提取載流子濃度,并將其繪制在圖4(b)中作為柵極電壓的函數(shù),可以看出,在VG=0V時(shí),載流子濃度為1.79×1013cm-2,與襯底無(wú)關(guān)。而測(cè)得的單晶AlN的通道電子遷移率~130 cm2V?1s?1,這解釋了進(jìn)入?yún)^(qū)域和接觸電阻。

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圖5:(a) VGS=-30V時(shí)單晶AlN上MOSHFET的三端擊穿,(插圖)器件擊穿后的顯微照片,(b)本文報(bào)導(dǎo)與其他文獻(xiàn)報(bào)導(dǎo)的所有超寬禁帶半導(dǎo)體AlGaN通道單晶AlN基和AlN/藍(lán)寶石基HEMT器件的IDS、max及擊穿場(chǎng)比較。圖中注明了通道組分。

最后,科研人員測(cè)試了MOSHFET在單晶AlN上的擊穿電壓,以量化其關(guān)閉狀態(tài)性能。當(dāng)柵極-漏極間距為2.64μm時(shí),VG=-30V下的三端擊穿電壓為VBR=959V,如圖5(a)。通過(guò)圖2(a)中的三極管區(qū)導(dǎo)通電阻,保守估計(jì)BFOM~460MW/cm2,包括圖1(b)中TLM圖的轉(zhuǎn)移長(zhǎng)度(LT)的影響。鑒于TLM描述假設(shè)了一個(gè)各向同性的內(nèi)面二維電子氣體(2DEG),而這在退火歐姆接觸下是不可能的,因此我們可以在LT=0時(shí)將BFOM > 750 MW/cm2設(shè)定為合理的上限。

這比在AlN、Ga2O3和藍(lán)寶石襯底等類似幾何形狀(見(jiàn)表1)的同級(jí)別超寬禁帶半導(dǎo)體通道的其他結(jié)果高出約10倍,系目前的最高水準(zhǔn)。對(duì)應(yīng)于3.7MV/cm的平均擊穿場(chǎng)強(qiáng)(EC),測(cè)得的擊穿電壓為959V。這仍然是Al0.64Ga0.36N通道器件約10.0MV/cm理論極限的1/3,并且主要受到表面閃絡(luò)的限制(如圖5(a)的顯微照片所示),且未來(lái)可以通過(guò)優(yōu)化場(chǎng)板設(shè)計(jì)來(lái)解決這一問(wèn)題。圖5(b)就該器件與其他報(bào)導(dǎo)中高質(zhì)量超寬禁帶半導(dǎo)體AlGaN溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管的峰值漏極飽和電流和擊穿場(chǎng)強(qiáng)進(jìn)行了比較,展示了AlN單晶襯底上反向漸變組分接觸層高Al組分MOSHFET的前景。

表1:代表性同類器件的BFOM比較

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結(jié)語(yǔ):本文在AlN單晶襯底上展示了高Al組分AlxGa1-xN(x=0.64)溝道型MOSHFET的最先進(jìn)性能。反向梯度接觸層使器件實(shí)現(xiàn)線性歐姆接觸,接觸電阻為4.3Ωmm。峰值漏極電流為610mA/mm(+2V柵偏壓),跨導(dǎo)為45mS/mm,通斷比為107,三端擊穿場(chǎng)強(qiáng)為3.7MV/cm(LGD=2.64μm下),是迄今為止此類器件報(bào)道的最高性能。通過(guò)與AlN/藍(lán)寶石襯底上相同器件的比較,證實(shí)了單晶AlN襯底基MOSHFET的熱阻抗降低了3倍,這是形成器件優(yōu)越導(dǎo)態(tài)性能的最主要驅(qū)動(dòng)因素。

譯改自原文:Al0.64Ga0.36N Channel MOSHFET on Single Crystal Bulk AlN Substrate

原文作者:Abdullah Mamun*, Kamal Hussain, Richard Floyd, MD Didarul Alam, MVS Chandrashekhar, Grigory Simin, and Asif Khan

Department of Electrical Engineering, University of South Carolina, Columbia, SC29208, U.S.A.

原文發(fā)表于:The Japan Society of Applied Physics

原文鏈接:https://doi.org/10.35848/1882-0786/acd5a4

DOI 10.35848/1882-0786/acd5a4






審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:基于AlN單晶襯底的AlGaN溝道型MOSHFET功率最新進(jìn)展

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    基于<b class='flag-5'>AlN</b><b class='flag-5'>單晶</b><b class='flag-5'>襯底</b>的<b class='flag-5'>AlGaN</b><b class='flag-5'>溝道</b><b class='flag-5'>型</b><b class='flag-5'>MOSHFET</b><b class='flag-5'>最新進(jìn)展</b>

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