云計算、人工智能、自動駕駛汽車、增強現(xiàn)實、嵌入式視覺等新應(yīng)用正在推動對內(nèi)存性能和能效的更嚴格要求。內(nèi)存是這些系統(tǒng)的核心，需要高帶寬和速度以及更低的功耗和更低的成本。隨著這些新興市場的需求，內(nèi)存行業(yè)開始從平面（2D）DRAM轉(zhuǎn)向?qū)扞 / O或3D技術(shù)TSV（通過硅垂直互連訪問），如HBM（高帶寬內(nèi)存）。低功耗 DRAM 技術(shù)發(fā)展到第五代 （LPDDR5），與 LPDDR4 相比，功耗顯著降低，帶寬極高。在這篇博客中，我們根據(jù)過去 5 年與內(nèi)存供應(yīng)商和 Synopsys VIP 早期采用者合作的理解，討論了 LPDDR2 的新功能。

LPDDR5 增加了數(shù)據(jù)帶寬，同時保留了使用深度睡眠機制的節(jié)能選項。LPDDR5的一些主要功能如下： –

帶寬：內(nèi)存帶寬在新興應(yīng)用中非常重要，例如需要低延遲的高速游戲，或 1080p、4K 視頻或慢動作視頻等大數(shù)據(jù)傳輸。LPDDR5 可支持高達 6400 Mb/s 的帶寬。

鏈接 ECC：LPDDR5 將支持用于讀寫操作的鏈路 ECC 功能，即使在由于傳輸或數(shù)據(jù)存儲（電荷損失）而引入錯誤時也能恢復(fù)數(shù)據(jù)。DMI（數(shù)據(jù)掩碼反轉(zhuǎn)）信號將在讀取操作期間用作奇偶校驗信號，RDQS（讀取數(shù)據(jù)選通）信號將在寫入操作期間用作奇偶校驗信號。

DSM：深度睡眠模式 （DSM） 用于將 IDD 電流降低 40%。DSM 可以在空閑狀態(tài)或自我刷新狀態(tài)下發(fā)出。DSM 狀態(tài)時間相對較長（約 4 毫秒），因為 DSM 包括深度掉電和自刷新。在 DSM 中，DRAM 內(nèi)可能會禁用所有輸入緩沖器、所有輸出緩沖器和內(nèi)部電路的電源。

數(shù)據(jù)復(fù)制：數(shù)據(jù)復(fù)制是一種低功耗功能，通過利用每個 5Byte 數(shù)據(jù)復(fù)制粒度的數(shù)據(jù)模式可重復(fù)性來降低 LPDDR4 IO 和核心功耗（IDD4W、IDD8R）消耗。LPDDR5 數(shù)據(jù)復(fù)制低功耗功能在具有相同延遲和交流時序條件的正常寫入、掩碼寫入和/或讀取操作中添加。

WCK時鐘：LPDDR5引入了WCK時鐘，類似于GDDR5。LPDDR5 以兩個差分時鐘 CK_t 和 CK_c 工作，而數(shù)據(jù)接口使用兩個差分正向時鐘WCK_t和WCK_c.WCK_t和 WCK_c 可以以命令/地址（操作）時鐘 （CK_t/CK_c） 頻率的兩倍或四倍的頻率工作。在下面的示例中，WCK_t 和 WCK_c 用于對 DQ 數(shù)據(jù)進行寫入操作采樣，并切換 DQ（數(shù)據(jù)）以進行讀取操作。

審核編輯：郭婷