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晶格素化推動了高效的SnSe晶體熱電制冷技術(shù)

jf_86259660 ? 來源:jf_86259660 ? 作者:jf_86259660 ? 2023-05-29 09:12 ? 次閱讀
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來源|Science,北航新聞網(wǎng)

01

背景介紹

熱電技術(shù)已廣泛應(yīng)用于廢熱回收和固態(tài)制冷等關(guān)鍵領(lǐng)域。其中,熱電制冷是利用帕爾帖效應(yīng)直接將電能轉(zhuǎn)換為熱能的綠色制冷技術(shù),僅通過調(diào)節(jié)工作電壓和電流就可以實現(xiàn)對制冷量和溫度的連續(xù)高精度控制。熱電制冷技術(shù)由于其控溫精準(zhǔn)、尺寸靈活、結(jié)構(gòu)多樣和局部冷卻等眾多優(yōu)勢,在精確制導(dǎo)、傳感器5G光模塊等關(guān)鍵領(lǐng)域具有比傳統(tǒng)的機(jī)械壓縮式制冷技術(shù)更強(qiáng)的競爭優(yōu)勢。因此,研發(fā)高性能制冷材料,提升制冷器件的制冷效率,對于諸多科技自立自強(qiáng)等關(guān)鍵領(lǐng)域的精確溫控具有重要意義。

器件的制冷效率主要由材料的無量綱熱電性能優(yōu)值(ZT值)決定。由ZT值的定義ZT = (S2σ/κ) T 可知,在給定溫度T下,高性能材料應(yīng)具有大的溫差電動勢S(產(chǎn)生大的電壓),高的電導(dǎo)率σ(減小焦耳熱損耗)和低的熱導(dǎo)率κ(產(chǎn)生大的溫差)。然而各個物理參數(shù)之間的復(fù)雜聯(lián)系形成了緊密的聲子-電子耦合關(guān)系,使得熱電材料的性能優(yōu)化極其具有挑戰(zhàn)性,調(diào)控這些強(qiáng)烈耦合的復(fù)雜熱電參數(shù)是提高材料ZT值和制冷效率的關(guān)鍵。


目前,碲化鉍(Bi2Te3)基材料仍為唯一的可應(yīng)用的熱電制冷材料,然而Te元素的地殼稀缺程度等同于白金(且光伏材料CdTe占據(jù)一半市場份額),再且Bi2Te3及熱電制冷器件存在可加工性能差、制冷性能不足和運(yùn)行功耗過高等問題,探索和開發(fā)新型熱電制冷材料及器件至關(guān)重要。


02

成果掠影

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北京航空航天大學(xué)趙立東教授團(tuán)隊提出了“lattice plainification(晶格素化)”概念,通過降低硒化錫(SnSe)晶格中的空位濃度,大幅削弱了晶格缺陷對載流子的散射,實現(xiàn)了載流子遷移率的顯著提升。研究證明,Cu可以填充Sn空位以削弱缺陷散射并提高載流子遷移率,促進(jìn)功率因數(shù)超過100μW cm-1K-2,在 300至 773 K時平均ZT約為2.2。研究人員使用 p型 SnCu0.001Se晶體與n型商業(yè)Bi2Te2.7Se0.3耦合制造了七對熱電制冷裝置,制備的熱電器件在300 K溫差下實現(xiàn)了約12.2%單腿發(fā)電效率,環(huán)境溫度下七對珀耳帖的最大冷卻溫差ΔTmax達(dá)到~61.2 K。該研究對于SnSe晶體在發(fā)電和熱電冷卻中的實際應(yīng)用非常重要。

研究成果以“Lattice plainification advances highly effective SnSe crystalline thermoelectrics”為題發(fā)表于《Science》。該研究工作是趙立東教授課題組自2015年以來發(fā)表的第 8篇 Science。

03

圖文導(dǎo)讀


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圖1. 通過晶格平整策略在 SnSe 晶體中實現(xiàn)高性能發(fā)電和Peltier冷卻。

結(jié)果優(yōu)于大多數(shù)報道的單腿和多對熱電裝置在相似溫差下的轉(zhuǎn)換效率ΔT(圖1B)。當(dāng)熱端溫度Th固定在~300 K(圖1C)時,與商用Bi2Te3基器件的冷卻性能相當(dāng)。此外,在更高的Th條件下可以實現(xiàn)更大的ΔTmax值,在~343 K的Th時ΔTmax接近~90.6 K(圖1C)。

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圖2. SnCuxSe的電傳輸特性。

在300 K時超過~3000 Scm-1(圖2A)。更高的載流子濃度將費(fèi)米能級推得更深,并激活更多的價帶參與電傳輸,有利于維持更大的塞貝克系數(shù)(圖2B)。作為電導(dǎo)率和塞貝克系數(shù)協(xié)同調(diào)節(jié)的結(jié)果,研究人員通過稍微添加0.001 mol Cu在300 K獲得了~100 μW cm-1K-2的最大PF值(圖2C),其性能優(yōu)于大多數(shù)p型熱電材料。電學(xué)性能可以通過加權(quán)遷移率μw更好地反映,μ和m*之間的協(xié)同作用優(yōu)化了電傳輸特性能帶結(jié)構(gòu)(圖2D-F)。

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圖3. 通過對 SnCu0.001Se 中缺陷形成能和價帶結(jié)構(gòu)的理論模擬揭示了多種 Cu的作用。圖3A和B說明了在富錫和富硒條件下計算出的與銅相關(guān)缺陷的缺陷形成能。Cu無論是填補(bǔ)Sn空位還是替代Sn,都是占據(jù)晶格中的Sn位點(CuSn)。確定了Cu原子從SnSe的范德瓦爾斯間隙處的初始間隙位置漂移到鄰近的穩(wěn)定Sn空位所需的擴(kuò)散能壘(圖3C)。DFT計算表明Cu 的引入主要通過改變價帶最大值 (VBM) 之間的能量差來顯著影響能帶結(jié)構(gòu)(圖 3D, E )。微觀結(jié)構(gòu)觀察、SR-XRD實驗和DFT計算均表明,微小的Cu原子通過填充晶格中的Sn空位有助于實現(xiàn)晶格平整化并提高載流子遷移率。

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圖4. 熱傳輸、無量綱品質(zhì)因數(shù) ZT 和發(fā)電。

熱導(dǎo)率在整個溫度范圍內(nèi)保持相對較低(圖4A)。添加微小的銅原子后,總熱導(dǎo)率κtot略有增加,0.0005 mol Cu的樣品在300 K時的最大κtot值為~2.3 W m-1K-1(圖4A)。在含0.001 mol Cu的樣品中,在300 K時達(dá)到了~1.5的最大ZT值(圖4B),在300至77.3K時達(dá)到了~2.2的創(chuàng)紀(jì)錄平均ZT(ZTave)(圖4B)。p型SnCu0.001Se的單腿熱電裝置,在~300 K 的溫差 ΔT 下實現(xiàn)了~12.2% 的優(yōu)異能量轉(zhuǎn)換效率 η(圖 4D)。

END

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