與半導體市場整體“低迷”的現(xiàn)狀不同，功率半導體市場異常熱鬧。

功率半導體正從傳統(tǒng)硅基功率器件IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）、MOSFET（金氧半場效晶體管），走向以SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）為代表的時代。

在這條賽道上，企業(yè)融資并購、廠商增資擴產、新玩家跑步入場、新項目不斷涌現(xiàn)。

多位長期關注功率半導體發(fā)展的專業(yè)人士對《中國經營報》記者表示，伴隨著 5G、物聯(lián)網、新能源等行業(yè)的迅速發(fā)展，具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、熱導率、電子飽和速率及抗輻射能力的碳化硅、氮化鎵等為代表的第三代半導體材料進入快速發(fā)展階段，市場前景廣闊。

大廠入局

2018年，特斯拉開始在新能源汽車Model 3的主驅逆變器里，使用基于碳化硅材料的SiC MOSFET，以替代傳統(tǒng)的硅基IGBT。此舉，正式將SiC從幕后推到臺前，也被后入場的新能源汽車廠商效仿。

由于 SiC器件具有耐高溫、低損耗、導熱性良好、耐腐蝕、強度大、高純度等優(yōu)點，并且在禁帶寬度、絕緣擊穿場強、熱導率以及功率密度等參數方面要遠遠優(yōu)于傳統(tǒng)硅基半導體。

半導體分析師王志偉對記者分析道，利用SiC特性在新能源汽車的使用中可以延長續(xù)航里程，降低汽車自重，尤其是縮短充電樁充電時間，除此之外，在服務器電源、工業(yè)驅動電機可再生能源等領域的應用在逐步擴大化。

與此同時，王志偉表示，與碳化硅一樣，氧化鎵同樣被業(yè)內所看好，但是，氧化鎵還有諸多技術瓶頸待突破。比如，由于高熔點、高溫分解以及易開裂等特性，大尺寸氧化鎵單晶制備較難實現(xiàn)，距離真正規(guī)模化、商業(yè)化量產還需要一定時間。

根據TrendForce集邦咨詢《2023 SiC功率半導體市場分析報告》，隨著Infineon、ON Semi等與汽車、能源業(yè)者合作項目明朗化， 2023年整體SiC功率元件市場規(guī)模有望增長至22.8億美元，年成長率為41.4%。同時，受惠于電動汽車及可再生能源等下游主要應用市場的強勁需求，2026年SiC功率元件市場規(guī)模有望達到53.3億美元。另Yole數據顯示，預計到2023年，全球碳化硅材料滲透率有望達到3.75%。

海內外巨頭也紛紛錨定了這一藍海市場。汽車半導體芯片巨頭瑞薩電子在日前宣布，將于2025年開始使用SiC來生產降低損耗的下一代功率半導體產品，計劃在目前生產硅基功率半導體的群馬縣高崎工廠進行量產，但具體投資金額和生產規(guī)模尚未確定。

值得注意的是，瑞薩電子此前很少涉及SiC相關業(yè)務，不過，作為新玩家，瑞薩社長兼CEO柴田英利表示，“在功率半導體上、我們起步非常慢。客戶對瑞薩IGBT的評價非常高、會將這些評價活用至SiC業(yè)務上。現(xiàn)在SiC市場仍小，但將來毫無疑問會變得非常大。”

除了新玩家外，傳統(tǒng)廠商也在加緊“跑馬圈地”。安森美半導體正考慮投資20億美元提高碳化硅芯片產量。安森美半導體目前在安森美半導體美國、捷克和韓國都設有工廠，其中，韓國工廠已經在生產 SiC 芯片。

安森美半導體高管表示，公司正考慮在美國、捷克或韓國進行擴張，目標是到2027年占據碳化硅汽車芯片市場40%的份額。

而在德國，工業(yè)巨頭博世近期計劃通過收購美國芯片制造商TSI半導體，期望在2030年年底之前擴大自己的SiC產品組合。

不過，成功“帶火”碳化硅的特斯拉給這一行業(yè)“潑了一盆冷水”，其于近日宣布，特斯拉下一代電動車將大幅削減75%的碳化硅用量。特斯拉表示，其創(chuàng)新技術允許該公司能從客制化電晶體封裝，抽出更多熱能，因此將減少在電晶體封裝使用的碳化硅，也已找到讓下一代電動車的動力系統(tǒng)減少使用75%碳化硅，卻不會犧牲汽車效能的方式。

對此，王志偉認為，特斯拉下一代電動車削減碳化硅用量的原因可能是為了降低成本，同時也可能是因為該車型的電力控制場景不需要使用SiC功率半導體。

國產替代有望“彎道超車”

從市場占有率來看，碳化硅功率器件全球主要的市場份額主要掌握在以意法半導體、英飛凌、科銳、羅姆半導體等為代表的企業(yè)手中，前五名的公司所占份額達91%。

王志偉表示，國內也有不少SiC器件廠商推出了車規(guī)級SiC 器件產品，但目前已經在電動汽車上大量出貨的國產SiC器件廠商以及產品卻還很罕見。

不過，隨著近年來我們的國家政策積極支持碳化硅產業(yè)發(fā)展，根據“十四五規(guī)劃和2035年遠景目標綱要”，我國將加速推動以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體新材料新技術產業(yè)化進程，催生一批高速成長的企業(yè)。

其中三安光電、華潤微、基本半導體、中國電科等在內的本土廠商，正在發(fā)力SiC功率半導體。

截至2023年4月底，三安光電已簽署的碳化硅器件長期采購協(xié)議總金額超70億元；而天岳先進披露的年報顯示，其已于2022年與博世集團簽署了長期協(xié)議，加入博世集團的碳化硅襯底片供應商行列。

不僅如此，國內廠商也實現(xiàn)了流片。近日，中國電科宣布旗下55所與一汽聯(lián)合研發(fā)的首款750V碳化硅功率芯片完成流片，首款全國產1200V塑封2in1碳化硅功率模塊完成A樣件試制。而55所此前已在國內率先突破了6英寸碳化硅MOSFET批產技術，碳化硅MOSFET器件在新能源汽車上批量應用，裝車量達百萬輛，處于國內領先地位。同時，在SiC定制化和研發(fā)難度較高的設備端，中國電科48所研制的碳化硅外延爐出貨量同比大幅增長。

王志偉認為，隨著國內產業(yè)鏈的不斷完善和技術的不斷提升，國產功率半導體的市場份額有望逐步增加。

王志偉對記者表示雖然與英飛凌、安森美等國外龍頭相比，國內功率芯片市場仍處于起步階段，但是隨著政策扶持和市場需求的不斷增加，國內企業(yè)有望在未來逐步崛起。而且與以SiC為代表的功率半導體制造對下游制造環(huán)節(jié)設備的要求相對較低，投資額相對較小，還能在一定程度上擺脫對高精度***為代表的加工設備依賴，是我國在半導體領域實現(xiàn)突圍的關鍵賽道，將對未來國際半導體產業(yè)格局的重塑產生至關重要的影響。

洛克資本合伙人李音臨認為，目前國內的第三代半導體從襯底材料、外延、設計制造等各個環(huán)節(jié)，均有對標海外巨頭的國內企業(yè)。而成本的下降，主要依托制造工藝的效率提升，對于最擅長在已經證實可行的領域中降本增效的中國企業(yè)來說，該賽道已經進入了最有利于中國企業(yè)的階段。

中信證券發(fā)表研報也指出，SiC器件性能優(yōu)勢顯著，下游應用環(huán)節(jié)廣闊，在高功率應用上替代硅基產品具有強確定性，預計未來幾年行業(yè)將保持高增速。在當前時間點，國內龍頭企業(yè)不斷擴張產能，搶占市場份額，有望打破海外壟斷，投資價值凸現(xiàn)。

?審核編輯 ：李倩