1Mbit存儲MRAM芯片MR0A16A
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有SRAM的高速讀取寫入能力，以及DRAM的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。MRAM具備高速讀寫、低功耗、高密度、耐擦寫、寬溫區和抗輻照等優勢。
Everspin型號MR0A16A容量為1Mbit的MRAM存儲芯片，組織為16位的65536個字。提供與SRAM兼容的35ns讀/寫時序，續航時間無限制。數據在20年以上的時間內始終是非易失性的。通過低電壓抑制電路在斷電時自動保護數據，以防止電壓超出規格時寫入。是必須永久存儲和快速檢索關鍵數據和程序的應用程序的理想內存解決方案。
采用的封裝44-TSOP、48-BGA與類似的低功耗SRAM產品和其他非易失性RAM產品兼容。可在各種溫度范圍內提供高度可靠的數據存儲。
Everspin公司生產的MRAM有三種類型——MRAM和STT MRAM、xSPI MRAM。Everspin代理英尚國際有限公司可提供MRAM樣品測試及應用解決方案等產品服務。
審核編輯黃宇
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
芯片
+關注
關注
455文章
50714瀏覽量
423154 -
存儲
+關注
關注
13文章
4296瀏覽量
85800 -
MRAM
+關注
關注
1文章
236瀏覽量
31717
發布評論請先 登錄
相關推薦
VK16K33A存儲器映射和多功能LED控制驅動芯片中文手冊
VK16K33A是一款存儲器映射和多功能 LED控制驅動芯片。該芯片支持最大 128 點的顯示模式（16SEGs×8COMs） 以及最大13
發表于 11-14 16:15
?0次下載
高速光耦KLM45X 產品規格書
KLM45XSOP5高速1MBit/s晶體管光耦1.產品特點Productfeatures?高速1MBit/s?寬工作溫度范圍(-40°C至85°C）?可保證在0至70℃溫度范圍內運行
發表于 08-20 15:06
?0次下載
以32Mbit-C1模式刷新SPI_MODE_MAP=6的固件，它永遠不會進入用戶代碼，為什么？
我編譯了一個 SPI_MODE_MAP=6 的固件，在 32Mbit 刷寫模式下在0x01000地址刷寫后工作正常，但加載器 （1.4b1） 顯示它是 32Mbit（512K 512K
發表于 07-22 07:04
TRSF3221E 3V至5.5V單通道 RS-232 1Mbit/s線路驅動器和接收器數據表
電子發燒友網站提供《TRSF3221E 3V至5.5V單通道 RS-232 1Mbit/s線路驅動器和接收器數據表.pdf》資料免費下載
發表于 06-22 09:42
?0次下載
TRSF3232E 3V至5.5V雙通道RS-232 1Mbit/s線路驅動器和接收器數據表
電子發燒友網站提供《TRSF3232E 3V至5.5V雙通道RS-232 1Mbit/s線路驅動器和接收器數據表.pdf》資料免費下載
發表于 06-19 11:51
?0次下載
M3芯片和A16芯片哪個強
M3芯片和A16芯片各有優勢，難以簡單地判斷哪個更強。M3芯片是專為蘋果自家設備設計的處理器，其圖形處理能力和神經網絡運算能力表現出色，適合處理高性能任務。而
MRAM HS4MANSQ1A-DS1在汽車電子中的應用
易失存儲器。MRAM具有納秒級高速寫入和萬億次擦寫耐久度，可滿足汽車電子應用場景的頻繁實時記錄數據的要求；以下是汽車信息采集系統結構圖：國芯思辰HS4MANSQ1A-DS1是一個容量為4Mbi
illd_1_0_1_16_1__tc37a與illd_1_0_1_16_1__tc37aed有區別？
illd_1_0_1_16_1__tc37a與illd_1_0_1_16_1__tc37aed有區別
芯片是tc377tp-96f300s aaatpsouseweade哪個呢？
發表于 01-26 06:51
臺積電開發出SOT-MRAM陣列芯片，功耗極低
臺積電近日宣布，與工研院合作開發出自旋軌道轉矩磁性存儲器（SOT-MRAM）陣列芯片，該芯片具有極低的功耗，僅為其他類似技術的1%。這一創新
臺積電開發出SOT-MRAM陣列芯片
據報道，全球領先的半導體制造公司臺積電在次世代MRAM存儲器相關技術方面取得了重大進展。該公司成功開發出自旋軌道轉矩磁性存儲器（SOT-MRAM）陣列
MRAM（磁性只讀存儲器）和FRAM（鐵電RAM）有何區別
MRAM或磁性隨機存取存儲器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態”的1晶體管–1磁性隧道結（1T-1MTJ）體系結構作為數據
發表于 01-09 14:24
?1218次閱讀
工商網監
評論