只需使用一個低成本CMOS IC 4049和幾個獨立的模塊，就可以輕松創建一個強大的函數發生器，在音頻頻譜周圍和之外提供三個波形的范圍。

本文的目的是創建一個基本的、經濟高效的開源頻率發生器，它易于構建，可供所有業余愛好者和實驗室專業人員使用。

毫無疑問，這一目標已經實現，因為該電路提供各種正弦波、方波和三角波，并且大約 12 Hz 至 70 KHz 的頻譜僅采用單個 CMOS 六角逆變器

IC 和幾個獨立元件。

毫無疑問，該架構可能無法提供更高級電路的效率，特別是在增加頻率下的波形一致性方面，但它仍然是一種非常方便的音頻分析工具。

三角形輸出通過緩沖放大器提供給二極管整形器，緩沖放大器將三角形的高電平和低電平四舍五入，以產生近似于正弦波信號。

然后，3路選擇開關S3可以選擇2個波形中的每一個，并將其提供給輸出緩沖放大器。

電路的工作原理

CMOS函數發生器的完整電路圖如上圖所示。積分器完全使用CMOS逆變器Nl構建，而施密特機制包含2個正反饋逆變器。它是 N2 和 N3。

下圖顯示了IC 4049的引腳排列詳細信息，用于應用于上述原理圖

電路以這種方式工作;考慮到目前P2游標處于最低位置，N3輸出為高電平，電流相當于：

Ub - U1 / P1 + R1

通過R1和p1傳輸，其中Ub表示電源電壓，Ut表示N1閾值電壓。

由于該電流無法進入逆變器高阻抗輸入，因此它開始向C1/C2行進，具體取決于開關S1在線上切換的電容器。

因此，C1上的壓降呈線性減小，使得N1的輸出電壓在接近施密特觸發器的較低閾值電壓之前線性上升，就像施密特觸發器的輸出變低一樣。

現在相當于-Ut / P1 + R1的電流流過R1和P1。

該電流始終流過C1，因此N1的輸出電壓呈指數級增長，直到達到施密特觸發器的最大極限電壓，施密特觸發器的輸出上升，整個周期重新開始。

為了保持三角波對稱性（即波形的正向和負向部分的斜率完全相同），電容的負載和放電電流必須相同，這意味著Uj，-Ui 應該與 Ut 相同。

然而，可悲的是，Ut由CMOS逆變器參數決定，通常是55%！源電壓Ub = Ut約為2.7 V，6 V，Ut約為3.3 V。

P2克服了這一挑戰，P《》需要修改對稱性。目前，考慮泰國R-與正供應線（位置A）有關。

無論P2的設置如何，施密特觸發器的高輸出電壓始終保持11。

然而，當N3輸出較低時，R4和P2建立電位分壓器，以便根據P2的游標配置，0 V至3 V之間的電壓可以返回到P1。

這可確保電壓不再是-Ut，而是Up2-Ut。如果P2滑塊電壓約為0.6 V，則Up2-Ut應在-2.7 V左右，因此充電和放電電流將是相同的。

顯然，由于Ut值的公差，應執行P2調整以匹配特定的函數發生器。

在Ut小于輸入電壓的50%的情況下，將R4的頂部接地（位置B）可能是合適的。

可以找到幾個頻率標度，將使用 S1 分配;12 Hz-1 kHz 和 1 kHz 至大約 70 kHz。

該電流始終流過C1，因此N1的輸出電壓呈指數級增長，直到達到施密特觸發器的最大極限電壓，施密特觸發器的輸出上升，整個周期重新開始。

為了保持三角波對稱性（即波形的正向和負向部分的斜率完全相同），電容的負載和放電電流必須相同，這意味著Uj，-Ui 應該與 Ut 相同。

然而，可悲的是，Ut由CMOS逆變器參數決定，通常是55%！源電壓Ub = Ut約為2.7 V，6 V，Ut約為3.3 V。

P2克服了這一挑戰，P《》需要修改對稱性。目前，考慮泰國R-與正供應線（位置A）有關。

無論P2的設置如何，施密特觸發器的高輸出電壓始終保持11。

然而，當N3輸出較低時，R4和P2建立電位分壓器，以便根據P2的游標配置，0 V至3 V之間的電壓可以返回到P1。

這可確保電壓不再是-Ut，而是Up2-Ut。如果P2滑塊電壓約為0.6 V，則Up2-Ut應在-2.7 V左右，因此充電和放電電流將是相同的。

顯然，由于Ut值的公差，應執行P2調整以匹配特定的函數發生器。

在Ut小于輸入電壓的50%的情況下，將R4的頂部接地（位置B）可能是合適的。

可以找到幾個頻率標度，將使用 S1 分配;12 Hz-1 kHz 和 1 kHz 至大約 70 kHz。

此外，通過檢查方波輸入可以理想地優化三角形對稱性，因為如果方波占空比為 50%（1-1 標記空間），則會產生對稱三角形。

為此，您必須調整預設的P2。

如果當P2游標向下移動到N3輸出時，對稱性增加，但無法實現正確的對稱性，則必須將R4的上部連接在交替位置。

通過調整P4直到波形“看起來完美”來改變正弦波的純度，或者只有在有失真計需要檢查時才改變失真以最小失真。

由于電源電壓會影響不同波形的輸出電壓，從而影響正弦波的純度，因此電路必須由可靠的6 V電源供電。

當電池用作電源電池時，不應強迫它們向下運行太多。

用作線性電路的CMOS IC消耗的電流高于通常的開關模式，因此電源電壓不得超過6 V，否則IC會因大量散熱而發熱。