由輸入信號幅值控制的開關用作輸入信號電平指示器、輸入信號電平分析器、電源電壓指示器等。這種開關通常作為一系列比較器或雙極性或場效應晶體管與輸入電阻分壓器組合制成。

下面描述的開關是使用MOSFET Q1–Q11 2N7000 制成的，其特點是方案相當簡單，能夠增加開關通道的數(shù)量，并且存在不重疊的開關窗口。此功能允許您使用由幅度控制的多位置開關作為多負載開關設備，僅通過兩根電線即可從多個等效控制面板進行控制。

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這些面板包含多個與其串聯(lián)的開關和電阻器，開關的未使用引腳通過控制線連接到設備的電源總線，電阻器的未使用引腳也連接在一起并通過控制線連接到多位置開關輸入。

多位置開關， 圖1，工作原理如下。輸入信號饋送到電阻分壓器R1–R6。從電阻分壓器R1–R6到電阻R7–R12，控制信號被發(fā)送到控制負載R13–R18的場效應晶體管的柵極。與晶體管的控制電路（源極-門）并聯(lián)，連接晶體管，隨著輸入電壓的增加提供這些電路的順序分流。

圖1 通過對其輸入施加不同水平的電壓來控制的六位開關的電氣圖。

在初始狀態(tài)下，如果沒有控制電壓，器件的所有六個輸出端都存在高電平電壓，幾乎等于多位置開關的電源電壓（從6到60 V）。

對于第一個通道，輸出電壓幾乎降至零， 圖2，當對開關輸入施加 2.4 至 4.1 V 的電壓時。

圖2 多位置開關的電氣過程（開關輸出級）的動態(tài)，當線性增加的電壓施加到其輸入端時。

對于第二個通道，開關狀態(tài)切換窗口在 4.9 至 8.0 V 范圍內(nèi)。 對于第三個通道 – 從 9.5 V 到 12.8 V;第四個 – 從 15.2 到 21.6 V;第五個 – 從 25.3 V 到 32.7 V，第六個超過 38 V。

多位置開關的最大輸入電壓不超過40 V。在這種情況下，晶體管柵極上的最大可能電壓不超過其最大允許護照值（不超過20 V）。

如果需要，可以通過選擇輸入電阻分壓器R1–R6的值來調(diào)整通道的電壓開關范圍。