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淺談新能源汽車電機(jī)控制器的MOSFET B2M065120H應(yīng)用

2234303793 ? 來源:國(guó)芯思辰 ? 2023-06-01 11:42 ? 次閱讀

新能源汽車電機(jī)控制器是控制新能源汽車核心動(dòng)力的大腦,而新能源汽車的核心動(dòng)力系統(tǒng)是電機(jī)控制器上由硅原料加工制作而成的IGBT半導(dǎo)體功率器件。 但是由于材料限制,傳統(tǒng)硅基功率器件在許多方面逐步逼近甚至已達(dá)到其材料的極限。以碳化硅為代表的半導(dǎo)體材料正以其卓越的性能吸引著廣大制造商,本文推薦基本半導(dǎo)體第二代碳化硅MOSFET B2M065120H用于新能源汽車的電機(jī)控制器,該器件比上一代產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗以及可靠性等方面表現(xiàn)更為出色。

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基本半導(dǎo)體自2017年開始布局車用碳化硅器件研發(fā)和生產(chǎn),目前已掌握碳化硅芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、模塊封裝、驅(qū)動(dòng)應(yīng)用等核心技術(shù),申請(qǐng)兩百余項(xiàng)發(fā)明專利,產(chǎn)品性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。 基本半導(dǎo)體B2M065120H具有更低的比導(dǎo)通電阻,通過綜合優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)方案,比導(dǎo)通電阻降低約40%,產(chǎn)品性能顯著提升,且具有非常低的開關(guān)損耗,B2M065120H器件Qg降低了約60%,開關(guān)損耗降低了約30%,反向傳輸電容Crss降低,提高器件的抗干擾能力,降低器件在串?dāng)_行為下誤導(dǎo)通的風(fēng)險(xiǎn)。

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B2M065120H性能參數(shù): ?RDS (on):65mΩ ?Voltage:1200V ?最高工作結(jié)溫:175°C ?封裝:T0-247-3、T0-247-4、T0-263-7 基本半導(dǎo)體汽車級(jí)碳化硅功率模塊產(chǎn)線已實(shí)現(xiàn)全面量產(chǎn),目前年產(chǎn)能達(dá)25萬只模塊;車規(guī)級(jí)碳化硅芯片產(chǎn)線已通線,達(dá)產(chǎn)后每年可保障約50萬輛新能源汽車的相關(guān)芯片需求。

編輯:黃飛

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原文標(biāo)題:基本半導(dǎo)體第二代碳化硅MOSFET B2M065120H可用于新能源汽車電機(jī)控制器

文章出處:【微信號(hào):國(guó)芯思辰,微信公眾號(hào):國(guó)芯思辰】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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