一、IIT結(jié)構(gòu)

IIT（In-In-Tab）結(jié)構(gòu)的卷芯，正負(fù)極耳均焊接在頭部，極片入料時(shí)可以較好地控制極耳位置，通常極耳中心距和邊距不良的情況較少。

附圖1：IIT結(jié)構(gòu)極片及極組示意圖

附表1：IIT結(jié)構(gòu)試卷問(wèn)題及解決措施

二、MIT結(jié)構(gòu)

MIT（Mid-In-Tab）結(jié)構(gòu)的卷芯，正極耳焊接在極片中間，而負(fù)極耳焊接在頭部，相比IIT結(jié)構(gòu)，中心距和邊距更難控制。

附圖2：MIT結(jié)構(gòu)極片及極組示意圖

附表2：MIT結(jié)構(gòu)試卷問(wèn)題及解決措施

三、IMT結(jié)構(gòu)

IMT（In-Mid-Tab）結(jié)構(gòu)的卷芯，負(fù)極耳焊接在極片中間，而正極耳焊接在頭部，與MIT結(jié)構(gòu)類似。

附圖3：IMT結(jié)構(gòu)極片及極組示意圖

附表3：IMT結(jié)構(gòu)試卷問(wèn)題及解決措施

四、MMT結(jié)構(gòu)

MMT（Mid-Mid-Tab）結(jié)構(gòu)的卷芯，正負(fù)極耳均焊接在極片中間，中心距和邊距較難控制。

附圖4：MMT結(jié)構(gòu)極片及極組示意圖

附表4：MMT結(jié)構(gòu)試卷問(wèn)題及解決措施

五、OOT結(jié)構(gòu)

OOT（Out-Out-Tab）結(jié)構(gòu)的卷芯，正負(fù)極耳均焊接在極片尾部，卷繞完成后才能確定極耳位置，與極片一致性關(guān)系較大，中心距和邊距最難控制。

附圖5：OOT結(jié)構(gòu)極片及極組示意圖

附表5：OOT結(jié)構(gòu)試卷問(wèn)題及解決措施

需要注意的是，卷芯尺寸、包覆情況等之間相互存在關(guān)聯(lián)性，如MMT結(jié)構(gòu)卷芯，正極片入料增加后，極耳中心距和正極耳邊距都會(huì)減小，而負(fù)極片入料增加后，極耳邊距會(huì)減小，而中心距會(huì)增大，因此，在調(diào)整極片尺寸或極耳位置時(shí)，切不可顧此失彼。

如此多的卷繞結(jié)構(gòu)是基于電芯性能和制造工藝難易程度決定的，通過(guò)理論計(jì)算說(shuō)明了極耳中置將會(huì)降低75%的集流體內(nèi)阻，從而提高倍率性能。且有相關(guān)文獻(xiàn)（高倍率鋰電池極耳研究）研究了極耳焊接在不同位置的內(nèi)阻和倍率性能，結(jié)果證實(shí)了極耳焊接越靠近極片中心，全電池內(nèi)阻越小，倍率性能越好。

附圖6：幾種卷芯結(jié)構(gòu)極耳焊接位置示意圖

附圖7：幾種卷芯結(jié)構(gòu)性能對(duì)比

由此可見(jiàn)，IIT結(jié)構(gòu)的內(nèi)阻最大，倍率性能差，MMT結(jié)構(gòu)內(nèi)阻最小，倍率性能最好，而MIT和ITM介于二者之間，并且負(fù)極耳中置的大倍率放電性能比正極耳中置更好。

總 結(jié)

1、極耳中置縮短了電子運(yùn)動(dòng)路徑，可以有效降低全電池歐姆內(nèi)阻，降低極化，減小溫升，提高倍率性能，但增加了工藝復(fù)雜度，極耳中心距和邊距控制難度增加。

2、IIT結(jié)構(gòu)的電池和OOT結(jié)構(gòu)內(nèi)阻相差不大，但OOT結(jié)構(gòu)極耳在卷芯外層，因此特別適合窄條形但中心距要求大的電芯，能大大降低正負(fù)極耳觸碰短路的風(fēng)險(xiǎn)。