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一個(gè)傳導(dǎo)、輻射超標(biāo)整改過程案例分析

硬件筆記本 ? 來源:硬件筆記本 ? 2023-06-06 09:42 ? 次閱讀

這是一款輸入寬電壓120-277V 60Hz,輸出48V,273mA的電源,采用Buck拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

wKgZomR-jweAFf57AACuCCRMGGM259.jpg

注:在最初的設(shè)計(jì)中,預(yù)留電感L1、L2,CBB電容C1、C2作為傳導(dǎo)測(cè)試元件,預(yù)留磁珠FB1、陶瓷貼片電容C9、貼片電阻R14、R15作為輻射測(cè)試元件;

傳導(dǎo)測(cè)試:

1、短接L2,L1=4.7mH,C1=0.1uf,C2=0.1uf,120V電壓輸入,L線傳導(dǎo)圖像:

wKgZomR-jweAUtIJAACamXw2jIg353.jpg

277V電壓輸入,L線傳導(dǎo)圖像:

wKgaomR-jweAMUE5AACPCYE0ixs968.jpg

結(jié)果:輸入277V,將近150K的頻率讀點(diǎn)后余量少于3db

整改辦法:將C2加大到0.22uf,再次測(cè)試圖像如下:

wKgaomR-jweAX2ldAACTR-4o0TE195.jpg

結(jié)果:手動(dòng)讀點(diǎn),余量7.19db,驗(yàn)證N線后,無壓力通過。

輻射測(cè)試:

1、在不加磁珠FB1、不加環(huán)路電容、變壓器不包銅皮的情況下,輻射數(shù)據(jù)嚴(yán)重超標(biāo);

2、整改方案:將如下整改位置加強(qiáng),即:增加磁珠FB1(100M 60ohm),環(huán)路電容C9=1nf。

結(jié)果:水平測(cè)試,余量逼近限度線;垂直測(cè)試,31MHz、41MHz、53MHz處輻射數(shù)據(jù)超標(biāo)5-10db;

3、整改方案:基于第二步,將變壓器使用銅皮進(jìn)行外部線圈包裹,同時(shí)將C9增加至2.2nf;

結(jié)果:情況無改善;

4、整改方案:基于第三步,在MOS管Q2的D、S極并接60pf電容;

結(jié)果:情況無改善;

圖像如下:

wKgZomR-jweAKn3TAAIMSOf6wrA482.jpg

5、整改方案:重點(diǎn)關(guān)注高頻開關(guān)點(diǎn)(如下紅色圈處),調(diào)整Layout布線設(shè)計(jì):

wKgaomR-jweAQ6LiAAC2vXfjiSQ472.jpg

原有布線方案中,留意高頻開關(guān)部分(打“X”的黑線),發(fā)現(xiàn)高頻走線過長(zhǎng),環(huán)路面積太大:

wKgaomR-jweAdvYCAAE_M7ZaEi4966.jpg

重新布局、Layout后:

wKgZomR-jweAUi5cAAEyn9gQyRU195.jpg

結(jié)果:

在變壓器不加銅皮、環(huán)路電容C9=2.2nf、磁珠FB1(100MHZ 60ohm)的設(shè)計(jì)參數(shù):120V 水平、垂直測(cè)試圖像

wKgaomR-jweAdpt-AADyHukDNqE706.jpg

277V 60HZ 水平、垂直測(cè)試圖像:

wKgZomR-jweAcW4aAADpSAZeP14664.jpg

驗(yàn)證傳導(dǎo)數(shù)據(jù):

120V 60HZ L、N線:

wKgaomR-jweAaIOkAADmnC1IRAU742.jpg

277V 60HZ L、N線:

wKgZomR-jweARj-uAADY_8MobRI981.jpg

結(jié)果測(cè)試通過。

審核編輯:湯梓紅

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原文標(biāo)題:案例 | 一個(gè)傳導(dǎo)、輻射超標(biāo)整改過程分析

文章出處:【微信號(hào):gh_a6560e9c41d7,微信公眾號(hào):硬件筆記本】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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