潤(rùn)新微電子（Runxin Microelectronics）榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管（FET），該產(chǎn)品具備卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。

產(chǎn)品特點(diǎn)：

易于使用：650V GaN功率晶體管與標(biāo)準(zhǔn)門極驅(qū)動(dòng)器兼容，方便集成到現(xiàn)有系統(tǒng)中。

優(yōu)秀的性能：具備出色的功率損耗特性，顯著降低能量損失，提高系統(tǒng)效率。

無(wú)需自由輪二極管：由于650V GaN功率晶體管的特性，無(wú)需額外添加自由輪二極管，簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

低開關(guān)損耗：采用先進(jìn)的GaN技術(shù)，650V GaN功率晶體管具有較低的開關(guān)損耗，提高了能源利用效率。

環(huán)保認(rèn)證：產(chǎn)品符合RoHS指令要求，無(wú)鹵素材料使用，對(duì)環(huán)境友好。

應(yīng)用領(lǐng)域：

高效能電源供應(yīng)器：650V GaN功率晶體管適用于工業(yè)、通信、電力等領(lǐng)域的高效能電源供應(yīng)器，提供可靠的電源支持。

通信與數(shù)據(jù)中心：可廣泛應(yīng)用于通信設(shè)備、服務(wù)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)，為其提供高效能的能源轉(zhuǎn)換。

汽車電子：可應(yīng)用于電動(dòng)汽車、混合動(dòng)力汽車等汽車電子系統(tǒng)中，提供可靠的功率控制。

封裝信息： 產(chǎn)品型號(hào)：RX65T125H518 封裝類型：DFN8x8

電氣特性（在Te=25°C時(shí)，除非另有規(guī)定）：

額定漏極電流（Continuous Drain Current @ Te=25°C）：125A

額定漏極電流（Continuous Drain Current @ Tc=100°C）：82A

脈沖漏極電流（Pulsed Drain Current @ Te=25°C，脈寬：10μs）：650A

阻塞電壓（Drain-to-Source Voltage）：690V

開啟溫度（Qgating temperature）：-55°C至150°C

其他特性：

靜態(tài)開啟電壓（Vgs）：±20V

最大功率耗散（Maximum Power Dissipation @ Te=25°C）：800W

工作溫度范圍（Operating Temperature Range）：-55°C至150°C

存儲(chǔ)溫度范圍（Storage Temperature Range）：-55°C至150°C

潤(rùn)新微電子的650V GaN功率晶體管（FET）是未來(lái)智能電子系統(tǒng)中的創(chuàng)新產(chǎn)品。它的高性能和廣泛應(yīng)用領(lǐng)域使其成為先進(jìn)技術(shù)的重要組成部分。

該650V GaN功率晶體管的主要特點(diǎn)之一是其與標(biāo)準(zhǔn)門極驅(qū)動(dòng)器的兼容性。這意味著用戶可以輕松將其集成到現(xiàn)有的電子系統(tǒng)中，無(wú)需進(jìn)行復(fù)雜的改裝或更換。這大大減少了產(chǎn)品應(yīng)用的難度和成本，為用戶提供了更高的靈活性。

650V GaN功率晶體管還具有卓越的性能，特別是在功率損耗方面。由于采用了GaN技術(shù)，它具有更低的開關(guān)損耗，可顯著提高能源利用效率。這對(duì)于高效能電源供應(yīng)器、通信和數(shù)據(jù)中心以及汽車電子等領(lǐng)域的應(yīng)用至關(guān)重要。用戶可以在這些領(lǐng)域中獲得更高的效率和可靠性。

另一個(gè)重要的特點(diǎn)是650V GaN功率晶體管無(wú)需額外添加自由輪二極管。傳統(tǒng)的功率晶體管在開關(guān)過程中需要自由輪二極管來(lái)處理電流的反向流動(dòng)。然而，650V GaN功率晶體管的特性使其能夠在開關(guān)過程中有效地處理反向電流，從而簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)。這樣的設(shè)計(jì)優(yōu)化不僅減少了電路的復(fù)雜性，還提高了系統(tǒng)的可靠性和效率。

在環(huán)保方面，潤(rùn)新微電子的650V GaN功率晶體管符合RoHS指令要求，并使用無(wú)鹵素材料。這體現(xiàn)了潤(rùn)新微電子對(duì)環(huán)境友好的承諾，并對(duì)可持續(xù)發(fā)展做出了積極的貢獻(xiàn)。

總結(jié)： 潤(rùn)新微電子的650V GaN功率晶體管（FET）是一款高性能、易于集成、環(huán)保節(jié)能的創(chuàng)新產(chǎn)品。它的廣泛應(yīng)用領(lǐng)域包括高效能電源供應(yīng)器、通信和數(shù)據(jù)中心以及汽車電子等領(lǐng)域。這款產(chǎn)品的出現(xiàn)將為未來(lái)智能城市和可持續(xù)發(fā)展提供強(qiáng)大的支持。潤(rùn)新微電子將繼續(xù)致力于研發(fā)創(chuàng)新產(chǎn)品，推動(dòng)科技進(jìn)步，為用戶創(chuàng)造更美好的未來(lái)。

審核編輯黃宇