ME300D-SE是Firstack總結(jié)12年IGBT/SiC MOSFET測(cè)試經(jīng)驗(yàn)，并經(jīng)歷了ME100D，ME200D，ME300D三代產(chǎn)品迭代，最新研制推出的功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，致力于讓每一個(gè)電力電子領(lǐng)域企業(yè)、高校、研究機(jī)構(gòu)都擁有一臺(tái)“保姆”級(jí)雙脈沖設(shè)備，為測(cè)試工程師們提供更方便、更高效、更高準(zhǔn)確性的測(cè)試方案，幫助工程師更好的評(píng)估IGBT/SiC MOSFET等功率器件。

讓我們一起來(lái)看看它擁有哪些黑科技。

一、功率數(shù)字化測(cè)試軟件DPowerTest解決您的測(cè)試?yán)_


大家在做雙脈沖測(cè)試時(shí)，可能會(huì)有以下幾個(gè)困擾：
1.不同的測(cè)試項(xiàng)目、實(shí)驗(yàn)順序、測(cè)試工況，測(cè)試流程多，任務(wù)重；
2. 測(cè)試數(shù)據(jù)丟失，無(wú)法查詢(xún)分析歷史測(cè)試數(shù)據(jù)及波形；

3. 測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)不一致，引起測(cè)試結(jié)果偏差；

4. 實(shí)驗(yàn)異常時(shí)，無(wú)法判斷是系統(tǒng)哪個(gè)模塊失效；

5.上下電，調(diào)整脈寬，卡點(diǎn)存圖，測(cè)試繁瑣，耗時(shí)長(zhǎng)；

6. 想買(mǎi)臺(tái)設(shè)備，但是已有示波器，不想重復(fù)購(gòu)買(mǎi)；

7. 在示波器上手動(dòng)卡點(diǎn)，計(jì)算開(kāi)關(guān)過(guò)程的時(shí)間、尖峰、損耗等數(shù)據(jù)。
我們的DPowerTest是如何解決這些困擾的呢？一起來(lái)看看吧~



01 自定義測(cè)試流程
在測(cè)試流程界面，自由選擇單脈沖、雙脈沖等實(shí)驗(yàn)類(lèi)型，實(shí)驗(yàn)順序、試驗(yàn)次數(shù)任意調(diào)整；可進(jìn)行單一工況測(cè)試，也可批量添加工況。測(cè)試流程可保存，修改，便于下次使用。

02 測(cè)試結(jié)果追溯
測(cè)試結(jié)果自動(dòng)保存在數(shù)據(jù)庫(kù)，支持檢索、查詢(xún)、上傳服務(wù)器。軟件界面上可對(duì)波形進(jìn)行放大縮小，查看波形細(xì)節(jié)和卡點(diǎn)位置。

03 自定義測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)

行業(yè)內(nèi)通用測(cè)試IGBT的標(biāo)準(zhǔn)是IEC-60747-9，測(cè)試MOSFET的標(biāo)準(zhǔn)是IEC-60747-8，隨著新材料、新拓?fù)?、新封裝的新型功率器件層出不窮，固化的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)不能完全包絡(luò)復(fù)雜的應(yīng)用場(chǎng)景，因此DPowerTest不僅可以按照IEC標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行，還支持用戶(hù)自定義標(biāo)準(zhǔn)。

04設(shè)備模塊化管理

硬件功能（示波器、高壓直流電源、加熱平臺(tái)、低壓直流程控電源、負(fù)載電感、信號(hào)發(fā)生器等）可實(shí)現(xiàn)模塊化管理，比如，單獨(dú)調(diào)試高壓電源升壓/下電、信號(hào)發(fā)生器發(fā)送不同脈寬的PWM、電感切換到不同的擋位、驅(qū)動(dòng)板門(mén)極參數(shù)的調(diào)整等。在提供了手動(dòng)測(cè)試的平臺(tái)同時(shí)，還提高了設(shè)備子系統(tǒng)的利用率。

05單工況測(cè)試時(shí)間小于20s
DPowerTest可在20s內(nèi)完成一次雙脈沖試驗(yàn)，高效來(lái)自于飛仕得自研的高壓直流電源技術(shù)和軟件算法。充電1200V只需要9s（電容2mF），軟件對(duì)波形分析處理需要9s。



06適配主流的國(guó)內(nèi)外品牌示波器
在軟件上，我們打通了多款主流示波器的通訊協(xié)議，用戶(hù)在使用ME300D-SE時(shí)，可以更自由地選擇示波器的品牌。打通協(xié)議后，可實(shí)現(xiàn)軟件操控示波器完成通道設(shè)置和探頭衰減倍數(shù)等設(shè)置，另外自動(dòng)卡點(diǎn)計(jì)算波形。



二、智能硬件
01 MIRACLE PS 智能電源系統(tǒng)
閉環(huán)控制精準(zhǔn)充放電，電壓精度1%FS+3V，電源升壓時(shí)間0-1200V時(shí)長(zhǎng)8.5s@2mF，1200V降壓時(shí)間5.5s@2mF。



02 MIRACLE CAL示波器探頭相位校準(zhǔn)裝置
一鍵完成示波器及探頭相位延時(shí)校準(zhǔn)，減小測(cè)量誤差，提升測(cè)量精度。

基于反向恢復(fù)時(shí)，由于雜散電感LS存在，VCE會(huì)有電壓平臺(tái)，根據(jù)公式Vt=VDC-Ls*(di/dt) 來(lái)擬合出一個(gè)Vt曲線，精準(zhǔn)定位相位差時(shí)間。


03 MIRACLE GDU高性能SiC數(shù)字驅(qū)動(dòng)器
CMTI≥100kV/μs；柵極電壓精度0.1V，電源范圍-15-25V軟件自動(dòng)可調(diào)，正極性(10-25V)可調(diào)，負(fù)極性(-15-0V)可調(diào)；門(mén)極驅(qū)動(dòng)回路寄生電感＜3nH。


04 MIRACLE Fixture分立器件測(cè)試工裝
門(mén)級(jí)電壓可調(diào)：負(fù)壓-15-0V，正壓10-25V，精度0.1V
兼容封裝：TO247-3，TO247-4，TO263封裝類(lèi)型
高溫測(cè)試：室溫至200℃寄生電感：＜10nH
電壓等級(jí)：1200V 電流等級(jí)：5-450A
電壓測(cè)試：支持差分探頭和光隔離探頭

電流測(cè)試：支持羅氏線圈和shunt電阻

三、系統(tǒng)規(guī)格

四、高性?xún)r(jià)比

ME300D-SE在提供高效率、高準(zhǔn)確度、智能化的測(cè)試解決方案的同時(shí)，保留了極具誘惑力的價(jià)格。