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介紹一下S參數(shù)的基礎(chǔ)知識

冬至子 ? 來源:大明SIPI ? 作者:佳如明 ? 2023-06-15 15:28 ? 次閱讀

S參數(shù)基礎(chǔ)

前面已經(jīng)介紹了反射、串擾、損耗等傳輸線效應(yīng)。那么怎樣衡量傳輸線效應(yīng)呢?在實際的應(yīng)用中,難道要我們用公式來計算反射、串擾嗎?當然不用這樣,這一節(jié)我們來介紹S參數(shù)。

S參數(shù),也就是散射參數(shù)(Scatter Parameters)。最早是應(yīng)用于微波傳輸中的一個重要參數(shù)。后來將S參數(shù)引入信號完整性分析中,用S參數(shù)表征一個傳輸通道的特性。以一個二端口為列,S參數(shù)像Y、Z參數(shù)一樣能夠完整地描述一個二端口網(wǎng)絡(luò)的性能。然而與Y、Z參數(shù)不同的是,S參數(shù)與傳輸波入射到傳輸通道時產(chǎn)生的散射和反射相關(guān)。因此,可以如下圖所示,把S參數(shù)比作透鏡的反射和傳輸。

圖片

S參數(shù)在微波和射頻設(shè)計中是非常重要的,因為它具有如下優(yōu)點:

(1)它非常容易測量而且相比其它參數(shù)其高頻特性更準確。

(2)S參數(shù)概念簡單、分析方便,能夠細致深入地洞察到測試和建模存在的問題。

因此,在進行高速信號的信號完整性分析時引入S參數(shù)也可以帶來很大的方便。比如rapid IO和PCIE等高速串行總線其協(xié)議中往往會以S參數(shù)的形式給出對信號傳輸鏈路性能的要求,如插入損耗、回波損耗等。再者,目前主流的信號完整性仿真軟件如cadencementor、agilent的EDA工具、以及是德科技、羅德施瓦茨等測試設(shè)備也都支持S參數(shù)的提取或者仿真分析。

為什么說S參數(shù)會給信號完整性分析帶來方便呢?

首先我們來看信號從驅(qū)動器出來到接收器件接收到正確的波形都需要經(jīng)過哪些路徑,也就是高速信號的傳輸通道都包括哪些組成部分。在驅(qū)動器、接收器的封裝內(nèi)部會有bonding wire/bump、substrate布線、BGA ball,在PCB板上又會有換層過孔、微帶或者帶狀布線、匹配器件、連接器等等。傳輸通道的這些組成部分都會導(dǎo)致阻抗不連續(xù)、損耗等信號完整性問題。在信號速率很低時我們可以不關(guān)注過孔、BGA ball、直角布線等非理想因素帶來的寄生效應(yīng),在進行阻抗匹配設(shè)計時只考慮驅(qū)動器電阻、傳輸線阻抗這些主要因素即可。但在隨著信號速率的提高任何互聯(lián)鏈路中的非理想因素都會對鏈路的性能產(chǎn)生影響,此時如果我們還是按照反射系數(shù)的公式來計算反射的影響是十分繁瑣的事情,而且很難得到正確的結(jié)果。而S參數(shù)包含了無源通道的所有特征,我們只需要獲得足夠帶寬、足夠精度的S參數(shù)就能得到傳輸通道的所有特性。

01

S參數(shù)的定義

以最簡單的二端口網(wǎng)絡(luò)為例,我們來看一下S參數(shù)的定義:

圖片

其中,

圖片

Note:ai、bi ,Sij(S11、S12、S21、S22就是S參數(shù))。這就意味著S參數(shù)和進入二端口的傳輸波(功率)的反射和傳輸行為相關(guān)。入射波、反射波之間可以用下面的矩陣方程聯(lián)系起來。

圖片

由于二端口網(wǎng)絡(luò)以特征阻抗Z0進行端接,這些入射、反射、傳輸波都能夠被歸一化為電壓或者電流的幅度來表示。

也就是說,我們能夠?qū)⑷肷涔β兽D(zhuǎn)化為規(guī)范化的電壓幅度:

圖片

類似的將反射功率轉(zhuǎn)化為:

圖片

下面的信號流圖給出了電壓形式的S參數(shù)的解釋:

圖片

獨立的來看各個S參數(shù),可以得到:

圖片

S11:端口 2 匹配時,端口 1 的反射系數(shù);

S22:端口 1 匹配時,端口 2 的反射系數(shù);

S12:端口 1 匹配時,端口 2 到端口 1 的反向傳輸系數(shù);

S21:端口 2 匹配時,端口 1 到端口 2 的正向傳輸系數(shù)。

將功率形式的S參數(shù)歸一為電壓形式這就能夠方便地應(yīng)用于信號完整性分析。S11和S22也就是我們通常所說的反射或者也叫做回波損耗(return loss),S12和S21是插入損耗(insert loss)。

02

多端口S參數(shù)

在二端口網(wǎng)絡(luò)中S參數(shù)所能表現(xiàn)的鏈路性能主要是損耗和反射。如果將二端口擴展到N端口S參數(shù),從而可以表示多個網(wǎng)絡(luò)之間的串擾特性。如下所示:

圖片

同樣我們定義每個端口的輸入波為 ,每個端口的輸出波為其中 按照二端口的方式我們可以得到多端口的S參數(shù)。

用Sij表示S參數(shù),那么:

(1)i表示響應(yīng)端口,j表示記錄端口。Sij表示輸入波從j端口進入在i端口產(chǎn)生的響應(yīng);

(2)當i=j時,表示i(或j)端口處發(fā)生的反射;

(3)當i=j+1時,表示單條傳輸線的損耗特性;

(4)S13 、S15、S1(n-1)等這些就表示了3、5、n-1端口在1端口上產(chǎn)生的近端串擾;

(5)S14 、S16、S1n等這些參數(shù)表示4、6、n端口在1端口上產(chǎn)生的遠端串擾。

隨著電子產(chǎn)品的高密、高速的發(fā)展趨勢,快速精確地評估高速總線的SI性能變得非常重要。單純信號鏈路的SI仿真已經(jīng)不能滿足需求,我們必須精確考慮互連線上的很多微小的結(jié)構(gòu),目前大多數(shù)EDA軟件都提供了S參數(shù)提取功能可以方便地提取PCB或者封裝文件中多端口S參數(shù),使其能夠廣泛應(yīng)用于SI仿真中。

03

混模S參數(shù)

S參數(shù)理論不光適用于單端信號,也可以擴展到差分端口的情況。一個4端口網(wǎng)絡(luò)如下所示:

圖片

定義每個端口的輸入波為ai ,每個端口的輸出波為其中bi,i = 1,2,3,4。則有

圖片

S參數(shù)定義如下:

圖片

圖片

意思就是除了激勵端口其它端口的輸入波都是0.

定義:

圖片

則有 [b] = [S] [a]

四端口單端網(wǎng)絡(luò)可以轉(zhuǎn)化為如下的二端口差分網(wǎng)絡(luò)(其實是二端口差模+二端口共模),因此差分S參數(shù)又叫混模S參數(shù)。

圖片

差模端口和共模端口的電壓和電流定義如下:

圖片

定義每個端口的差分輸入波、差分輸出波、共模輸入波,共模輸出波如下:

圖片

結(jié)合單端模型中對輸入輸出波的定義可以推導(dǎo)出單端和差分S參數(shù)的關(guān)系:

圖片

由此可知,單端和混模入射波的關(guān)系如下:

圖片

同理可以得到單端和混模反射波的關(guān)系:

圖片

為了方便計算,定義如下幾個量分別表示混模的輸入波、混模輸出波、單端輸入波、單端輸出波。

圖片

圖片

單端S參數(shù)矩陣:

圖片

混模S參數(shù)矩陣:

圖片

混模S參數(shù)的定義規(guī)則:Swxyz,其中w代表響應(yīng)模式,x代表激勵模式,y代表響應(yīng)端口,z代表激勵端口。例如Sdd11響應(yīng)和激勵端口都是1端口、響應(yīng)和激勵模式都是差模,表示1端口的差模反射;Sdc11表示1端口共模向差模轉(zhuǎn)換量;Sdc21表示1端口的共模信號向2端口的差模產(chǎn)生轉(zhuǎn)換。

由此可知 ,

圖片

則有,

圖片

可以推出

圖片

即:

圖片

仔細觀察Smm矩陣,可以將其分成四個部分。

圖片

左上角的四個量表示了差模的反射和插入損耗;右下角的四個量 表示了共模信號的反射和插入損耗;右上角四個量表示了共模信號向差模信號轉(zhuǎn)換的能力,可以衡量差分網(wǎng)絡(luò)的抗外界共模干擾的能力;左下角四個量表示了差模信號向共模轉(zhuǎn)換的能力,可以用來衡量了差分網(wǎng)絡(luò)對外界的干擾。

在高速電路的設(shè)計中,差模信號才是有用的信號,共模信號通常來自于噪聲耦合和EMI輻射以及設(shè)計中存在的一些不平衡因素。對于單端信號的設(shè)計,總的原則就是抑制反射和損耗。對于差分信號來說還要抑制共模噪聲。

Ethernet、PCIe等高速信號都是以差分形式傳輸,差分S參數(shù)對高速信號的SI分析非常關(guān)鍵。

04

S參數(shù)的應(yīng)用

下圖所示為8bit DDR數(shù)據(jù)信號的布線圖。

圖片

使用Cadence PowerSI提取100MHz—10GHz的S參數(shù),下圖所示分別為回損、插損和串擾的S參數(shù)。

圖片

回波損耗全面地反映了各個頻點的阻抗不連續(xù)情況。我們可以根據(jù)回波損耗來評估傳輸線的阻抗匹配情況,并有針對性地對PCB設(shè)計進行優(yōu)化。對于本設(shè)計而言,由于布線靠近top層,過孔的stub產(chǎn)生的分支非常長對回波損耗產(chǎn)生了嚴重影響,可以看到頻率超過3GHz后,回損基本在-10dB以上。

圖片

插損則反映了傳輸線在各個頻段對信號的衰減作用。總的趨勢是高頻越高信號的衰減越大,這也與前面講過的導(dǎo)體損害、介質(zhì)損耗的內(nèi)容是一致的。不同的是上圖的插入損耗并不是線性的,而是隨著頻率提升震蕩下行。這也是由于過孔的stub導(dǎo)致,對比回損可知,插損隨著回損的周期性波峰波谷而震蕩,回損的波峰正好是插損的波谷。這是由于回損在信號的總損耗中占有關(guān)鍵作用。

圖片

串擾反映了信號間的相互干擾,是SI分析中需要重點關(guān)注的內(nèi)容。我們可以根據(jù)S參數(shù)結(jié)果對一組信號線的串擾進行判斷,并通過優(yōu)化PCB設(shè)計(如并行布線長度、線間距等)改善串擾。

S參數(shù)提出出來后,我們不僅可以通過S參數(shù)大體判斷傳輸通道的性能,最重要的是可以用S參數(shù)搭建仿真電路進行時域仿真分析。

圖片

S參數(shù)就介紹到這里,后面有機會再詳細介紹各種接口的SI仿真。

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