有圖晶圓關鍵尺寸及套刻量測系統可對Wafer的關鍵尺寸進行檢測,對套刻偏移量的測量,以及Wafer表面3D形貌、粗糙度的測量,包括鐳射切割的槽寬、槽深等自動測量。300*300mm真空吸附平臺,最大可支持12寸Wafer的自動測量,配置掃描槍,可實現產線的全自動化生產需求。
一.系統的布局結構1. 上料/下料區:Robot自動抓取Wafer至尋邊器平臺;2. 定位區:尋邊器對Wafer自動輪廓識別,旋轉校正到設定姿態;3. 測量區:自動測量平臺,包含2D和3D測量模組,內部有溫濕度監控及除靜電裝置。 1.上下料區:Robot自動上下料
Robot自動上下料
2.定位區:尋邊器自動識別出wafer輪廓,旋轉校正到設定姿態
Robot將Wafer放在尋邊器上
自動識別出wafer輪廓
3. 測量區:自動測量平臺
自動測量平臺
二.應用案例
1.Wafer關鍵尺寸、套刻偏移量測量
2.鐳射切割槽測量
3.表面粗糙度測量
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