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國家專利高端材料-超薄高導(dǎo)熱絕緣氮化硼膜

向欣電子 ? 2022-05-31 10:42 ? 次閱讀
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關(guān)鍵詞:高導(dǎo)熱絕緣,TIM材料,氮化硼,高端材料

導(dǎo)語:5G時代巨大數(shù)據(jù)流量對于通訊終端的芯片、天線等部件提出了更高的要求,器件功耗大幅提升的同時,引起了這些部位發(fā)熱量的急劇增加。BN氮化硼散熱膜是當(dāng)前5G射頻芯片、毫米波天線、AI物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域最為有效的散熱材料,具有不可替代性。

致力于解決當(dāng)前我國電子封裝及熱管理領(lǐng)域面臨的瓶頸技術(shù)問題,建立了國際先進(jìn)的熱管理解決方案及相關(guān)材料生產(chǎn)技術(shù),是國內(nèi)低維材料技術(shù)領(lǐng)域頂尖的創(chuàng)新型研發(fā)團(tuán)隊。本產(chǎn)品是國內(nèi)首創(chuàng)自主研發(fā)的高質(zhì)量二維氮化硼納米片,成功制備了大面積、厚度可控的二維氮化硼散熱膜,具有透電磁波、高導(dǎo)熱、高柔性、低介電系數(shù)、低介電損耗等多種優(yōu)異特性,解決了當(dāng)前我國電子封裝及熱管理領(lǐng)域面臨的“卡脖子”問題,擁有國際先進(jìn)的熱管理TIM解決方案及相關(guān)材料生產(chǎn)技術(shù),是國內(nèi)低維材料技術(shù)領(lǐng)域頂尖的創(chuàng)新型高科技產(chǎn)品。

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產(chǎn)品的應(yīng)用方向為5G通訊絕緣熱管理,主要目標(biāo)市場可分為終端設(shè)備,智能工業(yè),及新能源汽車三大板塊。5G技術(shù)是近年來最受矚目的關(guān)鍵科技,也是國內(nèi)外重點發(fā)展的核心產(chǎn)業(yè)之一。隨著5G商用,工業(yè)4.0、智慧城市、無人駕駛等科技建設(shè)的推進(jìn),該項目已經(jīng)初步形成了萬億的市場規(guī)模,并持續(xù)快速發(fā)展。

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5G技術(shù)---將成為移動通信產(chǎn)業(yè)的新發(fā)動機(jī)!

5G移動通信產(chǎn)業(yè)的新發(fā)動機(jī)

什么是5G?

“5G”一詞通常用于指代第 5 代移動網(wǎng)絡(luò)。5G 是繼之前的標(biāo)準(zhǔn)(1G、2G、3G、4G 網(wǎng)絡(luò))之后的最新全球無線標(biāo)準(zhǔn),并為數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用提供更高的帶寬。除其他好處外,5G 有助于建立一個新的、更強(qiáng)大的網(wǎng)絡(luò),該網(wǎng)絡(luò)能夠支持通常被稱為 IoT 或“物聯(lián)網(wǎng)”的設(shè)備爆炸式增長的連接——該網(wǎng)絡(luò)不僅可以連接人們通常使用的端點,還可以連接一系列新設(shè)備,包括各種家用物品和機(jī)器。公認(rèn)的5G的優(yōu)勢是:

?具有更高可用性和容量的更可靠的網(wǎng)絡(luò)

?更高的峰值數(shù)據(jù)速度(多 Gbps)

?超低延遲

與前幾代網(wǎng)絡(luò)不同,5G 網(wǎng)絡(luò)利用在 26 GHz 至 40 GHz 范圍內(nèi)運(yùn)行的高頻波長(通常稱為毫米波)。由于干擾建筑物、樹木甚至雨等物體,在這些高頻下會遇到傳輸損耗,因此需要更高功率和更高效的電源5G部署最初可能會以增強(qiáng)型移動寬帶應(yīng)用為中心,滿足以人為中心的多媒體內(nèi)容、服務(wù)和數(shù)據(jù)接入需求。增強(qiáng)型移動寬帶用例將包括全新的應(yīng)用領(lǐng)域、性能提升的需求和日益無縫的用戶體驗,超越現(xiàn)有移動寬帶應(yīng)用所支持的水平。

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毫米波是5G的關(guān)鍵技術(shù)

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毫米波通信是未來無線移動通信重要發(fā)展方向之一,目前已經(jīng)在大規(guī)模天線技術(shù)、低比特量化ADC、低復(fù)雜度信道估計技術(shù)、功放非線性失真等關(guān)鍵技術(shù)上有了明顯研究進(jìn)展。但是隨著新一代無線通信對無線寬帶通信網(wǎng)絡(luò)提出新的長距離、高移動、更大傳輸速率的軍用、民用特殊應(yīng)用場景的需求,針對毫米波無線通信的理論研究與系統(tǒng)設(shè)計面臨重大挑戰(zhàn),開展面向長距離、高移動毫米波無線寬帶系統(tǒng)的基礎(chǔ)理論和關(guān)鍵技術(shù)研究,已經(jīng)成為新一代寬帶移動通信最具潛力的研究方向之一。

毫米波的優(yōu)勢: 毫米波由于其頻率高、波長短,具有如下特點:

頻譜寬,配合各種多址復(fù)用技術(shù)的使用可以極大提升信道容量,適用于高速多媒體傳輸業(yè)務(wù);可靠性高,較高的頻率使其受干擾很少,能較好抵抗雨水天氣的影響,提供穩(wěn)定的傳輸信道;方向性好,毫米波受空氣中各種懸浮顆粒物的吸收較大,使得傳輸波束較窄,增大了竊聽難度,適合短距離點對點通信;波長極短,所需的天線尺寸很小,易于在較小的空間內(nèi)集成大規(guī)模天線陣。

毫米波的缺點:毫米波也有一個主要缺點,那就是不容易穿過建筑物或者障礙物,并且可以被葉子和雨水吸收。這也是為什么5G網(wǎng)絡(luò)將會采用小基站的方式來加強(qiáng)傳統(tǒng)的蜂窩塔。

什么是熱管理?

熱管理?顧名思義,就是對“熱“進(jìn)行管理,英文是:Thermal Management。熱管理系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于國民經(jīng)濟(jì)以及國防等各個領(lǐng)域,控制著系統(tǒng)中熱的分散、存儲與轉(zhuǎn)換。先進(jìn)的熱管理材料構(gòu)成了熱管理系統(tǒng)的物質(zhì)基礎(chǔ),而熱傳導(dǎo)率則是所有熱管理材料的核心技術(shù)指標(biāo)。

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導(dǎo)熱率,又稱導(dǎo)熱系數(shù),反映物質(zhì)的熱傳導(dǎo)能力,按傅立葉定律(見熱傳導(dǎo)),其定義為單位溫度梯度(在1m長度內(nèi)溫度降低1K)在單位時間內(nèi)經(jīng)單位導(dǎo)熱面所傳遞的熱量。熱導(dǎo)率大,表示物體是優(yōu)良的熱導(dǎo)體;而熱導(dǎo)率小的是熱的不良導(dǎo)體或為熱絕緣體。

5G手機(jī)以及硬件終端產(chǎn)品的小型化、集成化和多功能化,毫米波穿透力差,電子設(shè)備和許多其他高功率系統(tǒng)的性能和可靠性受到散熱問題的嚴(yán)重威脅。要解決這個問題,散熱材料必須在導(dǎo)熱性、厚度、靈活性和堅固性方面獲得更好的性能,以匹配散熱系統(tǒng)的復(fù)雜性和高度集成性。

什么是氮化硼?

氮化硼是由氮原子和硼原子所構(gòu)成的晶體。化學(xué)組成為43.6%的硼和56.4%的氮,具有四種不同的變體:六方氮化硼(HBN)、菱方氮化硼(RBN)、立方氮化硼(CBN)和纖鋅礦氮化硼(WBN)。

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氮化硼問世于100多年前,最早的應(yīng)用是作為高溫潤滑劑的六方氮化硼,不僅其結(jié)構(gòu)而且其性能也與石墨極為相似,且自身潔白,所以俗稱:白石墨。

氮化硼(BN)陶瓷是早在1842年被人發(fā)現(xiàn)的化合物。國外對BN材料從第二次世界大戰(zhàn)后進(jìn)行了大量的研究工作,直到1955年解決了BN熱壓方法后才發(fā)展起來的。美國金剛石公司和聯(lián)合碳公司首先投入了生產(chǎn),1960年已生產(chǎn)10噸以上。

1957年R·H·Wentrof率先試制成功CBN,1969年美國通用電氣公司以商品Borazon銷售,1973年美國宣布制成CBN刀具。

1975年日本從美國引進(jìn)技術(shù)也制備了CBN刀具。

1979年首次成功采用脈沖等離子體技術(shù)在低溫低壓卜制備崩c—BN薄膜。

20世紀(jì)90年代末,人們已能夠運(yùn)用多種物理氣相沉積(PVD)和化學(xué)氣相沉積(CVD)的方法制備c-BN薄膜。

從中國國內(nèi)看,發(fā)展突飛猛進(jìn),1963年開始BN粉末的研究,1966年研制成功,1967年投入生產(chǎn)并應(yīng)用于我國工業(yè)和尖端技術(shù)之中。

物質(zhì)特性:

CBN通常為黑色、棕色或暗紅色晶體,為閃鋅礦結(jié)構(gòu),具有良好的導(dǎo)熱性。硬度僅次于金剛石,是一種超硬材料,常用作刀具材料和磨料。

氮化硼具有抗化學(xué)侵蝕性質(zhì),不被無機(jī)酸和水侵蝕。在熱濃堿中硼氮鍵被斷開。1200℃以上開始在空氣中氧化。真空時約2700℃開始分解。微溶于熱酸,不溶于冷水,相對密度2.29。壓縮強(qiáng)度為170MPa。在氧化氣氛下最高使用溫度為900℃,而在非活性還原氣氛下可達(dá)2800℃,但在常溫下潤滑性能較差。氮化硼的大部分性能比碳素材料更優(yōu)。對于六方氮化硼:摩擦系數(shù)很低、高溫穩(wěn)定性很好、耐熱震性很好、強(qiáng)度很高、導(dǎo)熱系數(shù)很高、膨脹系數(shù)較低、電阻率很大、耐腐蝕、可透微波或透紅外線。

物質(zhì)結(jié)構(gòu):

氮化硼六方晶系結(jié)晶,最常見為石墨晶格,也有無定形變體,除了六方晶型以外,氮化硼還有其他晶型,包括:菱方氮化硼(r-BN)、立方氮化硼(c-BN)、纖鋅礦型氮化硼(w-BN)。人們甚至還發(fā)現(xiàn)像石墨稀一樣的二維氮化硼晶體。

通常制得的氮化硼是石墨型結(jié)構(gòu),俗稱為白色石墨。另一種是金剛石型,和石墨轉(zhuǎn)變?yōu)榻饎偸脑眍愃疲偷鹪诟邷兀?800℃)、高壓(8000Mpa)[5~18GPa]下可轉(zhuǎn)變?yōu)榻饎傂偷稹J切滦湍透邷氐某膊牧希糜谥谱縻@頭、磨具和切割工具。

應(yīng)用領(lǐng)域:

1. 金屬成型的脫模劑和金屬拉絲的潤滑劑。

2. 高溫狀態(tài)的特殊電解、電阻材料。

3. 高溫固體潤滑劑,擠壓抗磨添加劑,生產(chǎn)陶瓷復(fù)合材料的添加劑,耐火材料和抗氧化添加劑,尤其抗熔融金屬腐蝕的場合,熱增強(qiáng)添加劑、耐高溫的絕緣材料。

4. 晶體管的熱封干燥劑和塑料樹脂等聚合物的添加劑。

5. 壓制成各種形狀的氮化硼制品,可用做高溫、高壓、絕緣、散熱部件。

6. 航天航空中的熱屏蔽材料。

7. 在觸媒參與下,經(jīng)高溫高壓處理可轉(zhuǎn)化為堅硬如金剛石的立方氮化硼。

8. 原子反應(yīng)堆的結(jié)構(gòu)材料。

9. 飛機(jī)、火箭發(fā)動機(jī)的噴口。

10.高壓高頻電及等離子弧的絕緣體。

11.防止中子輻射的包裝材料。

12.由氮化硼加工制成的超硬材料,可制成高速切割工具和地質(zhì)勘探、石油鉆探的鉆頭。

13.冶金上用于連續(xù)鑄鋼的分離環(huán),非晶態(tài)鐵的流槽口,連續(xù)鑄鋁的脫模劑。

14.做各種電容器薄膜鍍鋁、顯像管鍍鋁、顯示器鍍鋁等的蒸發(fā)舟。

15.各種保鮮鍍鋁包裝袋等。

16.各種激光防偽鍍鋁、商標(biāo)燙金材料,各種煙標(biāo),啤酒標(biāo)、包裝盒,香煙包裝盒鍍鋁等等。

17.化妝品用于口紅的填料,無毒又有潤滑性,又有光澤。

未來前景:

由于鋼鐵材料硬度很高,因而加工時會產(chǎn)生大量的熱,金剛石工具在高溫下易分解,且容易與過渡金屬反應(yīng),而c-BN材料熱穩(wěn)定性好,且不易與鐵族金屬或合金發(fā)生反應(yīng),可廣泛應(yīng)用于鋼鐵制品的精密加工、研磨等。c-BN除具有優(yōu)良的耐磨性能外,耐熱性能也極為優(yōu)良,在相當(dāng)高的切削溫度下也能切削耐熱鋼、鐵合金、淬火鋼等,并且能切削高硬度的冷硬軋輥、滲碳淬火材料以及對刀具磨損非常嚴(yán)重的Si-Al合金等。實際上,由c-BN晶體(高溫高壓合成)的燒結(jié)體做成的刀具、磨具已應(yīng)用于各種硬質(zhì)合金材料的高速精密加工中。

c-BN作為一種寬禁帶(帶隙6.4 eV)半導(dǎo)體材料,具有高熱導(dǎo)率、高電阻率、高遷移率、低介電常數(shù)、高擊穿電場、能實現(xiàn)雙型摻雜且具有良好的穩(wěn)定性,它與金剛石、SiC和GaN一起被稱為繼Si、Ge及GaAs之后的第三代半導(dǎo)體材料,它們的共同特點是帶隙寬,適用于制作在極端條件下使用的電子器件。與SiC和GaN相比,c-BN與金剛石有著更為優(yōu)異的性質(zhì),如更寬的帶隙、更高的遷移率、更高的擊穿電場、更低的介電常數(shù)和更高的熱導(dǎo)率。顯然作為極端電子學(xué)材料,c-BN與金剛石更勝一籌。然而作為半導(dǎo)體材料金剛石有它致命的弱點,即金剛石的n型摻雜十分困難(其n型摻雜的電阻率只能達(dá)到102Ω·cm,遠(yuǎn)遠(yuǎn)未達(dá)到器件標(biāo)準(zhǔn)),而c-BN則可以實現(xiàn)雙型摻雜。例如,在高溫高壓合成以及薄膜制備過程中,添加Be可得到P型半導(dǎo)體;添加S、C、Si等可得到n型半導(dǎo)體。因此綜合看來c-BN是性能最為優(yōu)異的第三代半導(dǎo)體材料,不僅能用于制備在高溫、高頻、大功率等極端條件下工作的電子器件,而且在深紫外發(fā)光和探測器方面有著廣泛的應(yīng)用前景。事實上,最早報道了在高溫高壓條件下制成的c-BN發(fā)光二極管,可在650℃的溫度下工作,在正向偏壓下二極管發(fā)出肉眼可見的藍(lán)光,光譜測量表明其最短波長為215 nm(5.8 eV)。c-BN具有和GaAs、Si相近的熱膨脹系數(shù),高的熱導(dǎo)率和低的介電常數(shù),絕緣性能好,化學(xué)穩(wěn)定性好,使它成為集成電路的熱沉材料和絕緣涂覆層。此外c-BN具有負(fù)的電子親和勢,可以用于冷陰極場發(fā)射材料,在大面積平板顯示領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。

光學(xué)應(yīng)用方面,由于c-BN薄膜硬度高,并且從紫外(約從200 nm開始)到遠(yuǎn)紅外整個波段都具有高的透過率,因此適合作為一些光學(xué)元件的表面涂層,特別適合作為硒化鋅(ZnSe)、硫化鋅(ZnS)等窗口材料的涂層。此外,它具有良好的抗熱沖擊性能和商硬度,有望成為大功率激光器和探測器的理想窗窗口材料。

超薄透波絕緣氮化硼膜材

六方氮化硼(h-BN)這種二維結(jié)構(gòu)材料,又名白石墨烯,看上去像著名的石墨烯材料一樣,僅有一個原子厚度。但是兩者很大的區(qū)別是六方氮化硼是一種天然絕緣體而石墨烯是一種完美的導(dǎo)體。與石墨烯不同的是,h-BN的導(dǎo)熱性能很好,可以量化為聲子形式(從技術(shù)層面上講,一個聲子即是一組原子中的一個準(zhǔn)粒子)。有材料專家說道:“使用氮化硼去控制熱流看上去很值得深入研究。我們希望所有的電子器件都可以盡可能快速有效地散射。而其中的缺點之一,尤其是在對于組裝在基底上的層狀材料來說,熱量在其中某個方向上沿著傳導(dǎo)平面散失很快,而層之間散熱效果不好,多層堆積的石墨烯即是如此。”與石墨中的六角碳網(wǎng)相似,六方氮化硼中氮和硼也組成六角網(wǎng)狀層面,互相重疊,構(gòu)成晶體。晶體與石墨相似,具有反磁性及很高的異向性,晶體參數(shù)兩者也頗為相近。

二維氮化硼散熱膜是一種性能優(yōu)異的均熱散熱材料。傳統(tǒng)的人工石墨膜和石墨烯薄膜具有電磁屏蔽的特性,在5G通訊設(shè)備中的應(yīng)用場景受限,特別是在分布式天線的5G手機(jī)中。二維氮化硼散熱膜具有極低的介電系數(shù)和介電損耗,是一種理想的透電磁波散熱材料,能被用于解決5G手機(jī)散熱問題。

基于二維氮化硼納米片的復(fù)合薄膜,此散熱膜具有透電磁波、高導(dǎo)熱、高柔性、高絕緣、低介電系數(shù)、低介電損耗等優(yōu)異特性,是5G射頻芯片、毫米波天線領(lǐng)域最為有效的散熱材料之一。

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高導(dǎo)熱透波絕緣氮化硼膜材主要應(yīng)用

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    的頭像 發(fā)表于 02-21 06:20 ?389次閱讀
    晟鵬技術(shù) | <b class='flag-5'>氮化硼</b>散熱<b class='flag-5'>膜</b>提升無線充電

    氮化硼散熱無線充電應(yīng)用 | 晟鵬技術(shù)

    作為散熱材料雖然有一定效果,但其性能已逐漸無法滿足更高功率和更高效能的需求。在此背景下,氮化硼(BN)散熱作為一種新型散熱材料,因其獨特的物理特性,逐漸成為替代
    的頭像 發(fā)表于 02-13 08:20 ?669次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化硼</b>散熱<b class='flag-5'>膜</b>無線充電應(yīng)用 | 晟鵬技術(shù)

    氮化硼散熱替代石墨提升無線充電效率分析

    作為散熱材料雖然有一定效果,但其性能已逐漸無法滿足更高功率和更高效能的需求。在此背景下,氮化硼(BN)散熱作為一種新型散熱材料,因其獨特的物理特性,逐漸成為替代
    的頭像 發(fā)表于 02-12 06:20 ?532次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化硼</b>散熱<b class='flag-5'>膜</b>替代石墨<b class='flag-5'>膜</b>提升無線充電效率分析

    一種氮化硼納米片增強(qiáng)的導(dǎo)熱復(fù)合材料

    W/mK)難以滿足現(xiàn)代散熱需求。研究表明,添加高熱導(dǎo)率填料(如石墨烯、碳納米管和氮化硼等)可以顯著提高聚合物復(fù)合材料的熱導(dǎo)率,但需要大量填料來建立導(dǎo)熱網(wǎng)絡(luò),這通常會導(dǎo)致介電常數(shù)和介電損耗的增加。因此,迫切需要新的解決方
    的頭像 發(fā)表于 12-07 10:25 ?706次閱讀
    一種<b class='flag-5'>氮化硼</b>納米片增強(qiáng)的<b class='flag-5'>高</b><b class='flag-5'>導(dǎo)熱</b>復(fù)合<b class='flag-5'>材料</b>

    導(dǎo)熱絕緣低介電材料 | 氮化硼散熱

    2.27g/cm3,莫式硬度為2,具有優(yōu)良的電絕緣性、介電性能、導(dǎo)熱性、耐金屬熔體腐蝕性、無明顯熔點、低熱膨脹系數(shù)。在0.1MPa的分壓下,氮化硼在中性或還原氣氛中,能
    的頭像 發(fā)表于 11-15 01:02 ?1109次閱讀
    <b class='flag-5'>高</b><b class='flag-5'>導(dǎo)熱</b><b class='flag-5'>高</b><b class='flag-5'>絕緣</b>低介電<b class='flag-5'>材料</b> | <b class='flag-5'>氮化硼</b>散熱<b class='flag-5'>膜</b>

    半導(dǎo)體芯片導(dǎo)熱絕緣低介電材料|氮化硼散熱

    芯片功耗提升,散熱重要性凸顯1,芯片性能提升催生散熱需求,封裝材料市場穩(wěn)健增長AI需求驅(qū)動硬件散熱需求。根據(jù)Canalys預(yù)測,兼容AI的個人電腦將從2025年開始快速普及,預(yù)計至2027年約占
    的頭像 發(fā)表于 11-09 01:03 ?974次閱讀
    半導(dǎo)體芯片<b class='flag-5'>高</b><b class='flag-5'>導(dǎo)熱</b><b class='flag-5'>絕緣</b>低介電<b class='flag-5'>材料</b>|<b class='flag-5'>氮化硼</b>散熱<b class='flag-5'>膜</b>

    Die-cutting converting 精密模切加工|氮化硼散熱(白石墨烯)

    基于二維氮化硼納米片的復(fù)合薄膜,此散熱具有透電磁波、導(dǎo)熱柔性、
    的頭像 發(fā)表于 10-31 08:04 ?1055次閱讀
    Die-cutting converting 精密模切加工|<b class='flag-5'>氮化硼</b>散熱<b class='flag-5'>膜</b>(白石墨烯)

    絕緣散熱材料 | 石墨片氮化硼散熱復(fù)合材料

    石墨片氮化硼散熱復(fù)合材料是一種結(jié)合了石墨片和氮化硼散熱各自優(yōu)異性能的新型復(fù)合材料。一、石墨片
    的頭像 發(fā)表于 10-05 08:01 ?744次閱讀
    <b class='flag-5'>高</b><b class='flag-5'>絕緣</b>散熱<b class='flag-5'>材料</b> | 石墨片<b class='flag-5'>氮化硼</b>散熱<b class='flag-5'>膜</b>復(fù)合<b class='flag-5'>材料</b>

    碳化硅 (SiC) 與氮化鎵 (GaN)應(yīng)用 | 氮化硼導(dǎo)熱絕緣

    SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝,WBG設(shè)備顯示出以下優(yōu)點:1.寬帶隙半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)在帶隙和擊穿場方面相對相似。氮化鎵的帶隙為3.2eV
    的頭像 發(fā)表于 09-16 08:02 ?1334次閱讀
    碳化硅 (SiC) 與<b class='flag-5'>氮化</b>鎵 (GaN)應(yīng)用  | <b class='flag-5'>氮化硼</b><b class='flag-5'>高</b><b class='flag-5'>導(dǎo)熱</b><b class='flag-5'>絕緣</b>片
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