９.２.３ 開關特性∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
開關
+關注
關注
19文章
3138瀏覽量
93701
發布評論請先 登錄
相關推薦
碳化硅的應用領域 碳化硅材料的特性與優勢
碳化硅的應用領域 碳化硅（SiC），作為一種寬禁帶半導體材料，因其獨特的物理和化學特性，在多個領域展現出廣泛的應用潛力。以下是碳化硅的一些主要應用領域： 電子
碳化硅功率器件在能源轉換中的應用
碳化硅（SiC）功率器件作為一種新興的能源轉換技術，因其優異的性能在能源領域受到了廣泛的關注。本文將介紹碳化硅功率器件的
碳化硅功率器件的工作原理和應用
碳化硅（SiC）功率器件近年來在電力電子領域取得了顯著的關注和發展。相比傳統的硅（Si）基功率器件，碳化硅具有許多獨特的優點，使其在高效能、高頻率和高溫環境下的應用中具有明顯的優勢。本
碳化硅功率器件的優點和應用
碳化硅（SiliconCarbide，簡稱SiC）功率器件是近年來電力電子領域的一項革命性技術。與傳統的硅基功率器件相比，碳化硅功率
碳化硅功率器件的技術優勢
隨著電力電子技術的飛速發展，傳統的硅基功率器件因其物理特性的限制，已經逐漸難以滿足日益增長的高性能、高效率、高可靠性的應用需求。在這一背景下，碳化硅（SiC）功率
碳化硅功率器件的優勢和分類
碳化硅（SiC）功率器件是利用碳化硅材料制造的半導體器件，主要用于高頻、高溫、高壓和高功率的電子應用。相比傳統的硅（Si）基功率器件，
碳化硅(SiC)功率器件的開關性能比較
過去十年，碳化硅(SiC)功率器件因其在功率轉換器中的高功率密度和高效率而備受關注。制造商們已經開始采用碳化硅技術來開發基于各種半導體器件的
碳化硅功率器件特性及基本原理
碳化硅是一種寬帶隙(Wide Bandgap,WBG)半導體材料，與傳統的硅(Si)材料相比，具有更寬的能隙、更高的擊穿電場強度和熱導率。
發表于 03-19 11:12
?634次閱讀
碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV
。碳化硅壓敏電阻的主要特點自我修復。用于空氣/油/SF6 環境。可配置為單個或模塊化組件。極高的載流量。高浪涌能量等級。100% 活性材料。可重復的非線性特性。耐高壓。基本上是無感的。碳化硅圓盤壓敏電阻每個
發表于 03-08 08:37
碳化硅功率器件的基本原理、性能優勢、應用領域
碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管（SiC Diode）、碳化硅晶體管（SiC Transistor）等。這些器件通過利用
發表于 02-29 14:23
?1667次閱讀
簡單認識碳化硅功率器件
隨著能源危機和環境污染日益加劇，電力電子技術在能源轉換、電機驅動、智能電網等領域的應用日益廣泛。碳化硅（SiC）功率器件作為第三代半導體材料的代表，具有高溫、高速、高效、高可靠性等優點，被譽為“未來電力電子的新星”。本文將詳細介
碳化硅功率器件封裝的關鍵技術
碳化硅器件的快速開關特性時面臨諸多問題，例如雜散電感參數大、高溫工作可靠性差以及多功能集成封裝與高功率密度需求等。 1.低雜散電感封裝技術
碳化硅功率器件簡介、優勢和應用
碳化硅（SiC）是一種優良的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數等特點，因此在高溫、高頻、大功率應用領域具有顯著優勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子
工商網監
評論