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10.1.7 多浮空區(MFZ)JTE和空間調制(SM)JTE∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

深圳市致知行科技有限公司 ? 2022-04-08 09:44 ? 次閱讀

10.1.7 多浮空區(MFZ)JTE和空間調制(SM)JTE

10.1 SiC功率器件的阻斷電壓和邊緣終端

第10章功率器件的優化和比較

《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

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