色哟哟视频在线观看-色哟哟视频在线-色哟哟欧美15最新在线-色哟哟免费在线观看-国产l精品国产亚洲区在线观看-国产l精品国产亚洲区久久

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

IGBT門極驅(qū)動(dòng)到底要不要負(fù)壓

英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 ? 2022-05-19 16:36 ? 次閱讀

先說(shuō)結(jié)論,如果條件允許還是很建議使用負(fù)壓作為IGBT關(guān)斷的。但是從成本和設(shè)計(jì)的復(fù)雜度來(lái)說(shuō),很多工程師客戶希望不要使用負(fù)壓。下面我們從門極寄生導(dǎo)通現(xiàn)象來(lái)看這個(gè)問(wèn)題。

IGBT是一個(gè)受門極電壓控制開(kāi)關(guān)的器件,只有門極電壓超過(guò)閾值才能開(kāi)通。工作時(shí)常被看成一個(gè)高速開(kāi)關(guān),在實(shí)際使用中會(huì)產(chǎn)生很高的電壓變化dv/dt和電流變化di/dt。電壓變化Dv/dt通過(guò)米勒電容CCG電容產(chǎn)生分布電流灌入門極,使門極電壓抬升,可能導(dǎo)致原本處于關(guān)斷狀態(tài)的IGBT開(kāi)通,如圖1所示。電流變化di/dt可以通過(guò)發(fā)射極和驅(qū)動(dòng)回路共用的電感產(chǎn)生電壓,影響門極,如圖2。

8cde1cb8-d218-11ec-8521-dac502259ad0.png

圖1.米勒導(dǎo)通

8d09dcd6-d218-11ec-8521-dac502259ad0.png

圖2.發(fā)射極引線電感帶來(lái)的感生電動(dòng)勢(shì)

應(yīng)對(duì)米勒電流引起的誤導(dǎo)通,目前普遍的方法是用米勒鉗位,既在某個(gè)器件不需要開(kāi)通的時(shí)候給予一個(gè)低阻抗回路到電源參考地。如圖3,在IGBT處于關(guān)斷的時(shí)候,晶體管T受控導(dǎo)通,以實(shí)現(xiàn)門極GE之間低阻狀態(tài)。

8d15b240-d218-11ec-8521-dac502259ad0.png

圖3.米勒鉗位

對(duì)于電流變化di/dt作用于門極的情況,因?yàn)殚T極回路里包含有電感和G、E之間的電容,將構(gòu)成一個(gè)二階電路。一般正常情況下,門極電阻Rg>2√(L?C)。但是如果這時(shí)候使用了第一種方案中的米勒鉗位電路,那么會(huì)形成一個(gè)低阻尼的二階回路,從而是門極的電壓被抬得更高。

我們用圖4的波形來(lái)說(shuō)明門極產(chǎn)生的寄生電壓現(xiàn)象。仿真在半橋電路下進(jìn)行,其中綠色的第4通道,紅色的第2通道以及藍(lán)色的第3通道分別是開(kāi)通IGBT的門極電壓、IC電流以及VCE電壓。而黃色的第1通道是同一橋臂上對(duì)管的門極電壓,可以看到有兩個(gè)正向的包和一個(gè)負(fù)向的坑。其中第1個(gè)包和第1個(gè)坑就是由于發(fā)射極的電感引起的,在時(shí)序正好對(duì)應(yīng)了兩次電流的變化。而第2個(gè)包則是由dvCE/dt帶來(lái)的寄生影響,可以通過(guò)米勒鉗位來(lái)抑制,也可以用關(guān)斷負(fù)壓解決。但對(duì)于前兩個(gè)尖峰,用米勒鉗位效可能會(huì)使峰值更高。圖5(a)和(b)分別是無(wú)米勒鉗位和有米勒鉗位的波形,從橘色的波形表現(xiàn)來(lái)看,用米勒鉗位對(duì)解決米勒導(dǎo)通非常有效,但對(duì)寄生電感引起的門極電壓尖峰則效果不佳。特別是第2個(gè)向下的峰值很重要,我們接著分析。

8d24dd6a-d218-11ec-8521-dac502259ad0.png

圖4.實(shí)測(cè)門極寄生電壓

8d52d0f8-d218-11ec-8521-dac502259ad0.jpg

圖5(a) 無(wú)miller鉗位

8db10c0e-d218-11ec-8521-dac502259ad0.jpg

圖5(b) 使用miller鉗位

由于受模塊內(nèi)部發(fā)射極綁定線的影響,上面的測(cè)量都是在外部端子上的,內(nèi)部G、E上到底如何呢?我們將借助仿真來(lái)展現(xiàn)。圖6和圖7分別是仿真電路測(cè)試點(diǎn)和測(cè)得的內(nèi)部電壓波形。可以看見(jiàn)內(nèi)部門極電容上的電壓和外部測(cè)得的剛好是相反的。之前那個(gè)向下的尖峰才是真正會(huì)帶來(lái)門極電壓提高的關(guān)鍵!

8dfe0ae0-d218-11ec-8521-dac502259ad0.png

圖6.仿真電路

8e2c3992-d218-11ec-8521-dac502259ad0.png

圖7.仿真波形

那加上米勒鉗位功能后效果怎么樣呢?請(qǐng)參考圖8,實(shí)線是用了miller功能的,虛線是沒(méi)有用miller功能的,峰值更大,增加了寄生導(dǎo)通的風(fēng)險(xiǎn)。看來(lái)米勒鉗位無(wú)法解決di/dt引起的寄生導(dǎo)通問(wèn)題。這種情況下,只能仰仗負(fù)壓關(guān)斷,或者增大Rg來(lái)放慢di/dt了。

8e382158-d218-11ec-8521-dac502259ad0.png

圖8.米勒鉗位使用與否的仿真對(duì)比

在實(shí)際產(chǎn)品中,特別是小功率的三相橋模塊產(chǎn)品,基本發(fā)射極都不是Kelvin結(jié)構(gòu),連接結(jié)構(gòu)復(fù)雜,如圖9所示,非常容易出現(xiàn)di/dt引起的寄生導(dǎo)通現(xiàn)象。好在這種小模塊使用的時(shí)候都會(huì)加上不小的門極電阻,從而限制了開(kāi)關(guān)斜率。而大功率模塊一般都會(huì)有輔助Emitter腳,驅(qū)動(dòng)回路里不會(huì)出現(xiàn)大電流疊加。

8e5fe166-d218-11ec-8521-dac502259ad0.png

圖9.實(shí)際三相橋模塊的內(nèi)部電感分布示意圖

總結(jié)一下,對(duì)于米勒電流引起的寄生導(dǎo)通,在0V關(guān)斷的情況下,可以使用米勒鉗位來(lái)抑制。當(dāng)出現(xiàn)非米勒電流引起的寄生導(dǎo)通時(shí),如果不想減慢開(kāi)關(guān)速度增加損耗的話,加個(gè)負(fù)壓會(huì)是一個(gè)極其便利的手段。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • IGBT
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1266

    文章

    3790

    瀏覽量

    248909
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    高速電路板的電容會(huì)并多大,要不要串電阻或者電感呢?

    Ω的電阻,有的方案是串一個(gè)小電感,1mH左右,電阻的還好,不會(huì)震蕩,串電感會(huì)在諧振頻率附近振蕩啊,就問(wèn)下一般高速電路板的電容會(huì)并多大,要不要串電阻或者電感呢?
    發(fā)表于 08-30 13:23

    igbt柵極驅(qū)動(dòng)的參數(shù)要求和驅(qū)動(dòng)條件

    柵極驅(qū)動(dòng)的參數(shù)要求和驅(qū)動(dòng)條件。 一、IGBT柵極驅(qū)動(dòng)概述 IGBT是一種集MOSFET和雙型晶
    的頭像 發(fā)表于 07-25 10:48 ?986次閱讀

    igbt驅(qū)動(dòng)電壓多少伏正常范圍

    IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通降、快速開(kāi)關(guān)速度等特點(diǎn)。在IGBT的應(yīng)用過(guò)程中,驅(qū)動(dòng)電壓是一個(gè)非常重要的參數(shù),它直接影
    的頭像 發(fā)表于 07-25 10:24 ?2692次閱讀

    到底要不要報(bào)考“通信工程”?(2024版)

    又到了高考季。為了方便廣大考生全面了解“通信工程”專業(yè),特此編輯了這篇文章。█“通信工程”的基本介紹通信工程,英文全稱叫做CommunicationEngineering,是一重要的工學(xué)基礎(chǔ)學(xué)科
    的頭像 發(fā)表于 06-15 08:05 ?522次閱讀
    <b class='flag-5'>到底</b><b class='flag-5'>要不要</b>報(bào)考“通信工程”?(2024版)

    如何更好地驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET器件?

    電壓的敏感性比IGBT更高,所以對(duì)SiC MOSFET使用高驅(qū)動(dòng)電壓的收益更大。為了防止寄生導(dǎo)通,SiC MOSFET往往還需要負(fù)關(guān)斷。
    的頭像 發(fā)表于 05-13 16:10 ?630次閱讀

    驅(qū)動(dòng)正壓對(duì)功率半導(dǎo)體性能的影響

    對(duì)于半導(dǎo)體功率器件來(lái)說(shuō),電壓的取值對(duì)器件特性影響很大。以前曾經(jīng)聊過(guò)門負(fù)對(duì)器件開(kāi)關(guān)特性的影響,而今天我們來(lái)一起看看門
    的頭像 發(fā)表于 05-11 09:11 ?425次閱讀
    <b class='flag-5'>門</b><b class='flag-5'>極</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>正壓對(duì)功率半導(dǎo)體性能的影響

    IGBT并聯(lián)技術(shù)驅(qū)動(dòng)配置的優(yōu)化策略與實(shí)踐

    1. 每個(gè)IGBT有獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)器; 2. IGBT的連接形式接近于硬并聯(lián),兩橋臂交流輸出端通過(guò)銅排直接相連; 3. 可能存在發(fā)射環(huán)流,但不同的IG
    發(fā)表于 04-26 11:19 ?1341次閱讀
    <b class='flag-5'>IGBT</b>并聯(lián)技術(shù)<b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>配置的優(yōu)化策略與實(shí)踐

    IGBT驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì):揭秘電壓選擇的奧秘

    絕緣柵雙型晶體管(IGBT)作為一種結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和雙結(jié)型晶體管(BJT)優(yōu)點(diǎn)的功率半導(dǎo)體器件,因其具有低開(kāi)關(guān)損耗、大功率容量和高開(kāi)關(guān)速度等特點(diǎn),在交流
    的頭像 發(fā)表于 04-10 11:11 ?3230次閱讀
    <b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>設(shè)計(jì):揭秘<b class='flag-5'>門</b><b class='flag-5'>極</b>電壓選擇的奧秘

    IGBT驅(qū)動(dòng)波形負(fù)關(guān)斷時(shí)有上升尖峰,請(qǐng)問(wèn)有沒(méi)有辦法可以抑制?

    逆變器,用的一個(gè)橋臂IGBT模塊,IGBT驅(qū)動(dòng)波形下管負(fù)關(guān)斷時(shí)有上升尖峰,請(qǐng)問(wèn)有沒(méi)有辦法可以抑制?圖中黃色是下管
    發(fā)表于 04-03 11:20

    淺談級(jí)驅(qū)動(dòng)電壓對(duì)IGBT性能的影響

    絕緣型晶體管(IGBT)是復(fù)合了功率場(chǎng)效應(yīng)管和電力晶體管的優(yōu)點(diǎn)而產(chǎn)生的一種新型復(fù)合器件,具有輸入阻抗高、工作速度快、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動(dòng)
    的頭像 發(fā)表于 02-27 08:25 ?986次閱讀
    淺談<b class='flag-5'>門</b>級(jí)<b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>電壓對(duì)<b class='flag-5'>IGBT</b>性能的影響

    PLC接步進(jìn)電機(jī)或者伺服驅(qū)動(dòng)器的時(shí)候,要不要加裝電阻?

    PLC接步進(jìn)電機(jī)或者伺服驅(qū)動(dòng)器的時(shí)候,要不要加裝電阻? 在PLC接步進(jìn)電機(jī)或伺服驅(qū)動(dòng)器時(shí),是否需要加裝電阻這個(gè)問(wèn)題存在很多不同的觀點(diǎn)和解釋。 首先,讓我們先了解一下步進(jìn)電機(jī)和伺服驅(qū)動(dòng)
    的頭像 發(fā)表于 02-18 15:13 ?2319次閱讀

    igbt工作原理和結(jié)構(gòu)是什么

    絕緣晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,簡(jiǎn)稱IGBT)是一種絕緣晶體管(Insulated
    的頭像 發(fā)表于 01-17 11:37 ?2310次閱讀
    <b class='flag-5'>igbt</b>工作原理和結(jié)構(gòu)是什么

    IGBT模塊的驅(qū)動(dòng)介紹

    額定驅(qū)動(dòng)電壓:驅(qū)動(dòng)電壓在±20V范圍內(nèi)施加超過(guò)此范圍的電壓時(shí),
    的頭像 發(fā)表于 01-05 09:06 ?3217次閱讀
    <b class='flag-5'>IGBT</b>模塊的<b class='flag-5'>門</b><b class='flag-5'>極</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>介紹

    工廠到底要不要上MES?

    工廠到底要不要上MES?這幾年,很多工廠老板都開(kāi)始思考這個(gè)問(wèn)題。上吧,又害怕資金投入得不到回報(bào),費(fèi)時(shí)費(fèi)力又費(fèi)財(cái);不上吧,看到身邊的同行接連地加入MES行列,經(jīng)營(yíng)得風(fēng)生水起,再過(guò)幾年差距就拉開(kāi)了……
    的頭像 發(fā)表于 01-04 16:28 ?427次閱讀

    IGBT用什么驅(qū)動(dòng)

    IGBT(絕緣柵雙型晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的高性能半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通降、高電流密度等優(yōu)點(diǎn)。然而,由于IGBT驅(qū)動(dòng)
    的頭像 發(fā)表于 12-30 10:11 ?1868次閱讀
    <b class='flag-5'>IGBT</b>用什么<b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>好
    主站蜘蛛池模板: 国产麻豆剧果冻传媒免费网站| 亚洲色偷偷偷网站色偷一区人人藻| 把她带到密室调教性奴| 欧美gv明星| CHINA篮球体育飞机2022网站| 女张腿男人桶羞羞漫画| gratis videos欧美最新| 欧美亚洲精品午夜福利AV| seba51久久精品| 日韩人妻双飞无码精品久久| 敌伦小芳的第一次| 无颜之月全集免费观看| 国产偷窥盗摄一区二区| 亚洲欧美国产综合在线| 久久久久久久网| 中文字幕亚洲男人的天堂网络| 免费的av不用播放器的| 9LPORM原创自拍达人| 日本一区不卡在线播放视频免费| 夫妻日本换H视频| 亚瑟天堂久久一区二区影院| 精品国产mmd在线观看| 在野外被男人躁了一夜动图| 男人舔女人的阴部黄色骚虎视频| 背着老婆爆操性感小姨子| 手机在线国产视频| 国内精品免费视频精选在线观看| 亚洲精品中文字幕一二三四区| 久久精品视频16| 99热这里只有精品8| 日韩精品一区二区中文| 国产人妻人伦精品久久久| 一个人的视频全免费在线观看www| 久久天天躁狠狠躁夜夜躁| AV无码国产精品午夜A片麻豆| 全球真实小U女视频合集| 国产精品久久久久久久久齐齐 | 久久99国产精品蜜臀AV| 116美女写真成人午夜视频| 青春草国产成人精品久久| 国产麻豆福利AV在线观看|