8.2.5 比通態(tài)電阻∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
8.2.5 比通態(tài)電阻
8.2 金屬-氧化物-半導體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)
第８章單極型功率開關(guān)器件
《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
電阻
+關(guān)注
關(guān)注
86文章
5541瀏覽量
172422
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
什么是MOSFET柵極氧化層？如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性？
隨著電力電子技術(shù)的不斷進步，碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導通損耗而備受青睞，成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分，柵極氧化層對
發(fā)表于 01-04 12:37
8英寸單片高溫碳化硅外延生長室結(jié)構(gòu)
隨著碳化硅（SiC）材料在電力電子、航空航天、新能源汽車等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，高質(zhì)量、大面積的SiC外延生長技術(shù)變得尤為重要。8英寸SiC晶圓作為當前及未來一段時間內(nèi)的主流尺寸，其外延生長
碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的創(chuàng)新應(yīng)用
能源轉(zhuǎn)換、電力傳輸和電動汽車等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將介紹碳化硅功率器件的基本原理和特點，并探討其在能源轉(zhuǎn)換中的創(chuàng)新應(yīng)用，引領(lǐng)高效能源轉(zhuǎn)換的未來之光。
碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用
碳化硅（SiC）功率器件作為一種新興的能源轉(zhuǎn)換技術(shù)，因其優(yōu)異的性能在能源領(lǐng)域受到了廣泛的關(guān)注。本文將介紹碳化硅功率器件的
碳化硅功率器件的工作原理和應(yīng)用
碳化硅（SiC）功率器件近年來在電力電子領(lǐng)域取得了顯著的關(guān)注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅（Si）基功率器件，碳化硅具有許多獨特的優(yōu)點，使其在高效能、高頻率和高溫環(huán)境下的應(yīng)用中具有明顯的優(yōu)勢。本
碳化硅功率器件的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域
在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）功率器件正以其獨特的性能和優(yōu)勢，逐步成為行業(yè)的新寵。碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數(shù)等特點，使得碳化硅功率
碳化硅功率器件的優(yōu)點和應(yīng)用
碳化硅（SiliconCarbide，簡稱SiC）功率器件是近年來電力電子領(lǐng)域的一項革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比，碳化硅功率
碳化硅功率器件有哪些優(yōu)勢
碳化硅（SiC）功率器件是一種基于碳化硅半導體材料的電力電子器件，近年來在功率電子領(lǐng)域迅速嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅（Si）功率器件相比，
碳化硅功率器件的優(yōu)勢和分類
碳化硅（SiC）功率器件是利用碳化硅材料制造的半導體器件，主要用于高頻、高溫、高壓和高功率的電子應(yīng)用。相比傳統(tǒng)的硅（Si）基功率器件，
碳化硅器件的類型及應(yīng)用
碳化硅是一種廣泛用于制造半導體器件的材料，具有比傳統(tǒng)硅更高的電子漂移率和熱導率。這意味著碳化硅器件能夠在更高的溫度和電壓下工作，同時保持穩(wěn)定性和效率。
發(fā)表于 04-16 11:54
?771次閱讀
碳化硅功率器件特性及基本原理
碳化硅是一種寬帶隙(Wide Bandgap,WBG)半導體材料，與傳統(tǒng)的硅(Si)材料相比，具有更寬的能隙、更高的擊穿電場強度和熱導率。
發(fā)表于 03-19 11:12
?681次閱讀
碳化硅功率器件的基本原理、性能優(yōu)勢、應(yīng)用領(lǐng)域
碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管（SiC Diode）、碳化硅晶體管（SiC Transistor）等。這些器件通過利用
發(fā)表于 02-29 14:23
?1696次閱讀
簡單認識碳化硅功率器件
隨著能源危機和環(huán)境污染日益加劇，電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。碳化硅（SiC）功率器件作為第三代半導體材料的代表，具有高溫、高速、高效、高可靠性等優(yōu)點，被譽為“未來電力電子的新星”。本文將詳細介
碳化硅功率器件封裝的關(guān)鍵技術(shù)
碳化硅（Silicon Carbide，SiC）功率器件因其寬禁帶、耐高壓、高溫、低導通電阻和快速開關(guān)等優(yōu)點備受矚目。然而，如何充分發(fā)揮碳化硅器件
工商網(wǎng)監(jiān)
評論